鴻星晶振有限公司于1979年成立,產(chǎn)品由專業(yè)石英晶振,貼片晶振,電阻器、電容器制造廠,公元1991年于臺灣投入石英晶體之研發(fā)制造、1991年開始于中國大陸拓展生產(chǎn)基地,至今擁有四處生產(chǎn)基地、九處營銷及FAE據(jù)點及十個營銷代表處.
鴻星致力于提供客戶最優(yōu)異的質量、服務及價值,專注于專業(yè)創(chuàng)新并鼓勵員工以團隊合作及積極成長的態(tài)度與時俱進.
鴻星晶振已經(jīng)成為全球從事石英頻率控制組件的重要制造商之一,致力于插件式(DIP)與表面黏著式(SMD)石英晶體,有源晶振,壓控振蕩器系列產(chǎn)品之研發(fā)、設計、生產(chǎn)與營銷.
生產(chǎn)理念:
鴻星晶振的產(chǎn)品作為一個健康的心為客戶工作,因此我們投資建立一個有能力的團隊和基礎設施,為我們所做的每一個產(chǎn)品.公司建立平臺有機的學習鼓勵跨職能團隊的工作保持更好的環(huán)境和溫補晶振,石英晶體振蕩器技術改進.
環(huán)保理念:
鴻星晶振科技股份有限公司,依據(jù)‘ISO 14001環(huán)境/OHSAS-18001安衛(wèi)管理系統(tǒng)’要求制定本‘環(huán)境/安衛(wèi)手冊’,以界定本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之范圍,包括任何排除之細節(jié)及調整,并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書面、辦法書之對應關系,包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內之流程順序及交互作用的描述.本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之適用范圍包含公司所有的活動、產(chǎn)品及服務.
鴻星晶振科技堅持在發(fā)展中保護、在保護中發(fā)展,積極探索環(huán)境保護新道路,切實解決影響科學發(fā)展和損害群眾健康的突出環(huán)境問題,全面開創(chuàng)環(huán)境保護工作新局面.
鴻星晶振提供從材料的選定到廢棄過程中考慮環(huán)境質量的產(chǎn)品.加強制度建設,深化環(huán)境監(jiān)管,向環(huán)境污染宣戰(zhàn),促進經(jīng)濟與環(huán)境協(xié)調發(fā)展.
鴻星晶振,32.768K貼片晶振,ETST晶振,32.768KHz系列晶振產(chǎn)品多元化,外觀尺寸有多項選擇,并且支持無源以及有源晶振應用,有一個很棒的是幾個知名晶振品牌之間產(chǎn)品可以交替替換,比如愛普生的FC-135,西鐵城的CM315D,精工的SC320S,KDS的DST310S這四款的32.768K外觀尺寸3.2*1.5*0.75mm均是一致,產(chǎn)品頻率,精度,負載都可以達到相同,所以消費者在使用方面得到很到的保障,這幾款產(chǎn)品本身使用無鉛化,卷帶SMD包裝,產(chǎn)品一般應用在智能手機,控制模組,GPS導航模塊,小型藍牙對接產(chǎn)品等設備.
晶振的真空封裝技術:是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一
鴻星晶振規(guī)格 |
單位 |
ETST晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
12.5pF ~ ∞ |
超出標準說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用鴻星晶振時應注意以下事項:
以下是石英晶振電路設計匹配問題:
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組. (請參閱芯片組的規(guī)格)
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內置芯片一般設置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.鴻星晶振,32.768K貼片晶振,ETST晶振
一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負電阻,其值應是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量
線路連接的電阻(R)與石英晶體串聯(lián)
(2)從起點到振蕩的停止點調整R的值.
(3)振蕩期間測量R的值.
(4)你將能夠獲得負電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.
如果晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:
降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負載電容(CL).
采用具有較低電阻(RR)的晶振.
使用光盤和CG的不等價的設計.我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.
當有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅動后端電路.
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯(lián)系我公司晶振的應用工程師和IC制造商尋求進一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統(tǒng)無法運行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅.