CTS晶振公司自1896年以來,CTS晶振一直是未來的一部分.隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,我們也一直在與之一起,為滿足人們不斷變化的需求而設(shè)計(jì)智能的方法.我們的產(chǎn)品在許多行業(yè)都得到了認(rèn)可,所生產(chǎn)石英晶振,高精度貼片晶振,晶體振蕩器的性能、可靠性和工程技術(shù)都很出色.我們的客戶以我們卓越的、一貫的服務(wù)水平和我們與他們合作的能力來評價(jià)我們.我們的全球足跡使我們能夠?yàn)槿蚴袌龊痛蠊痉?wù),并與本地市場中的中小企業(yè)合作,從而實(shí)現(xiàn)一個(gè)智能和無縫的世界.
想象你和我們一起工作.CTS晶振公司,我們理解的好處讓人們投資于公司的長期成功,我們致力于創(chuàng)造一個(gè)環(huán)境,每個(gè)人都有機(jī)會(huì)成功通過他們的貢獻(xiàn).我們的人民相互支持,以提高我們的集體能力,并在我們所做的一切中取得卓越.
CTS晶振,石英晶體振蕩器,636晶振,636L3C012M00000晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).
項(xiàng)目 |
符號(hào) |
規(guī)格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
1M~160MHZ |
請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
電源電壓 |
VCC |
1.8 V to 5.0 V |
請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.gshqh.cn |
H: -40℃ to +105℃ |
|||
J: -40℃ to +125℃ |
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST終端 |
VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
使用CTS晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng)
晶體振蕩器的處理與其略有不同其他電子元件.請閱讀以下注意事項(xiàng)小心地正確使用晶體振蕩器確保設(shè)備的最佳性能.
1.電源旁路電容
使用本產(chǎn)品時(shí),請放置一個(gè)約0.01的旁路電容μF,介于電源和GND之間(盡可能靠近產(chǎn)品終端盡可能).
2.安裝表面貼裝晶體時(shí)鐘振蕩器
(1)安裝電路板后溫度快速變化
當(dāng)安裝板的材料為表面安裝時(shí)陶瓷有晶體時(shí)鐘振蕩器封裝膨脹系數(shù)不同于陶瓷的膨脹系數(shù)材料,焊接的圓角部分可能會(huì)破裂,如果受到影響長時(shí)間反復(fù)發(fā)生極端溫度變化.你在這樣的條件下,建議情況是這樣的事先檢查過.
(2)通過自動(dòng)安裝進(jìn)行沖擊
當(dāng)晶體時(shí)鐘振蕩器被吸附或吸入時(shí)自動(dòng)安裝或超過的沖擊過程安裝振蕩器時(shí)會(huì)發(fā)生指定值板,振蕩器的特性會(huì)改變或惡化.
(3)板彎曲應(yīng)力
將晶體時(shí)鐘振蕩器焊接到印刷后板,彎曲板可能會(huì)導(dǎo)致焊接部分剝落關(guān)閉或振蕩器封裝由于機(jī)械應(yīng)力而破裂.
3.抗跌落沖擊力
本目錄中的產(chǎn)品設(shè)計(jì)得非常高抗自由落體沖擊(最多三次).但是,如果錯(cuò)誤地將產(chǎn)品從桌子等處丟棄,為確保最佳性能,建議您使用再次測量產(chǎn)品的性能或您要求我們再次測量它.
4.靜電
本目錄中的產(chǎn)品使用CMOS IC作為其有源產(chǎn)品元素.因此,在一個(gè)環(huán)境中處理產(chǎn)品對抗靜電的措施拍攝.
5.耐高溫
關(guān)于耐高溫性,使用產(chǎn)品時(shí)在溫度為+ 125°C的極端環(huán)境中超過24小時(shí),產(chǎn)品的所有特點(diǎn)無法保證.要特別注意存放產(chǎn)品在正確的溫度范圍內(nèi).CTS晶振,石英晶體振蕩器,636晶振,636L3C012M00000晶振
6. EMI
當(dāng)您考慮EMI時(shí),低電源電壓建議使用(例如2.5V,1.8V,1.5V或0.9V).此外,請事先咨詢我們有關(guān)的組合針對上述EMI的兩種對策.
7.超聲波清洗
當(dāng)進(jìn)行本目錄中產(chǎn)品的超聲波清潔時(shí)根據(jù)其安裝狀態(tài)和清潔條件等,該產(chǎn)品的晶體振蕩器可能會(huì)發(fā)生共振斷裂.在超聲波清潔之前,請務(wù)必檢查條件.
8.請將水晶時(shí)鐘振蕩器用于特殊用途時(shí)歡迎與我們聯(lián)系.