村田晶振發(fā)展史：
1973年10月在中國香港成立銷售公司—村田有限公司
1978年11月收購臺灣的生產(chǎn)銷售公司—美國企業(yè)的當(dāng)?shù)胤ㄈ恕窶allory現(xiàn)在的(臺灣村田股份有限公司)]
1994年7月在中國北京成立制造公司—北京村田電子有限公司,主要生產(chǎn)銷售,貼片陶瓷晶振,陶瓷晶體,陶瓷諧振器等
1994年12月在中國江蘇省無錫市成立生產(chǎn)?銷售公司—無錫村田電子有限公司
1995年5月在中國上海成立銷售公司—村田電子貿(mào)易(上海)有限公司
1999年7月在中國深圳成立銷售公司—村田電子貿(mào)易(深圳)有限公司
1999年8月在中國天津成立銷售公司—村田電子貿(mào)易(天津)有限公司,主要生產(chǎn)銷售陶瓷晶振,村田陶瓷諧振器,村田晶振等
2001年7月在中國香港成立制造?銷售公司—香港村田電子有限公司
2005年6月在中國廣東省深圳市成立制造公司—深圳科技有限公司
2005年12月在中國上海成立中華地區(qū)銷售統(tǒng)括公司—村田(中國)投資有限公司
2006年4月 Murata Electronics North America Inc.收購SyChip (在中國有SyChip的上海分公司)
2006年10月在四川大學(xué)、浙江大學(xué)、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、武漢大學(xué)開始實施助學(xué)金制度
2007年3月在村田(中國)投資有限公司增資及設(shè)立了內(nèi)部研發(fā)中心
2007年4月成立了村田(中國)投資有限公司浦東分公司與上海SyChip,共同進行研發(fā)工作
2009年5月在上海村田(中國)投資有限公司新辦公大樓竣工
環(huán)保理念：
從設(shè)計階段開始減少環(huán)保負(fù)荷的體制建設(shè),村田由環(huán)保主管董事?lián)握麄€集團的環(huán)保活動的總負(fù)責(zé)人,由環(huán)保部跨事業(yè)所支持和促進環(huán)?；顒?此外,社長的咨詢機構(gòu)—環(huán)保委員會,還針對各據(jù)點的活動情況和全公司的環(huán)保課題進行議論和探討.此外,為大力推進二氧化碳減排活動,設(shè)立了“防止全球變暖委員會”,加快設(shè)計、開發(fā)和生產(chǎn)過程中CO2減排活動的步伐.
MuRata晶振,貼片晶振,HCR2016晶振,XRCPB25M000F0Z00R0晶振,超小型表貼式貼片晶振,最適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分.小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶體CRYSTAL在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.
| 產(chǎn)品類別 | 水晶單位 |
|---|---|
| 系列 | XRCPB |
| 類型 | HCR2016 |
| 頻率 | 24~48MHz |
| 頻率容差 | 最多+/- 100ppm（25 +/- 3℃） |
| 工作溫度范圍 | -40℃至105℃ |
| 溫度變化 | 最多+/- 100ppm |
| 頻率老化 | +/- 5ppm最大/年 |
| 等效串聯(lián)電阻（ESR） | 最大150ohm |
| 驅(qū)動電平（DL） | 150μW（最大300μW） |
| 負(fù)載電容（Cs） | 為6.0pF |
| 形狀 | SMD |
| 洗 | 無法使用 |
| 長x寬（大小） | 2.0x1.6mm |
| 品名 | 型號 | 頻率 | 頻率公差 | 其他用途 |
| XRCGB25M000F0L00R0 | HCR2016 | 25.0000MHz | ±100ppm max. (25±3℃) | 消費級 |
| XRCGB25M000F0Z00R0 | HCR2016 | 25.0000MHz | ±100ppm max. (25±3℃) | 工業(yè)級 |
| XRCGB25M000F1H00R0 | HCR2016 | 25.0000MHz | ±10ppm max. (25±3℃) | 消費級 |
| XRCGB25M000F1H01R0 | HCR2016 | 25.0000MHz | ±10ppm max. (25±3℃) | 消費級 |
| XRCGB25M000F1H02R0 | HCR2016 | 25.0000MHz | ±10ppm max. (25±3℃) | 消費級 |
