愛普生株式會(huì)社EPSON晶振愛普生拓優(yōu)科夢(mèng),(EPSON—TOYOCOM)1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電石英晶體,晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）.1996年2月在中國(guó)蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).
日本精工愛普生接受了中國(guó)蘇州政府2007年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)水晶元器件(蘇州)有限公司】愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)(Epson Toyocom)是精工愛普生株式會(huì)社與愛普生(中國(guó))有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司(外商合資).
愛普生已經(jīng)建立了一個(gè)原始的垂直整合制造模型的最佳手段持續(xù)為客戶創(chuàng)造新的價(jià)值,并決定使用這個(gè)模型來驅(qū)動(dòng)前面提到的四個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新.這意味著從頭開始創(chuàng)建產(chǎn)品:創(chuàng)建我們自己的獨(dú)特的核心技術(shù)和設(shè)備,使用這些作為基地的規(guī)劃和設(shè)計(jì)提供獨(dú)特價(jià)值的產(chǎn)品,生產(chǎn)或制造的藝術(shù)和科學(xué),我們積累了多年的專業(yè)知識(shí),然后生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振等出售給我們的客戶.
愛普生晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的質(zhì)量.
愛普生晶振集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).
精工愛普生晶振集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等.
EPSON晶振盡可能的采用無害的原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物.集團(tuán)公司同時(shí)將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用.
愛普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CG晶振,X1G003851A05800晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
石英晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高.對(duì)于晶振的條片,長(zhǎng)邊為X軸,短邊為Z軸,面為Y軸.
對(duì)于圓片晶振,X、Z軸較難區(qū)分,所以石英晶振對(duì)精度要求高的產(chǎn)品（如部分定單的UM-1）,會(huì)在X軸方向進(jìn)行拉弦（切掉一小部分）,以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠,點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在Z軸上.保證晶振產(chǎn)品的溫度特性.石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計(jì)：石英晶振產(chǎn)品的電極對(duì)于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率；2.往外界引出電極；3.改變電阻；4.抑制雜波.第1、2、3項(xiàng)相對(duì)簡(jiǎn)單,第4項(xiàng)的設(shè)計(jì)很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會(huì)導(dǎo)致第4項(xiàng)的變化.特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對(duì)于晶片電極設(shè)計(jì)的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對(duì)晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對(duì)電極的設(shè)計(jì)提出了更精準(zhǔn)的要求.
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愛普生晶振型號(hào) |
TG-5035CG晶振 |
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輸出頻率范圍 |
13M~53MHZ |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz |
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電源電壓范圍 |
+1.68~+3.5V |
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電源電壓（Vcc） |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗電流 |
+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz） |
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待機(jī)時(shí)電流 |
-更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
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輸出負(fù)載 |
10kΩ//10pF |
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頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6max.（After 2 reflows） |
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溫度特性 |
±0.5×10-6,±2.5×10-6max./-30~+85℃ |
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電源電壓特性 |
±0.2×10-6max.（VCC±5%） |
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負(fù)載變化特性 |
±0.2×10-6max.（10kΩ//10pF±10%） |
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長(zhǎng)期變化 |
±1.0×10-6max./year |
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頻率控制 |
控制靈敏度 |
- |
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頻率控制極性 |
- |
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啟動(dòng)時(shí)間 |
2.0ms max. |
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愛普生晶振編碼
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Model |
編碼 |
Frequency |
LxWxH |
Output Wave |
Supply Voltage |
F.Tol@25°C |
Ope Temperature |
Freq/Temp |
I [Max] |
Freq. Control |
25°C Aging |
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TG-5035CJ |
X1G003841002900 |
16.368000 MHz |
2.00 x 1.60 x 0.73 mm |
Clipped sine wave |
1.700 to 3.300 V |
+/-2.0 ppm |
-30 to +85°C |
+/-0.50 ppm |
≤1.5 mA |
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+/-1ppm |
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TG-5035CJ |
X1G003841003000 |
24.000000 MHz |
2.00 x 1.60 x 0.73 mm |
Clipped sine wave |
2.600 to 3.000 V |
+/-2.0 ppm |
-40 to +85°C |
+/-0.50 ppm |
≤1.5 mA |
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+/-1ppm |
