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NDK晶振,貼片晶振,NX1210AB晶振

頻率：26M~52MHZ

尺寸：1.2x1.0mm

小體積貼片1210mm晶振,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優(yōu)勢,適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.小型,薄型,輕型具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.被廣泛應(yīng)用到,手機藍牙,GPS定位系統(tǒng),無線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性.

訂購熱線：0755-27876565

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日本電波工業(yè)株式NDK晶振會社作為壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器、晶體元器件的專業(yè)生產(chǎn)廠家,以“通過對客戶的服務(wù),為社會繁榮和世界和平作出貢獻”的創(chuàng)業(yè)理念為基礎(chǔ)于1948年成立.現(xiàn)在我們作為提供電子業(yè)必不可少的,在豐富用途被廣泛使用的晶體元器件產(chǎn)品以及應(yīng)用水晶技術(shù)的傳感器等新的高附加價值產(chǎn)品的頻率綜合生產(chǎn)廠家,正以企業(yè)的繼續(xù)成長為目標(biāo)而努力.

日本電波工業(yè)株式NDK晶振經(jīng)營范圍：晶體諧振器、晶體振蕩器等晶體元器件、應(yīng)用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關(guān)產(chǎn)品的制造與銷售.

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NDK晶振,貼片晶振,NX1210AB晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計等）.使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).

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NDK晶振規(guī)格	單位	NX1210AB晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	26MHZ~52MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-30°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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NX1210AB_1.2_1.0

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在使用NDK晶振時應(yīng)注意以下事項：

產(chǎn)品設(shè)計人員在設(shè)計振蕩回路的注意事項

1. 驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明石英晶體振蕩器所需電功率,其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示石英晶振的有效電阻,而且 Re=R1（1+Co/CL）

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2.振蕩補償

除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩.為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻.NDK晶振,貼片晶振,NX1210AB晶振

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3. 負載電容
如果振蕩電路中晶振的負載電容不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示.電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS.
其中CS表示電路的雜散電容.

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YJ-6

深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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NX1210AB晶振 1210石英貼片晶振進口超小尺寸貼片晶振

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