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首頁 高利奇晶振

LVDS差分晶振,GXO-L31J/BI-48MHz,數(shù)據(jù)傳輸晶振,GXO-L31J振蕩器,3.2x2.5mm振蕩器

LVDS差分晶振,GXO-L31J/BI-48MHz,數(shù)據(jù)傳輸晶振,GXO-L31J振蕩器,3.2x2.5mm振蕩器LVDS差分晶振,GXO-L31J/BI-48MHz,數(shù)據(jù)傳輸晶振,GXO-L31J振蕩器,3.2x2.5mm振蕩器

產(chǎn)品簡介

LVDS差分晶振,GXO-L31J/BI-48MHz,數(shù)據(jù)傳輸晶振,GXO-L31J振蕩器,3.2x2.5mm振蕩器   GXO - L31J/BI - 48MHz 是一款 3.2x2.5mm 的 LVDS 差分晶振,專為高速數(shù)據(jù)傳輸打造。它能輸出精準(zhǔn)的 48MHz 頻率,為數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)提供穩(wěn)定的時鐘基準(zhǔn)。差分信號傳輸方式使其具備優(yōu)異的抗干擾能力,可有效抑制共模干擾,確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和穩(wěn)定性。適用于高速網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、高清影像設(shè)備等對數(shù)據(jù)傳輸速度和質(zhì)量要求較高的領(lǐng)域,是提升數(shù)據(jù)傳輸性能的可靠選擇。

產(chǎn)品詳情

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yijin-1LVDS差分晶振,GXO-L31J/BI-48MHz,數(shù)據(jù)傳輸晶振,GXO-L31J振蕩器,3.2x2.5mm振蕩器

在當(dāng)今對數(shù)據(jù)傳輸速度和穩(wěn)定性要求極高的時代,GXO - L31J/BI - 48MHz 的 3225貼片晶振堪稱數(shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域的得力助手。它采用 3.2x2.5mm 的小巧尺寸設(shè)計,這一優(yōu)勢使其能夠輕松集成到各種空間有限的電子設(shè)備中,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品小型化的發(fā)展需求。作為 LVDS 差分晶振,其獨特的差分信號傳輸方式賦予了它強(qiáng)大的抗干擾能力。在復(fù)雜的電磁環(huán)境里,它能有效抑制共模干擾,保證信號的純凈度。精準(zhǔn)的 48MHz 頻率輸出,為數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)提供了穩(wěn)定且高速的時鐘信號,確保數(shù)據(jù)能夠快速、準(zhǔn)確地在設(shè)備間傳遞。
無論是在高速網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的數(shù)據(jù)交換中,還是在高清影像設(shè)備的信號傳輸里,高利奇有源晶振GXO - L31J 都能憑借其卓越性能,保障數(shù)據(jù)傳輸?shù)母咝c穩(wěn)定,助力電子設(shè)備實現(xiàn)更出色的性能表現(xiàn)。

yijin-2LVDS差分晶振,GXO-L31J/BI-48MHz,數(shù)據(jù)傳輸晶振,GXO-L31J振蕩器,3.2x2.5mm振蕩器

頻率范圍 40.0 ~ 60.0MHz (基波)
60.0 ~ 160MHz (第 3 個 OT)
160 ~ 250MHz (倒臺面)
尺寸 3.2 x 2.5 x 1.1 毫米
儲存溫度范圍 -40 至 +85°C
電源電壓 (VDD 系列) +2.5V (±5%)
電源電流 最大 20mA
輸出 LVDS晶振
偏移電壓 1.25V 典型值
差分輸出電壓 0.247 ~ 0.454V (0.33V typ)
輸出負(fù)載 100Ω
波形對稱性 最大 45:55 @ 50%VP-P
上升/下降時間 最大 0.4ns (20 ~ 80%V)P-P)
啟用/禁用功能 三態(tài)(通過焊盤 1 控制)
相位抖動 RMS 最大 1ps (典型值為 0.3ps),12kHz~20MHz

GXO-L31J

yijin-3LVDS差分晶振,GXO-L31J/BI-48MHz,數(shù)據(jù)傳輸晶振,GXO-L31J振蕩器,3.2x2.5mm振蕩器

GXO-L31J 3225 LVDS

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LVDS差分晶振,GXO-L31J/BI-48MHz,數(shù)據(jù)傳輸晶振,GXO-L31J振蕩器,3.2x2.5mm振蕩器
所有產(chǎn)品的共同點
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
5、鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。

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