NDK晶振,TCXO晶振,NT3225SA晶振,NT3225SA-26.000000MHZ-G5晶振

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

3225mm體積的溫補(bǔ)晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積比較小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補(bǔ)償作用的石英晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對(duì)應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.(可對(duì)應(yīng)回流焊)無(wú)鉛產(chǎn)品.滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC(頻率控制)功能,Enable/Disable功能,產(chǎn)品本身可根據(jù)使用需要進(jìn)行選擇.

產(chǎn)品詳情

NDK-1

日本電波工業(yè)株式會(huì)社NDK晶振經(jīng)營(yíng)范圍：晶體諧振器、晶體振蕩器等晶體元器件、應(yīng)用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關(guān)產(chǎn)品的制造與銷(xiāo)售

NDK晶振日本電波工業(yè)株式會(huì)社由于制造普通晶體振蕩器（PXO）、壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等涉及高溫處理,所以需要大量電力的過(guò)程.通過(guò)使產(chǎn)品更加緊湊,可以增加每個(gè)工序引入的零件數(shù)量.設(shè)備功耗幾乎不影響零件數(shù)量.因此,每個(gè)產(chǎn)品的功耗減少由于增加的部件的數(shù)量,然后抑制二氧化碳排放.與這項(xiàng)改革,減少功耗設(shè)備也實(shí)施.為了快速響應(yīng)我們的客戶需求,我們整合了我們的基本技術(shù),設(shè)計(jì)技術(shù),生產(chǎn)技術(shù)和制造技術(shù),成功地減少和減輕產(chǎn)品使用最先進(jìn)的技術(shù).

yijin-1

溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無(wú)線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無(wú)鉛.

有源晶振頻率越高一般價(jià)格越高.但頻率越高,頻差越大,從綜合角度考慮,一般工程師會(huì)選用頻率低但穩(wěn)定的晶振,自己做倍頻電路.總之石英晶振是根據(jù)需要去選擇合適的頻率,并不是晶振頻率越大就越好.要看具體需求.比如基站中一般用10MHz的恒溫晶振（OCXO）,因其有很好的頻率穩(wěn)定性,屬于高端晶振.至于范圍,晶振的頻率做的太高的話,就會(huì)失去意義,因?yàn)橛衅渌玫木д耦l率產(chǎn)品代替.產(chǎn)品頻率范圍是：25kHz-1.3G,基本上所有應(yīng)用中的晶振都可以在產(chǎn)品中找到.

yijin-2

NDK晶振型號(hào)		NT3225SA晶振
輸出頻率范圍		10~40MHz
標(biāo)準(zhǔn)頻率		16.368M/16.369M/19.2M/26M/33.6M/38.4M/52M
電源電壓范圍		+1.68~+3.5V
電源電壓（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗電流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）
待機(jī)時(shí)電流		-更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn
輸出電壓		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
輸出負(fù)載		10kΩ//10pF
頻率穩(wěn)定度	常溫偏差	±1.5×10^-6max.（After 2 reflows）
	溫度特性	±0.5×10^-6,±2.5×10^-6max./-30~+85℃ ±0.5×10^-6,±2.5×10^-6max./-40~+85℃（Option）
	電源電壓特性	±0.2×10^-6max.（V_CC±5%）
	負(fù)載變化特性	±0.2×10^-6max.（10kΩ//10pF±10%）
	長(zhǎng)期變化	±1.0×10^-6max./year
頻率控制	控制靈敏度	-
	頻率控制極性	-
啟動(dòng)時(shí)間		2.0ms max.