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TG-5035CJ |
X1G003841003300 |
16.369000 MHz |
2.00 x 1.60 x 0.73 mm |
Clipped sine wave |
1.700 to 1.900 V |
+/-2.0 ppm |
-40 to +85°C |
+/-0.50 ppm |
≤1.5 mA |
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+/-1ppm |
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TG-5035CJ |
X1G003841003400 |
26.000000 MHz |
2.00 x 1.60 x 0.73 mm |
Clipped sine wave |
1.700 to 3.300 V |
+/-2.0 ppm |
-40 to +85°C |
+/-0.50 ppm |
≤1.5 mA |
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+/-1ppm |
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TG-5035CJ |
X1G003841004000 |
24.000000 MHz |
2.00 x 1.60 x 0.73 mm |
Clipped sine wave |
2.600 to 3.000 V |
+/-2.0 ppm |
-40 to +85°C |
+/-0.50 ppm |
≤1.5 mA |
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+/-1ppm |
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TG-5035CJ |
X1G003841004800 |
16.368000 MHz |
2.00 x 1.60 x 0.73 mm |
Clipped sine wave |
1.700 to 3.300 V |
+/-2.0 ppm |
-40 to +85°C |
+/-0.50 ppm |
≤1.5 mA |
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+/-1ppm |
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TG-5035CJ |
X1G003841005200 |
26.000000 MHz |
2.00 x 1.60 x 0.73 mm |
Clipped sine wave |
1.700 to 1.900 V |
+/-1.5 ppm |
-40 to +85°C |
+/-0.50 ppm |
≤1.3 mA |
+/- 5.7 to +/- 10 Vc = 0.9V +/- 0.6V |
+/-1ppm |
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TG-5035CJ |
X1G003841005400 |
16.367667 MHz |
2.00 x 1.60 x 0.73 mm |
Clipped sine wave |
1.700 to 3.300 V |
+/-2.0 ppm |
-40 to +85°C |
+/-0.50 ppm |
≤1.5 mA |
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+/-1ppm |
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TG-5035CG |
X1G003851001400 |
16.369000 MHz |
2.50 x 2.00 x 0.80 mm |
Clipped sine wave |
1.700 to 1.900 V |
+/-2.0 ppm |
-30 to +85°C |
+/-0.50 ppm |
≤1.5 mA |
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+/-1ppm |
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TG-5035CG |
X1G003851001600 |
16.368000 MHz |
2.50 x 2.00 x 0.80 mm |
Clipped sine wave |
2.660 to 2.940 V |
+/-2.0 ppm |
-30 to +85°C |
+/-0.50 ppm |
≤1.5 mA |
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+/-1ppm |
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TG-5035CG |
X1G003851003900 |
32.000000 MHz |
2.50 x 2.00 x 0.80 mm |
Clipped sine wave |
1.700 to 3.300 V |
+/-1.0 ppm |
-10 to +55°C |
+/-0.50 ppm |
≤2.0 mA |
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+/-6ppm |
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TG-5035CG |
X1G003851004200 |
40.000000 MHz |
2.50 x 2.00 x 0.80 mm |
Clipped sine wave |
1.700 to 3.300 V |
+/-2.0 ppm |
-40 to +85°C |
+/-0.50 ppm |
≤2.0 mA |
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+/-1ppm |
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TG-5035CG |
X1G003851004300 |
38.400000 MHz |
2.50 x 2.00 x 0.80 mm |
Clipped sine wave |
1.700 to 1.900 V |
+/-1.5 ppm |
-30 to +85°C |
+/-0.50 ppm |
≤1.8 mA |
+/- 5 to +/- 12 Vc = 0.9V +/- 0.6V |
+/-1ppm |
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TG-5035CG |
X1G003851004900 |
16.369000 MHz |
2.50 x 2.00 x 0.80 mm |
Clipped sine wave |
1.700 to 3.300 V |
+/-2.0 ppm |
-40 to +85°C |
+/-0.50 ppm |
≤1.5 mA |
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+/-1ppm |
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TG-5035CG |
X1G003851005100 |
33.600000 MHz |
2.50 x 2.00 x 0.80 mm |
Clipped sine wave |
1.700 to 3.300 V |
+/-1.0 ppm |
-30 to +85°C |
+/-0.50 ppm |
≤1.5 mA |
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+/-1ppm |
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TG-5035CG |
X1G003851007700 |
24.000000 MHz |
2.50 x 2.00 x 0.80 mm |
Clipped sine wave |
1.700 to 3.600 V |
+/-2.0 ppm |
-40 to +85°C |
+/-0.50 ppm |
≤1.2 mA |
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+/-1ppm |
在使用愛普生晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng)
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長(zhǎng)時(shí)間的照射.
3：化學(xué)制劑/ pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4：粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）
5：鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.愛普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CG晶振,X1G003851A05800晶振
6：靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.
KDS晶振,石英晶體振蕩器,DSA321SCA晶振
愛普生晶振,石英晶體振蕩器,EG-2021CA晶振,EG-2021CA 125.0000M-CGPNB
NDK晶振,有源晶振,NT2520SC晶振,2520溫補(bǔ)晶振