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首頁 KDS晶振

32.768K音叉晶體,1TJL070DR1A0009,日本KDS大真空,DST1610AL晶振

32.768K音叉晶體,1TJL070DR1A0009,日本KDS大真空,DST1610AL晶振32.768K音叉晶體,1TJL070DR1A0009,日本KDS大真空,DST1610AL晶振

產(chǎn)品簡介

32.768K音叉晶體,1TJL070DR1A0009,日本KDS大真空,DST1610AL晶振  日本大真空株式會社中編碼為 1TJL070DR1A0009 的KDS晶振頻率是32.768KHz,負(fù)載電容為7pF,尺寸是1.6*1.0mm,為超小型、薄型、SMD音叉型晶體,厚度僅為0.3mm,帶有金屬蓋的陶瓷封裝,精度高和可靠性高,支持多種應(yīng)用,包括移動通信設(shè)備和消費設(shè)備,智能卡和可穿戴設(shè)備等。蓋子和背面端子連接以防止噪音,并可連接到GND。1610貼片晶振,石英晶體諧振器,32.768K晶振,進(jìn)口音叉晶體。

產(chǎn)品詳情

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32.768K音叉晶體,1TJL070DR1A0009,日本KDS大真空,DST1610AL晶振

日本大真空株式會社中編碼為 1TJL070DR1A0009 的KDS晶振頻率是32.768KHz,負(fù)載電容為7pF,尺寸是1.6*1.0mm,為超小型、薄型、SMD音叉型晶體,厚度僅為0.3mm,帶有金屬蓋的陶瓷封裝,精度高和可靠性高,支持多種應(yīng)用,包括移動通信設(shè)備和消費設(shè)備,智能卡和可穿戴設(shè)備等。蓋子和背面端子連接以防止噪音,并可連接到GND。1610貼片晶振,石英晶體諧振器,32.768K晶振,進(jìn)口音叉晶體。

KDS貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.

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32.768K音叉晶體,1TJL070DR1A0009,日本KDS大真空,DST1610AL晶振

類型 DST1610AL
頻率范圍 32.768 KHz
負(fù)載電容 4pF、6pF、7pF、9pF、12.5pF
驅(qū)動器級別 0.1μW(最大 0.5μW)
頻率容差 ±20×10-6(25°C 時)
串聯(lián)電阻 最大 80kΩ
頂點溫度 +25°C±5°C
拋物線系數(shù) -0.04×10-6/ °C2以下
工作溫度范圍 -40 至 +85°C
儲存溫度范圍 -40 至 +85°C
分流電容 1.2pF (典型值)
包裝單位 3000個

DST1610AL GGS

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32.768K音叉晶體,1TJL070DR1A0009,日本KDS大真空,DST1610AL晶振

DST1610AL CCT


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32.768K音叉晶體,1TJL070DR1A0009,日本KDS大真空,DST1610AL晶振

1:抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.

2:輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.

3:化學(xué)制劑/ pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.

4:粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)

5:鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.

6:靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.

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