SAW設(shè)備
術(shù)語解釋
介紹SAW設(shè)備中使用的主要術(shù)語。
標(biāo)稱頻率 | 這是中心頻率的標(biāo)稱值,用作相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的參考頻率。 |
通帶寬 | 波段寬度(通帶)將信號作為濾波器繞中心頻率傳遞,通常寬度(1dB或3dB)衰減從波段中的最小損耗點增加一定量(例如,1dB或3dB)帶寬,3dB帶寬)。 |
波紋 | 當(dāng)通帶內(nèi)存在最大衰減值時,它是最大損耗與最小損耗之差的最大值。 |
插入損耗 (插入衰減) |
這是插入濾波器時的衰減量與不插入濾波器時的衰減量之間的差異,并且分為恒定損耗,最小插入損耗和最大插入損耗。恒定損耗是指標(biāo)稱頻率下的插入損耗值,最小插入損耗是指插入損耗帶內(nèi)的最小值,最大損耗是指最大值。此外,IEC(國際電工標(biāo)準(zhǔn))定義術(shù)語“插入衰減”,但術(shù)語“插入損耗”在工業(yè)中占絕大多數(shù)。 |
衰減 | 通常,它是指基于最小插入損耗的衰減頻帶中的相對衰減,但在無線電設(shè)備等中,它可以指示基于直通電平(0 dB)的絕對衰減,因此要小心。是的。 |
衰減帶寬 | 頻率寬度,其值保證相對衰減等于或大于指定的衰減。 |
保證衰減和 保證衰減帶 |
衰減頻帶及其頻帶保證相對衰減。 |
終端阻抗 | 表示從濾波器側(cè)看到的電路阻抗。通常,電路的負(fù)載阻抗表示為(50Ω,150Ω等),SAW側(cè)阻抗的共軛條件通過電路之間的匹配電路表示,后者通常具有電阻和負(fù)值。它由符號的并行容量(共軛條件)表示。 |
小組延遲時間 | 通過用角頻率區(qū)分相變量而獲得的值。 |
群延遲時間波動 | 指定通帶寬中組延遲時間的最大值和最小值之差的最大值。 |
評論
表面聲波(SAW)是能量在彈性體表面附近集中并傳播的波,使用該波的電子設(shè)備稱為SAW器件。
我們開發(fā)和制造濾波器,諧振器,延遲線和振蕩器。
本節(jié)介紹SAW濾波器和SAW諧振器。
[SAW濾波器]
圖1顯示了SAW濾波器的基本結(jié)構(gòu)。
SAW濾波器具有這樣的結(jié)構(gòu),其中激勵和接收表面波的叉指電極設(shè)置在壓電基板上。
當(dāng)AC電壓施加到叉指電極時,壓電效應(yīng)引起相鄰電極之間的壓電基板的變形并激發(fā)表面波。
如圖2所示,交叉指型電極周期性排列,當(dāng)波長λ等于電極周期時,表面波被激勵得最強(qiáng)。在
中心頻率f0和表面波傳播速度ν之間存在
f0=ν/λ的關(guān)系。
SAW濾波器使用延遲電極結(jié)構(gòu)和諧振電極結(jié)構(gòu)。
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圖1 SAW濾波器的基本結(jié)構(gòu)(橫向型) | 圖2焊接電極的基本結(jié)構(gòu)(橫向型) |
圖3顯示了SAW諧振器的基本結(jié)構(gòu)。通過在叉指電極之間產(chǎn)生駐波并增加電極數(shù)量,可以實現(xiàn)高Q諧振器。
如圖4所示,有(a)1端口諧振器和(b)2端口諧振器。
1端口諧振器具有這樣的結(jié)構(gòu),其中叉指電極位于中心并且反射器布置在兩側(cè),并且由叉指電極激發(fā)的表面波被反射器反射以產(chǎn)生駐波。你。因此,它使用高Q值,主要應(yīng)用于振蕩器和窄帶濾波器。由于其結(jié)構(gòu),2端口諧振器本身就是窄帶濾波器,但它使用高Q并且通常用于具有比1端口諧振器更高頻帶的振蕩器或窄帶濾波器。
![]() 圖3 SAW諧振器的基本結(jié)構(gòu) |
![]() 圖4 1端口和2端口諧振器的基本結(jié)構(gòu) |
[壓電基板材料]
我們根據(jù)器件設(shè)計方法將壓電基板材料用于右表中所示的SAW器件。長期以來,基板材料一直用于具有高設(shè)計自由度的瑞利波基板,并且設(shè)計的自由度主要限于移動通信,但是獲得了低損耗特性,并且由于高聲速而容易增加頻率的漏波。董事會大致分裂。鈮酸鋰(LiNbO3)基板和鉭酸鋰(LiTaO3)基板用于寬帶濾波器等,并且根據(jù)濾波器規(guī)格選擇材料和切口。漏波材料主要用于手機(jī)需要低損耗的產(chǎn)品。此外,瑞利波材料主要用于需要出色的低紋波和低群延遲特性的通信設(shè)備應(yīng)用。其中,ST切割石英具有最佳的溫度特性,是一種具有低耦合系數(shù)和頻率溫度特性的壓電基板材料,其二次曲線的溫度系數(shù)點接近室溫。
[頻率和溫度特性]頻率和溫度特性
根據(jù)使用的壓電基板材料而變化。圖5顯示了石英襯底的頻率溫度特性。
![]() 圖5 SAW器件的頻率 - 溫度特性(壓電基板:晶體) |
SAW器件制造工藝類似于IC和LSI制造工藝,并且需要超精細(xì)圖案化,因此它在潔凈室中制造。
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