STATEK晶振公司在1970年開創(chuàng)了石英晶體,時(shí)鐘振蕩器的微小型技術(shù),給頻率控制行業(yè)帶來了革命性的變化.時(shí)至今日Statek公司依舊注重品質(zhì),專注服務(wù)不斷改進(jìn),致力于研發(fā)生產(chǎn)超薄,超小型石英晶振,貼片晶振,石英晶體,有源振蕩器,溫補(bǔ)晶體振蕩器以及傳感器等器件,產(chǎn)品均在美國研發(fā)設(shè)計(jì),制造,檢測.
Statek晶振公司是設(shè)計(jì)和制造高可靠頻率控制產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)者,研發(fā)生產(chǎn)低相位低抖動(dòng)石英晶體振蕩器.以前要實(shí)現(xiàn)卓越的高系統(tǒng)性能需要消耗大量的石英晶體振蕩器,這對于很多應(yīng)用領(lǐng)域而言是筆不小的開銷,因?yàn)榭臻g上和電力方面都比較耗資源.為了實(shí)現(xiàn)客戶低消耗高收益的作業(yè),Statek晶振公司提供了高精度,低噪音,低相位,低功耗,低抖動(dòng)石英晶振,石英晶體振蕩器.
Statek石英晶體振蕩器低消耗低電流只需3.2~2.5mm,頻率范圍從20MHZ~50MHZ可供選擇,電壓范圍在1.8V~3.3V之間,在產(chǎn)品中使用的工作溫度范圍廣-55°C+125°C.并且具有超強(qiáng)的耐沖擊性能,可用于軍工產(chǎn)品,軍事領(lǐng)域.
STATEK晶振公司深入貫徹落實(shí)科學(xué)發(fā)展觀,牢固樹立安全發(fā)展理念,強(qiáng)化責(zé)任,狠抓落實(shí),加強(qiáng)防范,堅(jiān)決遏制重特大事故發(fā)生.
要毫不松懈地抓好安全環(huán)保工作,堅(jiān)持把“環(huán)保優(yōu)先、安全第一、質(zhì)量至上、以人為本”的理念落實(shí)到壓電石英晶體、有源晶體,石英晶振,貼片晶振生產(chǎn)建設(shè)全過程.
美國Statek晶振,石英晶振,SWCX1晶振,小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對應(yīng)8.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振的切割設(shè)計(jì):用不同角度對晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切.其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等.超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì):石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.002mm內(nèi),由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動(dòng),面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng),從而造成如若石英晶振晶片的長度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問題,公司在此方面通過理論與實(shí)踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果.
Statek晶振規(guī)格 |
單位 |
SWCX1晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
6MHZ~250MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用Statek晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng)
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射.
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶體諧振器,石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.美國Statek晶振,石英晶振,SWCX1晶振
6:靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.