日本株式會社大真空KDS晶振集團設立在日本國兵庫縣加古川市平岡町新在家,創(chuàng)業(yè)時間為1959年11月3日,正式注冊成立是在1963年5月8日,當時注冊資金高達321億日元之多,主要從事電子元件以及電子設備生產銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型晶體諧振器,晶體應用產品,石英晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學產品,硅晶體時鐘設備,MEMS振蕩器等.
日本株式會社大真空KDS晶振自1959年建立以來一直遵從的三個理念“依賴”于“可靠的人”“可靠的產品”和“可靠的公司”.作為全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力幫助實現新一代電子社會,更方便人們更舒適,通過開發(fā)石英晶振, 壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等晶體器件對全球環(huán)境友好.
日本株式會社大真空KDS晶振三種信賴行為守則:
可靠的人以獨立、自助、自足的努力作為基本的行動原則,我們將充分利用我們的優(yōu)勢,為社會整體和接近一切真誠和熱情.
可靠的晶振,石英晶振,有源晶振,SMD壓控振蕩器,,我們將幫助實現一個富裕的社會,通過優(yōu)化我們的能力,開發(fā)最好的產品和服務,并提供給我們所有的客戶在世界各地.
大真空晶振,貼片晶振,DSX221G晶振,1ZBB26000AB0B晶振,小體積貼片2520mm晶振,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優(yōu)勢,適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.小型,薄型,輕型 (2.5 × 2.0 × 0.5 mm typ.) 具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振的切割設計:用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質,壓電性質,溫度性質不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切.其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等.超小型石英貼片晶振晶片的設計:石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.002mm內,由于貼片晶振晶片很小導致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動,面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強,從而造成如若石英晶振晶片的長度或寬度尺寸設計不正確、使得振動強烈耦合導致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導致產品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產超小型石英晶振完成晶片的設計特別是外形尺寸的設計是首要需解決的技術問題,公司在此方面通過理論與實踐相結合,模擬出一整套此石英晶振晶片設計的計算機程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應用并取得很好的效果.
KDS晶振規(guī)格 |
單位 |
DSX221G晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
12MHZ~64MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40℃~+85℃民用級 -40℃~+105℃工業(yè)級 -40°C ~ +150°C汽車級 |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-30°C ~ +85°C民用級 -40℃~+105℃工業(yè)級 -40℃~+125℃汽車級 |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
DSX221G晶振民用級/工業(yè)級尺寸圖:
DSX221G晶振汽車級晶振尺寸圖:
在使用KDS晶振時應注意以下事項:
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.
3:化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品.
4:粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.大真空晶振,貼片晶振,DSX221G貼片晶振,1ZBB26000AB0B晶振