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西鐵城晶振,石英晶體,CM200S晶振,CM200S32.768KDZFT晶振

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產(chǎn)品簡介

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等

產(chǎn)品詳情

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西鐵城晶振公司為工業(yè)市場提供高性能和精密設(shè)備,不斷開發(fā)新技術(shù)和新技術(shù)在我們的制造業(yè)和工程.我們有一個良好的信譽(yù)在市場上特別是對我們的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等高精密零件使用我們自己的核心技術(shù)和脆性材料和微顯示高清圖片是必需的.是盡一切努力來改善我們的技術(shù)和發(fā)展提供有價值的服務(wù)我們的客戶,即使這是一個利基市場.

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西鐵城晶振,石英晶體,CM200S晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減?。?.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一

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西鐵城晶振規(guī)格

單位

CM200S晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

32.768KHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-55°C +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C +85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6
±50 × 10-6可用)

+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.gshqh.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

12.5PF

超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

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如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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CM200C_CM250C

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YJ-4

關(guān)于沖洗清潔音叉型晶振由于采用小型、薄型的晶振芯片,以及相對而言頻率與超音波清潔器相近,所以會由于共振而容易受到破壞,因此請不要用超音波清潔器來沖洗晶振。 關(guān)于機(jī)械性沖擊

(1) 從設(shè)計角度而言,即使石英晶振從高度75cm處落到硬質(zhì)木板上三次,按照設(shè)計不會發(fā)生什么問題,但因落下時的不同條件而異,有可能導(dǎo)致石英芯片的破損。在使之落下或?qū)λ┘記_擊之時,在使用之前,建議確認(rèn)一下振蕩檢查等的條件。

(2) SMD石英晶振與電阻以及電容器的芯片產(chǎn)品不同,由于在內(nèi)部對石英晶振晶片進(jìn)行了密封保護(hù),因此關(guān)于在自動安裝時由于沖擊而導(dǎo)致的影響,請在使用之前,懇請貴公司另外進(jìn)行確認(rèn)工作。

(3) 請盡量避免將本公司的音叉型晶振與機(jī)械性振動源(包括超聲波振動源)安裝到同一塊基板上,不得已要安裝到同一塊基板上時,請確保晶振能正常工作西鐵城晶振,石英晶體諧振器,CM200S晶振

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