在十年的時間里希華晶體科技刻苦專研,開發(fā)大量新產(chǎn)品,正式從原始普通石英晶體諧振器,慢慢的步入SMD晶體,有源貼片晶振領域,并且成功在1998年回到祖國的懷抱,到了沒了的中國廣東省東莞市投資建廠, 主要生產(chǎn)SMD晶振系列,剛開始以有源5070mm石英晶體振蕩器為主.后在慢慢的開始量產(chǎn)常規(guī)石英晶體諧振器,后以小尺寸3225mm,2520mm尺寸為主.
希華晶振晶體科技有限公司成立于1988年,希華正式成立,資本額為1,500萬元整,開始以普通石英頻率控制元件之研發(fā)、設計、生產(chǎn)與銷售.從人工晶棒長成到最終產(chǎn)品,透過最佳團隊組合及先進之生產(chǎn)技術,建立完整的產(chǎn)品線,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶體、石英晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補償型(TCXO晶振)及電壓控制型(VCXO晶振)產(chǎn)品等,以健全的供應煉系統(tǒng),為客戶提供全方位的服務.
導入先進微機電制程創(chuàng)新研發(fā)技術
希華晶振晶體科技有限公司敏銳地掌握電子產(chǎn)品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發(fā)展主流,致力于開發(fā)小型化、高頻與光電領域,石英晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器,無源晶振等產(chǎn)品,與日本同業(yè)并駕齊驅.且深耕微機電(MEMS)技術領域,加速導入TF SMD Crystal的量產(chǎn),藉以擴大公司營收規(guī)模并且提升獲利空間.
希華晶振晶體科技有限公司藉由臺灣、日本、大陸三地的產(chǎn)品設計開發(fā)與制程資源整合,不斷開發(fā)創(chuàng)新及制程改造,以全系列完整產(chǎn)品線,來滿足客戶對石英元件多樣化的需求.積極地透過產(chǎn)學合作與配合國外技術引進開發(fā)新產(chǎn)品,多角化經(jīng)營、擴大市場領域,此亦為公司得以永續(xù)經(jīng)營的方針.
希華晶振,石英晶振,SX-7050晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
貼片晶振晶片邊緣處理技術：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.
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希華晶振規(guī)格 |
單位 |
SX-7050晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
6MHZ~100MHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ～ +90°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C ～ +60°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負載電容 |
CL |
16PF,20PF,30PF |
超出標準說明,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用希華晶振時應注意以下事項:
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：
鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組. （請參閱芯片組的規(guī)格）
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.
一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負電阻,其值應是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負電阻（-R）以下說明：
線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)
（2）從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值.
（3）振蕩期間測量R的值.
（4）你將能夠獲得負電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.希華晶振,石英晶振,SX-7050晶振
如果石英晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況：
降低外部電容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有較低負載電容（CL）.
采用具有較低電阻（RR）的晶振.
使用光盤和CG的不等價的設計.我們可以增加鎘（XOUT）的負載電容和降低CG（辛）的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.
當有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅動后端電路.
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯(lián)系億金電子晶振工程師和IC制造商尋求進一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統(tǒng)無法運行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅.