| XRCGB25M000F1H03R0 | HCR2016 | 25.0000MHz | ±10ppm max. (25±3℃) | 消費級 |
| XRCGB25M000F2P00R0 | HCR2016 | 25.0000MHz | ±20ppm max. (25±3℃) | 消費級 |
| XRCGB25M000F2P01R0 | HCR2016 | 25.0000MHz | ±20ppm max. (25±3℃) | 消費級 |
| XRCGB25M000F2P02R0 | HCR2016 | 25.0000MHz | ±20ppm max. (25±3℃) | 消費級 |
| XRCGB25M000F3M00R0 | HCR2016 | 25.0000MHz | ±30ppm max. (25±3℃) | 消費級 |
| XRCGB25M000F3M01R0 | HCR2016 | 25.0000MHz | ±30ppm max. (25±3℃) | 消費級 |
| XRCGB25M000F3M02R0 | HCR2016 | 25.0000MHz | ±30ppm max. (25±3℃) | 消費級 |
| XRCGB25M000F3M04R0 | HCR2016 | 25.0000MHz | ±30ppm max. (25±3℃) | 消費級 |
| XRCGB25M000F3M18R0 | HCR2016 | 25.0000MHz | ±30ppm max. (25±3℃) | 消費級 |
| XRCGB25M000F3N00R0 | HCR2016 | 25.0000MHz | ±30ppm max. (25±3℃) | 消費級 |
| XRCGB25M000FAN00R0 | HCR2016 | 25.0000MHz | ±25ppm max. (25±3℃) | 消費級 |
| XRCGB25M000FAN12R0 | HCR2016 | 25.0000MHz | ±25ppm max. (25±3℃) | 消費級 |
| XRCPB25M000F0L00R0 | HCR2016 | 25.0000MHz | ±100ppm max. (25±3℃) | 消費級 |
| XRCPB25M000F0Z00R0 | HCR2016 | 25.0000MHz | ±100ppm max. (25±3℃) | 工業(yè)級 |
| XRCPB25M000F2P00R0 | HCR2016 | 25.0000MHz | ±20ppm max. (25±3℃) | 消費級 |
| XRCPB25M000F3M00R0 | HCR2016 | 25.0000MHz | ±30ppm max. (25±3℃) | 消費級 |
| XRCPB25M000F3N00R0 | HCR2016 | 25.0000MHz | ±30ppm max. (25±3℃) | 消費級 |
| XRCPB25M000FAN00R0 | HCR2016 | 25.0000MHz | ±25ppm max. (25±3℃) | 消費級 |
| 系列 | 型號 | 尺寸 (mm)* | 頻率 | 備考 |
|---|---|---|---|---|
XRCTD
XRCED
|
MCR1210 |
1.2×1.0×0.30 1.2×1.0×0.33 |
32～52MHz |
金屬封裝 小型無線通信設(shè)備 小型民生機器 |
XRCFD
XRCMD
|
MCR1612 |
1.6×1.2×0.35 1.6×1.2×0.33 |
24～29.99MHz 30～48MHz |
|
XRCGB
|
HCR2016 |
2.0×1.6×0.7 |
16～50MHz |
樹脂封裝 無線通信設(shè)備 民生機器 |
|
XRCPB
|
HCR2016 |
2.0×1.6×0.5 |
24～48MHz |
|
XRCHA
|
HCR2520 |
2.5×2.0×0.8 |
16～20MHz |
在使用村田晶振時應(yīng)注意以下事項:
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.
3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
4：粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）
5：鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.MuRata晶振,貼片晶振,HCR2016晶振,XRCPB25M000F0Z00R0晶振
6：靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.
