NDK晶振,壓控晶振,NV2520SA晶振
頻率:1.25M~80MHZ
尺寸:2.5x2.0mm
日本電波工業(yè)株式會(huì)社NDK晶振經(jīng)營(yíng)范圍:晶體諧振器、晶體振蕩器等晶體元器件、應(yīng)用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關(guān)產(chǎn)品的制造與銷售
經(jīng)營(yíng)理念:
要認(rèn)識(shí)到作為世界一流廠家的使命和責(zé)任,要始終在行業(yè)中起帶頭作用.
日本電波工業(yè)株式會(huì)社NDK晶振搶先取得社會(huì)需求,為客戶提供高質(zhì)量的服務(wù)與晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振.
NDK晶振集團(tuán)作為“地球內(nèi)企業(yè)”,在保護(hù)地球環(huán)境方面發(fā)揮著領(lǐng)導(dǎo)作用.我們尊重歷史、文化和傳統(tǒng)的多樣性,并致力于“CSR經(jīng)營(yíng)”和“環(huán)境經(jīng)營(yíng)”.為取得社會(huì)的信任,為推動(dòng)環(huán)境負(fù)荷最小化,集團(tuán)還開(kāi)展了各種各樣的活動(dòng).
NDK晶振,壓控晶振,NV2520SA晶振,壓控晶振(VCXO)壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動(dòng),三態(tài)功能,應(yīng)用:SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用,符合RoHS/無(wú)鉛
石英晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高.對(duì)于晶振的條片,長(zhǎng)邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸.
對(duì)于圓片晶振,X、Z 軸較難區(qū)分,所以石英晶振對(duì)精度要求高的產(chǎn)品(如部分定單的 UM-1),會(huì)在 X 軸方向進(jìn)行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠,點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上.保證晶振產(chǎn)品的溫度特性.石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計(jì):石英晶振產(chǎn)品的電極對(duì)于石英晶體元器件來(lái)講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波.第1、2、3項(xiàng)相對(duì)簡(jiǎn)單,第4項(xiàng)的設(shè)計(jì)很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會(huì)導(dǎo)致第4項(xiàng)的變化.特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對(duì)于晶片電極設(shè)計(jì)的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對(duì)晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對(duì)電極的設(shè)計(jì)提出了更精準(zhǔn)的要求.
NDK晶振型號(hào) |
NV2520SA晶振 |
|
輸出頻率范圍 |
1.25~80MHz |
|
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz |
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電源電壓范圍 |
+1.68~+3.5V |
|
電源電壓(Vcc) |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
|
消耗電流 |
+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz)/+2.5mA max.(f≦60MHz) |
|
待機(jī)時(shí)電流 |
-更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn/ |
|
輸出電壓 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
|
輸出負(fù)載 |
10kΩ//10pF |
|
頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-40~+85℃ |
|
電源電壓特性 |
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) |
|
負(fù)載變化特性 |
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) |
|
長(zhǎng)期變化 |
±1.0×10-6 max./year |
|
頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V@VCC≧+2.6V |
頻率控制極性 |
正極性 |
NDK小型VCXO晶振型號(hào)
型名 |
尺寸大小 (mm) |
額定頻率范圍 (MHz) |
輸出規(guī)格 |
頻率 允許 偏差 |
電源 電壓(V) |
工作 溫度范圍(℃) |
消耗 電流(mA) |
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
L | W | H | Min. | Max. | [×10-6] | [VCC] | Min. | Max. | Max. | ||
NV2520SA晶振 | 2.5 | 2.0 | 0.9 | 1.25 | 80 | CMOS | ±50 | +3.3 | -40 | +85 | 11 |
NV3225SA晶振 | 3.2 | 2.5 | 0.9 | 1.25 | 80 | CMOS | ±50 | +3.3 | -40 | +85 | 11 |
在使用NDK晶振時(shí)應(yīng)注意
表面貼裝晶體振蕩器的安裝
(1)振蕩器振動(dòng)后溫度快速變化
安裝在板上當(dāng)安裝板的材料時(shí),用于表面安裝陶瓷晶體振蕩器封裝,有膨脹系數(shù)不同于膨脹系數(shù)陶瓷,焊接的圓角部分可能會(huì)裂開(kāi)環(huán)境重復(fù)和極端溫度變化會(huì)在很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)發(fā)生.在這種情況下,建議事先檢查情況.NDK晶振,壓控晶振,NV2520SA晶振
(2)自動(dòng)安裝引起的沖擊
當(dāng)晶體振蕩器,耐高溫晶振被吸附或吸附時(shí)自動(dòng)安裝或超過(guò)規(guī)定的沖擊安裝在電路板上時(shí)給出的值,這會(huì)導(dǎo)致其特性發(fā)生變化或惡化.
(3)板彎曲應(yīng)力
如果在焊接晶體單元后PC板彎曲對(duì)于PC板,機(jī)械應(yīng)力可能會(huì)導(dǎo)致焊接部分剝落或晶體單元封裝裂紋.
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