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首頁(yè) 百利通亞陶晶振

US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃

US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃,臺(tái)灣石英晶振,4墊US系列接縫密封裝置包含一個(gè)超微型at切割晶體諧振器,封裝在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的1.6 x 1.2mm陶瓷封裝中。這些緊湊的晶體是理想的表面安裝在密集的人口或小的形狀因子PCB應(yīng)用。堅(jiān)固的AT-cut晶體結(jié)構(gòu)微型1.6 x 1.2mm陶瓷包裝,可在膠帶和卷;8mm帶,3000單位每卷無(wú)pb和RoHS/綠色兼容,智能手機(jī),便攜式/手持式電腦,PCMCIA卡,筆記本電腦,藍(lán)牙,無(wú)線局域網(wǎng),SIPRF-SIM,,別針驅(qū)動(dòng)器,SD模塊

產(chǎn)品詳情

BLT-2

yijin-1

US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃,臺(tái)灣石英晶振,4墊US系列接縫密封裝置包含一個(gè)超微型at切割晶體諧振器,封裝在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的1.6 x 1.2mm陶瓷封裝中。這些緊湊的晶體是理想的表面安裝在密集的人口或小的形狀因子PCB應(yīng)用。堅(jiān)固的AT-cut晶體結(jié)構(gòu)微型1.6 x 1.2mm陶瓷包裝,可在膠帶和卷;8mm帶,3000單位每卷無(wú)pb和RoHS/綠色兼容,智能手機(jī),便攜式/手持式電腦,PCMCIA卡,筆記本電腦,藍(lán)牙,無(wú)線局域網(wǎng),,SIPRF-SIM,別針驅(qū)動(dòng)器,SD模塊

yijin-2

US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃

亞陶晶振規(guī)格

單位

US晶振頻率

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

40MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-40°C +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-20°C +70°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6 ±50 × 10-6可用)

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

10PF

超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們.

yijin-3

US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃

US 1612

US

Diodes零件編號(hào) 制造商 系列 類(lèi)型 頻率 頻率穩(wěn)定性 頻率容差 負(fù)載電容
US3200005Z Diodes晶振 US MHz 晶體 32 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF
US3840005Z Diodes晶振 US MHz 晶體 38.4 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF
US2500002Z Diodes晶振 US MHz 晶體 25 MHz ±50ppm ±30ppm 20pF
US3200003 Diodes晶振 US MHz 晶體 32 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF
US2600008Z Diodes晶振 US MHz 晶體 26 MHz ±15ppm ±10ppm 9pF
US2400015 Diodes晶振 US MHz 晶體 24 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF
US2500007 Diodes晶振 US MHz 晶體 25 MHz ±10ppm ±10ppm 7pF
US3200013 Diodes晶振 US MHz 晶體 32 MHz - - -
US3200023 Diodes晶振 US MHz 晶體 32 MHz ±12ppm ±10ppm 9pF
US3200025 Diodes晶振 US MHz 晶體 32 MHz ±20ppm ±10ppm 6pF
US3840012 Diodes晶振 US MHz 晶體 38.4 MHz ±12ppm ±10ppm 7pF
US4800007 Diodes晶振 US MHz 晶體 48 MHz - - -
US2450001 Diodes晶振 US MHz 晶體 24.576 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF
US2600015 Diodes晶振 US MHz 晶體 - - - -
US2600019 Diodes晶振 US MHz 晶體 26 MHz ±10ppm ±10ppm 9pF
US3200001 Diodes晶振 US MHz 晶體 32 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF
US3840004 Diodes晶振 US MHz 晶體 38.4 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF
US3840005 Diodes晶振 US MHz 晶體 38.4 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF
US4000004 Diodes晶振 US MHz 晶體 40 MHz ±20ppm ±10ppm 10pF
F60800011 Diodes晶振 F6 MHz 晶體 8 MHz ±30ppm ±30ppm 20pF
F61200041 Diodes晶振 F6 MHz 晶體 12 MHz ±20ppm ±20ppm 20pF
F62500053 Diodes晶振 F6 MHz 晶體 25 MHz ±30ppm ±30ppm 10pF

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