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首頁 津綻晶振

津綻晶振,32.768K,NXF 3-8晶振

津綻晶振,32.768K,NXF 3-8晶振津綻晶振,32.768K,NXF 3-8晶振

產(chǎn)品簡介

32.768K系列插件晶體具有一致性良好,頻率穩(wěn)定度高,耐抗震強(qiáng),每批次出廠均采用24小時(shí)老化測試,產(chǎn)品精度分為以下幾種±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根據(jù)客戶需求特殊分為+偏差,或者-偏差,產(chǎn)品使用溫度高溫可達(dá)到+85°低溫可達(dá)到-40℃,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到比較高端的汽車電子產(chǎn)品,民用產(chǎn)品有家用電器,智能筆記本,MP3,MP4多功能播放器,智能手表等產(chǎn)品.

產(chǎn)品詳情

NSK-2

臺(tái)灣津綻NSK晶體科技是專業(yè)的石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振制作商,公司創(chuàng)于臺(tái)灣1996年成立,創(chuàng)建品牌為【NSK1997年在香港成立分公司,1998年在深圳成立分部,2001年到廣東省東莞市投資建廠,主要生產(chǎn)石英晶體諧振器,無源晶振,與石英晶體振蕩器,有源晶振,東冠生產(chǎn)線主要生產(chǎn)小尺寸SMD晶體系列.

臺(tái)灣津綻NSK晶體主要生產(chǎn)產(chǎn)品為全系列石英晶體振蕩子即:石英晶體諧振器,(DIP晶體 SMD 晶體),石英晶體振蕩器 (SMD OSCILLATOR) 和石英晶體控制振蕩器 (SMD晶振 VCXO壓控晶振).

臺(tái)灣津綻NSK晶體科技股份有限公司擁有超過 10 年以上的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),秉持著持續(xù)開發(fā)與專業(yè)技術(shù)支持,提供使用者最佳的解決方案及最好的服務(wù)質(zhì)量.NSK是津綻石英科技股份有限公司于全球的銷售品牌,具有良好競爭性的價(jià)格及靈活快速的交貨管理.

臺(tái)灣津綻NSK晶體的石英水晶振蕩子,陶瓷振動(dòng)子,32.768K,時(shí)鐘晶體,壓電石英晶體產(chǎn)品被廣泛地運(yùn)用在個(gè)人計(jì)算器、安全系統(tǒng)、通訊、無線應(yīng)用、遙控單元和消費(fèi)性電子產(chǎn)品等,并已陸續(xù)獲得國內(nèi)外計(jì)算機(jī)及通訊大廠認(rèn)可及使用.

NSK已獲得ISO 9001 / ISO 14001的質(zhì)量和環(huán)保認(rèn)證,產(chǎn)品并通過及符合RoHS規(guī)范的要求,且確實(shí)配合客戶實(shí)現(xiàn)無毒產(chǎn)品的要求,以創(chuàng)造及維護(hù)美好環(huán)境為己任.

津綻晶振公司是世界領(lǐng)先的頻率控制組件制造商:石英晶體、晶體振蕩器、壓控晶體振蕩器的主要和關(guān)鍵的電子產(chǎn)品的一部分.津綻為客戶提供高質(zhì)量的晶體組件在電子產(chǎn)品的廣泛使用,例如,無線、電信、網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算機(jī)及外圍設(shè)備、GSM等通信設(shè)備.津綻一直支持臺(tái)灣與國際客戶提供質(zhì)量晶體超過10.

yijin-1津綻晶振,32.768K,NXF 3-8晶振,插件32.768K系列為滿足市場不同產(chǎn)品對精度的要求,通常情況下分為±5PPM、±10PPM、±20PPM,如果有其他特殊要求的客戶也可以分為在精度上分為正偏差以及負(fù)偏差.音叉型表晶32.768K晶振在產(chǎn)品中使用溫度范圍可以達(dá)到—40°到+70°的寬溫要求.插件32.768K系列主要使用于較為高端大氣上檔次的汽車電子、智能家用電器、筆記本、插卡音響、智能手表、以及數(shù)碼相機(jī)等產(chǎn)品中.

石英晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40-85)晶振切割角度比窄溫(-10-70)切割角度應(yīng)略高.對于晶振的條片,長邊為 X ,短邊為 Z ,面為 Y .

對于圓片晶振,X、Z 軸較難區(qū)分,所以石英晶振對精度要求高的產(chǎn)品(如部分定單的 UM-1,會(huì)在 X 軸方向進(jìn)行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠,點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上.保證晶振產(chǎn)品的溫度特性.石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計(jì):石英晶振產(chǎn)品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波.1、23項(xiàng)相對簡單,4項(xiàng)的設(shè)計(jì)很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會(huì)導(dǎo)致第4項(xiàng)的變化.特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設(shè)計(jì)的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對電極的設(shè)計(jì)提出了更精準(zhǔn)的要求.

yijin-2

NSK晶振規(guī)格

單位

NXF 3-8晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

32.768KHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-20°C +70°C

裸存

工作溫度

T_use

-10°C +60°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6
±50 × 10-6可用)

+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

12.5pF

超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

yijin-3

NXF 3-8 DIP

yijin-4

在使用NSK晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

安裝時(shí)的注意事項(xiàng)導(dǎo)腳型晶振• 構(gòu)造圓柱型晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (參閱圖 1 和圖 2).
cjaz1

修改插件晶振彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時(shí),以及要取出晶振等情況下不能強(qiáng)制拔出導(dǎo)腳,如果強(qiáng)制地拔出導(dǎo)腳,會(huì)引起玻璃的破裂,而導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度的下降,有可能促使晶振特性的惡化以及晶振芯片的破損(參閱圖 3).(2) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時(shí),要壓住外殼基側(cè)的導(dǎo)腳,且從上下方壓住彎曲的部位,再進(jìn)行修改(參閱圖 4).

cjaz2

彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 將導(dǎo)腳彎曲之后并進(jìn)行焊接時(shí),導(dǎo)腳上要留下離外殼0.5mm的直線部位.如果不留出導(dǎo)腳的直線部位而將導(dǎo)腳彎曲,有可能導(dǎo)致玻璃的破碎 (參閱圖5 和圖6).(2) 在導(dǎo)腳焊接完畢之后再將導(dǎo)腳彎曲時(shí),務(wù)必請留出大于外殼直徑長度的空閑部分 (參閱圖7).臺(tái)灣津綻晶振,32.768K,NXF 3-8晶振

cjaz3

如果直接在外殼部位焊接,會(huì)導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度的下降,使晶振特性惡化以及晶振芯片的破損.應(yīng)注意將晶振平放時(shí),不要使之與導(dǎo)腳相碰撞,請放長從外殼部位到線路板為止的導(dǎo)腳長度 (L) ,并使之大于外殼的直徑長度(D).
焊接方法焊接部位僅局限于導(dǎo)腳離開玻璃纖部位 1.0mm 以上的部位,并且請不要對外殼進(jìn)行焊接.另外,如果利用高溫或長時(shí)間對導(dǎo)腳部位進(jìn)行加熱,會(huì)導(dǎo)致晶振特性的惡化以及晶振的破損.因此,請注意對導(dǎo)腳部位的加熱溫度要控制在 300°C 以下,且加熱時(shí)間要控制在5秒以內(nèi) (外殼的部位的加熱溫度要控制在150°C以下).

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