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Raltron晶振公司成立于1983年,是全球較受歡迎的石英晶振,貼片晶振,壓電石英晶體等頻率產(chǎn)品制造商之一.從簡單的音叉晶體到高穩(wěn)定性的可編程晶體振蕩器,Raltron提供了行業(yè)中最全面的頻率管理設(shè)備.多年來,公司致力于石英晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器,有源晶振的研究和開發(fā),使得石英晶體,石英晶體振蕩器的技術(shù)不斷創(chuàng)新.如今Raltron晶振公司提供高性能的頻率控制解決方案,在價格、質(zhì)量、應(yīng)用程序工程和客戶支持方面滿足和超越客戶期望.

為了滿足快速增長的無線應(yīng)用市場的需求,Raltron晶振將自己打造成為一個完整的解決方案供應(yīng)商,在它的石英晶體,石英水晶和晶體振蕩器,貼片振蕩器中添加了鋸片和LTCC過濾器.該公司還為同一市場開發(fā)了一整套天線產(chǎn)品.

石英晶體,貼片晶振,水晶振蕩子,既有插件式也有SMD貼片式,廣泛使用于汽車電子,智能設(shè)備等產(chǎn)品中.

高精度石英晶體振蕩器,普通晶體振蕩器（SPXO晶振）、壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）等,高頻率范圍,低電壓,低損耗的特點滿足惡劣環(huán)境中使用以及產(chǎn)品對于電力的需求.

同步模塊提供完整的時間解決方案,晶振,石英晶振,石英晶體諧振器,貼片晶振,陶瓷諧振器,聲表濾波器,陶瓷濾波器等用于GPS的時鐘同步,網(wǎng)絡(luò)通訊,以及無線設(shè)備等.

Raltron晶振公司不斷改進設(shè)計,優(yōu)化工藝,調(diào)整工廠布局,采取相應(yīng)措施,減少各種污染環(huán)境的因素,盡可能地節(jié)省資源和能源,積極保護廠區(qū)和周圍地區(qū)的環(huán)境,在本公司產(chǎn)品的生產(chǎn)與經(jīng)營過程中充分考慮對環(huán)境的影響,為人類的健康生存和持續(xù)發(fā)展作出貢獻.

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拉隆晶振,貼片晶振,H130B晶振,H130BA晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型?薄型是對應(yīng)陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計等）.使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).

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Raltron晶振規(guī)格	單位	H130B晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	8MHZ~150MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-20°C ～ +70°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6(標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	8pF ~32PF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

Raltron晶振規(guī)格	單位	H130BA晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	8MHZ~65MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6(標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	6pF~32PF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年