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首頁 TXC晶振

TXC晶振,OSC晶振,8N晶振,8N26070002晶振

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2016mm有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.


產(chǎn)品詳情

TXC-1

臺(tái)灣晶技TXC晶振公司為一專業(yè)之頻率組件與感測(cè)組件供貨商,1983年成立以來,始終致力于石英晶體相關(guān)諧振器(Crystal)、振蕩器(Oscillator) 32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器等頻率組件之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售,并因應(yīng)市場(chǎng)應(yīng)用與需求,透過自主核心技術(shù),成功開發(fā)出各式感測(cè)組件(Sensor),產(chǎn)品可廣泛使用于行動(dòng)通訊、穿戴式裝置、物聯(lián)網(wǎng)、服務(wù)器儲(chǔ)存設(shè)備、車用、電信、醫(yī)療…等市場(chǎng).

臺(tái)灣TXC晶體科技本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項(xiàng)環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實(shí)公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國(guó)內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,同時(shí)也能達(dá)到國(guó)際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn).2003年通過ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗(yàn)證,秉持“污染預(yù)防、持續(xù)改善”之原則.

臺(tái)灣TXC晶體公司事業(yè)廢棄物產(chǎn)出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項(xiàng)排放檢測(cè)數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求.并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國(guó)際大廠對(duì)于綠色生產(chǎn)及綠色產(chǎn)品的要求相符,2004年通過SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗(yàn)證.

yijin-1

TXC晶振,OSC晶振,8N晶振,8N26070002晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-ExpressSDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài).

yijin-2

項(xiàng)目

符號(hào)

規(guī)格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

4M~54MHZ

請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息

電源電壓

VCC

1.60 V to 3.63 V

請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作溫度

T_use

G: -40 to +85

請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.gshqh.cn

H: -40 to +105

J: -40 to +125

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負(fù)載條件、最大工作頻率

待機(jī)電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

VOL

0.4 V Max.

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

輸入電壓

VIH

80% VCCMax.

ST終端

VIL

20 % VCCMax.

上升/下降時(shí)間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCCto 80 % VCC, L_CMOS=15 pF

振蕩啟動(dòng)時(shí)間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6/ year Max.

+25 , 初年度,第一年

yijin-3

TXC_8N_20_16 CMOS

yijin-4在使用TXC晶振時(shí)應(yīng)注意

晶體振蕩器的處理與其略有不同其他電子元件.請(qǐng)閱讀以下注意事項(xiàng)小心地正確使用晶體振蕩器確保設(shè)備的最佳性能.

1.電源旁路電容

使用本產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)放置一個(gè)約0.01的旁路電容μF,介于電源和GND之間(盡可能靠近產(chǎn)品終端盡可能).

2.安裝表面貼裝晶體時(shí)鐘振蕩器

1)安裝電路板后溫度快速變化

當(dāng)安裝板的材料為表面安裝時(shí)陶瓷有晶體時(shí)鐘振蕩器封裝膨脹系數(shù)不同于陶瓷的膨脹系數(shù)材料,焊接的圓角部分可能會(huì)破裂,如果受到影響長(zhǎng)時(shí)間反復(fù)發(fā)生極端溫度變化.你在這樣的條件下,建議情況是這樣的事先檢查過.TXC晶振,OSC晶振,8N晶振,8N26070002晶振

2)通過自動(dòng)安裝進(jìn)行沖擊

當(dāng)晶體時(shí)鐘振蕩器被吸附或吸入時(shí)自動(dòng)安裝或超過的沖擊過程安裝振蕩器時(shí)會(huì)發(fā)生指定值板,振蕩器的特性會(huì)改變或惡化.

3)板彎曲應(yīng)力

將晶體時(shí)鐘振蕩器焊接到印刷后板,彎曲板可能會(huì)導(dǎo)致焊接部分剝落關(guān)閉或振蕩器封裝由于機(jī)械應(yīng)力而破裂.

3.抗跌落沖擊力

本目錄中的產(chǎn)品設(shè)計(jì)得非常高抗自由落體沖擊(最多三次).但是,如果錯(cuò)誤地將產(chǎn)品從桌子等處丟棄,為確保最佳性能,建議您使用再次測(cè)量產(chǎn)品的性能或您要求我們?cè)俅螠y(cè)量它.

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