NDK晶振日本電波工業(yè)株式會社的發(fā)展歷史：
1948 年在東京都中央?yún)^(qū)日本橋設(shè)立南部商工株式會社生產(chǎn)銷售32.768K,時鐘晶體,壓電石英晶體,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振等元器件.
1949 年開始晶體諧振器,晶體振蕩器,有源晶振的制造、銷售
1950 年 NDK晶振公司名變更為日本電波工業(yè)株式會社
總公司遷移登記至東京都涉谷區(qū)大山町
1954 年建設(shè)、遷移總公司及工廠至東京都涉谷區(qū)代代木新町（現(xiàn)為 涉谷區(qū)西原）
1959 年日本電波工業(yè)株式NDK晶振會社開始晶體濾波器,晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器的制造
1960 年開始晶體振蕩器,貼片晶振,聲表面濾波器,陶瓷霧化片,石英晶體諧振器,石英晶體的制造
1962 年日本電波工業(yè)株式NDK晶振會社著手在崎玉縣狹山市建立新工廠（現(xiàn)為 狹山事業(yè)所）
1963 年在狹山事業(yè)所建成人工水晶工廠、開始人工水晶的制造
在狹山事業(yè)所建成水晶切斷工廠,在日本證券業(yè)協(xié)會進行店面登記
1964 年在狹山事業(yè)所建成組裝工廠
在大阪府大阪市設(shè)立大阪辦事處
1970 年在新瀉縣新瀉市建立Hawk Denshi株式會社（現(xiàn)為 新瀉NDK）
1975 年日本電波工業(yè)株式NDK晶振會社在美國加利福尼亞州設(shè)立美國辦事處
1976 年在宮城縣古川市（現(xiàn)為 大崎市）建立古川NDK株式會社
1979 年在馬來西亞建立Asian NDK Crystal Sdn. Bhd.生產(chǎn)銷售32.768K,時鐘晶體,壓電石英晶體,壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等
日本電波工業(yè)株式NDK晶振會社為取得更大發(fā)展而解散美國辦事處,設(shè)立NDK America, Inc.
1985 年日本電波工業(yè)株式會社NDK晶振在狹山事業(yè)所主樓竣工
1986 年在愛知縣岡崎市設(shè)立中部營業(yè)所
在馬來西亞建立Malaysian Quartz Crystal Sdn. Bhd.（現(xiàn)為 NDK Quartz Malaysia Sdn. Bhd.）
狹山事業(yè)所新館竣工
1988 年在新加坡設(shè)立NDK Electronics Singapore Pte. Ltd.（現(xiàn)為 NDK Crystal Asia Pte. Ltd.）
在英國設(shè)立NDK Europe Ltd.
1989 年北在北海道函館市建立函館NDK株式會社
1990 年在東京都新宿區(qū)西新宿設(shè)立總公司事務(wù)所 在東京證券交易所 市場第2部上市
1994 年 在中國江蘇省建立蘇州日本電波工業(yè)有限公司,生產(chǎn)銷售石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等,在意大利設(shè)立NDK Italy Srl（現(xiàn)為 NDK Europe Ltd. Italy Office）NDK取得ISO9001認證
1995 年在香港成立日本電波工業(yè)（香港）有限公司
1998 年 NDK取得QS9000認證 在東京證券交易所 市場第1部上市
1999 年狹山事業(yè)所取得ISO14001認證
2001 年在德國設(shè)立NDK Europe Ltd. German Office
2002 年 NDK America, Inc. 的總公司辦公室搬至美國伊利諾斯州在美國伊利諾斯州成立NDK America, Inc. 在北海道函館市建立NRS Technologies Inc. 在中國上海設(shè)立日電波水晶（上海）貿(mào)易有限公司
2004 年在北海道千歲市成立千歲技術(shù)中心
2005 年函館NDK吸收合并NRS Technologies Inc. 總公司搬至東京都涉谷區(qū)笹冢
2008 年品質(zhì)保證試驗室取得ISO/IEC 17025：2005的認證獲東京海關(guān)批準為特定出口商
2009 年狹山事務(wù)所內(nèi)的新研發(fā)大樓"Laboratory ATOM"竣工在中國蘇州設(shè)立蘇州日電波貿(mào)易有限公司
2010 年 NDK石英晶振成為日本國內(nèi)第一家遵循IFRS準則的企業(yè)
2014 年 NDK晶振集團取得ISO13485認證
2015 年日本電波工業(yè)株式會社NDK晶振總部遷到東京都澀谷區(qū)笹冢（和遷移前相同區(qū)域）
NDK晶振,壓控晶體振蕩器,NV7050S晶振,6腳VCXO晶振,壓控晶振(VCXO)壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態(tài)功能,應(yīng)用：SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用,符合RoHS/無鉛
石英晶振的切割設(shè)計：用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切.其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等.超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計：石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.00２mm內(nèi),由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動,面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強,從而造成如若石英晶振晶片的長度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計不正確、使得振動強烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計特別是外形尺寸的設(shè)計是首要需解決的技術(shù)問題,公司在此方面通過理論與實踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計的計算機程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果.
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NDK晶振型號 |
NV7050SA晶振 |
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輸出頻率范圍 |
15~2100MHz |
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標準頻率 |
19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz |
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電源電壓范圍 |
+1.68~+3.5V |
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電源電壓（Vcc） |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗電流 |
+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz） |
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待機時電流 |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
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輸出負載 |
10kΩ//10pF |
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頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6max.（After 2 reflows） |
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溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6max./-40~+85℃ |
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電源電壓特性 |
±0.2×10-6max.（VCC±5%） |
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負載變化特性 |
±0.2×10-6max.（10kΩ//10pF±10%） |
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長期變化 |
±1.0×10-6max./year |
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頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V@VCC≧+2.6V |
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頻率控制極性 |
正極性 |
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NDK電壓控制晶體振蕩器型號
NDK壓控晶振型號
尺寸大小
頻率范圍
輸出規(guī)格
頻率
電壓
L
W
H
Min.
Max.
[×10-6]
[VCC]
NV7050SF壓控晶振
7.0
5.0
1.6
1.25
62
CMOS
±50
+3.3
122.88
NV7050SA貼片晶振
7.0
5.0
1.6
62
170
CMOS
±50
+3.3
NV7050SA(低相位噪聲)
7.0
5.0
1.6
100
200
LVPECL
±50
+3.3
NV7050SA(高溫范圍）
7.0
5.0
1.6
122.88
122.88
LVPECL
±50
+3.3
NV7050SA壓控振蕩器
7.0
5.0
1.6
80
170
LVPECL
±50
+3.3
(mm)
(MHz)
偏差
(V)
在使用NDK晶振時應(yīng)注意
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.
3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
4：粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）
5：鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6：靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.NDK晶振,壓控晶體振蕩器,NV7050S晶振,6腳VCXO晶振
EPSON晶振,石英晶體振蕩器,VG7050EAN晶振
NDK晶振,VCXO晶振,NV7050SA晶振,進口有源壓控振蕩器