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愛普生的SAW振蕩器具有高頻和低抖動特性
我們都知道愛普生是日本晶體行業(yè)的佼佼者,專業(yè)研發(fā)制造石英晶體,貼片晶振,有源晶體振蕩器,其實(shí)除了晶振產(chǎn)品,愛普生也生產(chǎn)辦公自動化以及貼片電容,濾波器等產(chǎn)品.在SAW晶體濾波器方面同樣取得出色表現(xiàn).
愛普生的SAW振蕩器具有高頻和低抖動特性,愛普生的SAW石英晶體振蕩器具有高速串行通信所需的“高頻”和“低抖動特性”性能.SAW振蕩器包含一個超過100MHz的SAW諧振器,工作在穩(wěn)定的基波振蕩.此外,它還支持各種輸出類型和電源電壓.
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EPSON晶振 |
標(biāo)稱頻率范圍 |
電源電壓 |
產(chǎn)量 |
包裝尺寸[mm] |
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XG-1000CB振蕩器 |
50MHz~170MHz |
1.8V,2.5V,3.3V |
CMOS |
53.2××1.1噸 |
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XG-1000CA振蕩器 |
50MHz~170MHz |
1.8V,2.5V,3.3V |
CMOS |
7×5×1.2t |
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62.5MHz~250MHz |
2.5V |
CMOS |
7×5×1.2t |
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106.25MHz~170MHz |
3.3V |
CMOS |
7×5×1.2t |
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EG-2002CA晶振 |
62.5MHz~170MHz |
3.3V |
LV-TTL |
7×5×1.2t |
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EG-2121CA振蕩器 |
53.125MHz~700MHz |
2.5V |
差分LV-PECL/ |
7×5×1.2t |
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53.125MHz~700MHz |
3.3V |
差分LV-PECL/ |
7×5×1.2t |
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EG-2101CA晶振 |
62.5MHz~99.999MHz |
2.5V |
差分LV-PECL |
7×5×1.2t |
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EG-4101CA晶體振蕩器 |
100MHz~625MHz |
3.3V |
差分LV-PECL/ |
7×5×1.2t |
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EG-4121CA晶振晶體 |
100MHz~500MHz |
2.5V |
差分LV-PECL/ |
7×5×1.2t |
SAW晶體振蕩器使用注意事項(xiàng)
對于SAW振蕩器性能,為了達(dá)到效果,實(shí)現(xiàn)更高效的作用,請仔細(xì)閱讀以下愛普生的SAW濾波器振蕩器使用注意事項(xiàng).
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筆記 |
原因 |
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1 |
該設(shè)備包含一個SAW諧振器,因此請不要受到過度沖擊或振動. |
該設(shè)備中的SAW諧振器可能損壞. |
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2 |
超聲波清洗可以在本產(chǎn)品上使用,但是,由于晶體振蕩器在某些情況下可能會損壞,請?zhí)崆爸?jǐn)慎操作. |
此設(shè)備中的SAW諧振器或電線可能損壞. |
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3 |
可以自動插入,但是,如果機(jī)械地產(chǎn)生過多的沖擊或振動,則可能損壞內(nèi)部SAW諧振器.務(wù)必提前檢查您的機(jī)器狀況. |
該設(shè)備中的SAW諧振器可能損壞. |
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4 |
該器件采用C-MOSIC制造.請采取必要的預(yù)防措施,以防止由于靜電放電（ESD）造成的損壞. |
此設(shè)備中的IC可能已損壞. |
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5 |
我們建議在Vcc和GND之間放置一個0.01mF至0.1mF的電容,以獲得穩(wěn)定的工作并防止電源線紋波. |
電源紋波/噪聲可能會導(dǎo)致抖動特性惡化. |
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6 |
Vcc和GND模式應(yīng)盡可能大,以便晶振高頻阻抗小. |
電源會產(chǎn)生紋波/噪聲,可能會導(dǎo)致電氣特性惡化. |
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7 |
金屬蓋連接到GND＃3引腳.請采取必要的預(yù)防措施,防止接觸金屬蓋與GND短路. |
與金屬蓋接觸時(shí),電路可能會短路. |
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8 |
電源的啟動時(shí)間（0至90％Vcc）應(yīng)大于150ms,壓擺率應(yīng)小于19.8mV/ms.我們不建議從中間電壓或極快速上電開啟.這些供電條件可能不會引起振蕩或異常振蕩. |
當(dāng)電源啟動時(shí)間過高時(shí),振蕩可能不會開始. |
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9 |
請通過差分阻抗100歐姆設(shè)計(jì)輸出線,并嘗試使輸出線盡可能短.較長的輸出線可能會導(dǎo)致輸出不規(guī)則. |
長輸出線會導(dǎo)致波反射和不規(guī)則輸出. |
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10 |
其他高電平信號線可能導(dǎo)致錯誤操作,因此請勿將高電平信號線靠近此設(shè)備. |
它可能受到信號線噪聲或正常振蕩劑量無法啟動的影響. |
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11 |
我們建議在室溫和常濕下使用和儲存EPSON Crystal,以確保頻率準(zhǔn)確性并防止潮濕. |
在高溫環(huán)境下,老化可能會加速.此外,有源晶振，晶體振蕩器電路可能因結(jié)露而縮短. |
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12 |
不使用OE引腳連接時(shí),請連接到Vcc.我們建議在OE和Vcc之間安裝一個電阻,以減輕浪涌等影響 |
此設(shè)備中的IC可能已損壞. |
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13 |
分配輸出信號時(shí),請使用時(shí)鐘分頻器IC（LVDS扇出緩沖器）. |
分配輸出信號會導(dǎo)致波反射和不規(guī)則輸出. |
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14 |
DUT的表面溫度可能會因自身發(fā)熱而從周圍溫度升高.請確認(rèn)安裝在實(shí)際基板上的DUT會導(dǎo)致溫度升高,因?yàn)樗赡軙虬惭b條件而改變. |
該設(shè)備的溫度高于規(guī)格.可能存在電特性惡化. |
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15 |
建議回流時(shí)間少于2倍.如果該設(shè)備在電路板背面進(jìn)行回流焊接,請仔細(xì)檢查設(shè)備是否正確固定,以防止從卡上脫落. |
晶振晶體頻率可能會因回流熱而改變.當(dāng)器件回流焊接在電路板的背面時(shí),器件可能會脫落. |
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