1973年10月在中國(guó)香港成立銷(xiāo)售公司—村田有限公司

1978年11月收購(gòu)臺(tái)灣的生產(chǎn)銷(xiāo)售公司—美國(guó)企業(yè)的當(dāng)?shù)胤ㄈ恕?/span>Mallory 現(xiàn)在的(臺(tái)灣村田股份有限公司)]

1994年7月在中國(guó)北京成立制造公司—北京村田電子有限公司,主要生產(chǎn)銷(xiāo)售,貼片陶瓷晶振,陶瓷晶體,陶瓷諧振器等

1994年12月在中國(guó)江蘇省無(wú)錫市成立生產(chǎn)?銷(xiāo)售公司—無(wú)錫村田電子有限公司

1995年5月在中國(guó)上海成立銷(xiāo)售公司—村田電子貿(mào)易(上海)有限公司

1999年7月在中國(guó)深圳成立銷(xiāo)售公司—村田電子貿(mào)易(深圳)有限公司

1999年8月在中國(guó)天津成立銷(xiāo)售公司—村田電子貿(mào)易(天津)有限公司,主要生產(chǎn)銷(xiāo)售陶瓷晶振,村田陶瓷諧振器,村田晶振等

2001年7月在中國(guó)香港成立制造?銷(xiāo)售公司—香港村田電子有限公司

2005年6月在中國(guó)廣東省深圳市成立制造公司—深圳科技有限公司

2005年12月在中國(guó)上海成立中華地區(qū)銷(xiāo)售統(tǒng)括公司—村田(中國(guó))投資有限公司

2006年4月 Murata Electronics North America Inc.收購(gòu) SyChip (在中國(guó)有SyChip的上海分公司)

2006年10月在四川大學(xué)、浙江大學(xué)、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)、武漢大學(xué)開(kāi)始實(shí)施助學(xué)金制度

2007年3月在村田(中國(guó))投資有限公司增資及設(shè)立了內(nèi)部研發(fā)中心

2007年4月成立了村田(中國(guó))投資有限公司浦東分公司與上海SyChip,共同進(jìn)行研發(fā)工作

2009年5月在上海村田(中國(guó))投資有限公司新辦公大樓竣工

村田晶振,貼片晶振,TAS-2520F晶振,XRCHH52M000F1QA2P0晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm,2016mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線(xiàn)通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本WLAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）.使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).

村田小體積貼片晶振型號(hào)列表

村田晶振系列	型號(hào)	尺寸 (mm)*	頻率	應(yīng)用
XRCTD XRCED	MCR1210晶振	1.2×1.0×0.30 1.2×1.0×0.33	32～52MHz	金屬封裝 小型無(wú)線(xiàn)通信設(shè)備 小型民生機(jī)器
XRCFD XRCMD	MCR1612晶振	1.6×1.2×0.35 1.6×1.2×0.33	24～29.99MHz 30～48MHz
XRCGB	HCR2016晶振	2.0×1.6×0.7	16～50MHz	樹(shù)脂封裝 無(wú)線(xiàn)通信設(shè)備 民生機(jī)器
XRCPB	HCR2016晶振	2.0×1.6×0.5	24～48MHz
XRCHA	HCR2520晶振	2.5×2.0×0.8	16～20MHz

在使用村田晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

1：抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.

2：輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射.

3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.

4：粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

5：鹵化合物

請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂.村田晶振,貼片晶振,TAS-2520F晶振,XRCHH52M000F1QA2P0晶振

6：靜電

過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.