日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢水晶元器件(蘇州)有限公司】愛普生拓優(yōu)科夢(Epson Toyocom)是精工愛普生株式會社與愛普生(中國)有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司(外商合資).
愛普生株式會社EPSON晶振愛普生拓優(yōu)科夢,(EPSON — YOCOM)1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電石英晶體, 晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO晶振）.1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).
愛普生株式會社EPSON晶振通過追求以QMEMS 技術(shù)為核心的“省、小、精”技術(shù),來推動具有領(lǐng)先性的環(huán)?；顒?/span>,把降低 環(huán)境負(fù)荷作為一種顧客價(jià)值提供給顧客.
創(chuàng)造并提供專研了“省、小、精”的32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等水晶元器件及其關(guān)聯(lián)產(chǎn)品；并且構(gòu)筑和革新既可以降低 環(huán)境負(fù)荷又可以提高生產(chǎn)性的生產(chǎn)流程的活動.
愛普生株式會社EPSON石英晶振不僅遵守與環(huán)保相關(guān)的法規(guī)、條例及其他本公司贊同的要求事項(xiàng),也根據(jù)需要自主性的制定基 準(zhǔn),通過持續(xù)性的展開環(huán)?；顒觼眍A(yù)防污染.
在設(shè)定環(huán)保目的與目標(biāo)展開活動的同時(shí),定期重審環(huán)境管理體系,努力提高環(huán)?；顒拥乃?/span>.
愛普生株式會社通過與地區(qū)的交流及社會貢獻(xiàn)活動,為地區(qū)的環(huán)保做貢獻(xiàn).
將環(huán)保活動的信息向公司內(nèi)外公開,積極努力的與地區(qū)社會及相關(guān)人員建立信賴關(guān)系,為社會的發(fā)展做出貢獻(xiàn).
通過此方針的公文化,在向公司員工及從事本事業(yè)領(lǐng)域業(yè)務(wù)的所有相關(guān)人員徹底傳達(dá)的同時(shí), 也向公司外部公開.
愛普生晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動的質(zhì)量.
愛普生晶振集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).
精工愛普生晶振集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等.
EPSON晶振,VCXO晶振,差分晶振.VG5032VFN晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
相位噪聲和抖動是對同一種現(xiàn)象的兩種不同的定量方式,是對短期穩(wěn)定度的真實(shí)度量.石英晶體振蕩器以及其它利用基波或諧波方式的晶體振蕩器具有最好的相位噪聲性能.采用鎖相環(huán)合成器產(chǎn)生輸出頻率的石英晶體振蕩器比采用非鎖相環(huán)技術(shù)的振蕩器一般呈現(xiàn)較差的相位噪聲性能.但相對的,擁有好的相位噪聲和抖動的同時(shí)振蕩器的設(shè)計(jì)復(fù)雜,體積大,頻率低,造價(jià)高.實(shí)際上相位噪聲和抖動是短期頻率穩(wěn)定度的度量,所以一般越高端的晶振,即頻穩(wěn)越好的晶振,這些指標(biāo)也相應(yīng)越好.
1.、牽引范圍（VCXO）：是針對VCXO壓控晶振的參數(shù).
帶有壓控功能的晶振為（VCXO）,即通過調(diào)節(jié)控制電壓改變輸出頻率.牽引范圍為變化頻率(增大或減少)與中心頻率的比值.此值一般用ppm表示.通常牽引范圍大約為100 - 200ppm,取決于VCXO壓控晶振的結(jié)構(gòu)和所選擇的晶體.
2.、封裝：
與其它電子元件相似,石英晶體振蕩器亦采用愈來愈小型的封裝.通常,較小型的器件比較大型的表面貼裝或穿孔封裝器件更昂貴.所以,小型封裝的石英晶振往往要在性能、輸出選擇和頻率選擇之間作出折衷.我們的石英晶體振蕩器有插件晶振(DIP)、貼片晶振(SMD)封裝,插件晶振如長方形的DIP14封裝,正方形的DIP8插件晶振封裝等,貼片晶振有7.0*5.0mm貼片晶振、6.0*3.5mm貼片晶振,5.0*3.2mm貼片晶振,3.2*2.5mm貼片晶振,2.5*2.0mm貼片晶振等封裝.
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愛普生晶振型號 |
VG5032VFN晶振 |
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輸出頻率范圍 |
100M~250MHz |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz |
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電源電壓范圍 |
+0.165~+3.3V |
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電源電壓（Vcc） |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗電流 |
+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz） |
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待機(jī)時(shí)電流 |
-更多晶振參數(shù)信息請聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn/ |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
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輸出負(fù)載 |
10kΩ//10pF |
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頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6max.（After 2 reflows） |
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溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6max./-30~+85℃ |
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電源電壓特性 |
±0.2×10-6max.（VCC±5%） |
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負(fù)載變化特性 |
±0.2×10-6max.（10kΩ//10pF±10%） |
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長期變化 |
±1.0×10-6max./year |
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頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V |
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頻率控制極性 |
正極性 |
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在使用EPSON晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng)
如何正確的使用有源晶振
電處理：
將電源連接到有源晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振,假如損壞那將不會工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會不起振,或者起不到最佳精度.EPSON晶振,VCXO晶振,差分晶振.VG5032VFN晶振
有源晶振的負(fù)載電容與阻抗
負(fù)載電容與阻抗有源晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時(shí),指定的值這可能會導(dǎo)致問題例如：失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測量儀器的負(fù)載阻抗愛普生石英晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測量儀器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.
NDK晶振,壓控晶振,NV2520SA晶振
NDK晶振,VCXO晶振,NV7050SA晶振,進(jìn)口有源壓控振蕩器
CTS晶振,壓控晶體振蕩器,317晶振,317LB3I1000T晶振
TXC晶振,壓控晶體振蕩器,7H晶振,6腳VCXO晶體振蕩器
TXC晶振,壓控晶振,DR晶振,高頻電壓控制晶振