日本株式會社大真空KDS晶振集團設立在日本國兵庫縣加古川市平岡町新在家,創(chuàng)業(yè)時間為1959年11月3日,正式注冊成立是在1963年5月8日,當時注冊資金高達321億日元之多,主要從事電子元件以及電子設備生產銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型石英晶體諧振器,晶體應用產品,石英晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學產品,硅晶體時鐘設備,MEMS振蕩器等.
日本株式會社大真空KDS晶振自1959年建立以來一直遵從的三個理念“依賴”于“可靠的人”“可靠的產品”和“可靠的公司”.作為全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力幫助實現(xiàn)新一代電子社會,更方便人們更舒適,通過開發(fā)石英晶振, 壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等晶體器件對全球環(huán)境友好.
1959年在在神戶市成立加工電子零件和石英晶體,進口晶振,愛普生晶體,KDS晶振,石英水晶振蕩子.
1963公司變更為合股公司組織.
1965開始大規(guī)模生產石英晶體諧振器,32.768K時鐘晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器等部件.
1970年日本株式會社大真空KDS晶振在東京辦事處開業(yè).
1973年開設kurodasho廠(現(xiàn)在的西脅工廠)生產晶體管.
1974年開設川廠(現(xiàn)在的涼廠)是目前人造石英晶體,(SPXO)普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補晶體振蕩器,(OCXO)恒溫晶體振蕩器等生產規(guī)模最大的.
1976年開設宮崎廠(目前九州大真空公司)為音叉型石英晶體諧振器生產,在加古川市完成新總部.
1977年成立和諧電子公司建立大真空(美國)有限公司開始向美國市場供應晶體諧振器.
1980年開設鳥取工廠(目前鳥取生產部)對晶體諧振器生產增加.同年開始生產石英晶體濾波器和晶振時鐘.
1981年建立大真空(香港)公司開始提供音叉型石英晶體諧振器,晶體振蕩器,有源晶振的香港和中國市場.
1983年大阪證券交易所二期上市.
1984年獨立完成中心實驗室,開設德島工廠(目前德島生產部)作為人造石英晶體的穩(wěn)定的生產基地,部分設備和石英諧振器,開始大規(guī)模生產光學低通濾波器.
1985年打開德島第二廠開始生產陶瓷產品,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振,陶瓷霧化片打開配送中心在加古川市.
1987名古屋辦事處開業(yè).開始的溫度補償晶體振蕩器(TCXO)生產和電壓控制晶體振蕩器(VCXO).
1988建立大真空(新加坡)有限公司加強在東盟地區(qū)銷售.
1989更改公司名稱大真空第三十周年.建立了PT.KDS印度尼西亞啟動海外生產晶體諧振器.
1990-1991大阪證券交易所第一節(jié)上市.建立大真空(德國)公司加強在歐洲的銷售.
1993建立了天津該公司開始音叉型石英晶體諧振器,石英水晶振蕩子,陶瓷振動子,32.768K,時鐘晶體,壓電石英晶體的海外生產.
1996日本株式會社大真空KDS晶振獲得ISO9001(國際標準化組織質量管理標準).
1998(獲得QS9000質量標準/汽車質量保證管理體系.)
2000獲得ISO14001(環(huán)境管理體系由國際標準化組織),獲得ISO / TS 16949(技術規(guī)范由國際標準化組織).
2003擴大生產規(guī)模天津加工廠面積,成立上海銳致國際貿易有限公司加強在中國的銷售.以和諧電子公司為我公司的綜合子公司加強石英晶振,壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等器件業(yè)務.
2010日本株式會社大真空KDS晶振建立大真空(泰國)有限公司.
2012日本株式會社大真空KDS晶振擴大在加古川市中央實驗室的地板尺寸.
2013日本大真空晶體東京證券交易所第一節(jié)上市.
KDS晶振,32.768K晶振,DMX-38晶振,32.768K系列產品本身具有體積小,厚度薄,重量輕等特點,此音叉型石英晶體諧振器,晶振產品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
石英晶振在選用晶片時應注意溫度范圍、晶振溫度范圍內的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應略高.對于晶振的條片,長邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸.
對于圓片晶振,X、Z 軸較難區(qū)分,所以石英晶振對精度要求高的產品(如部分定單的 UM-1),會在 X 軸方向進行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的裝架點膠,點膠點點在 Z 軸上.保證晶振產品的溫度特性.石英晶振產品電極的設計:石英晶振產品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波.第1、2、3項相對簡單,第4項的設計很關鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導致第4項的變化.特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產品的影響的程度增大,故對電極的設計提出了更精準的要求.
KDS晶振規(guī)格 |
單位 |
DMX-38晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.
3:化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品.KDS晶振,32.768K晶振,DMX-38晶振
4:粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.