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NDK開發(fā)適用于5G基站的+95℃高溫OCXO晶振

2019-06-13 08:58:58 

日本NDK開發(fā)了一種超小型9×7mm高精度OCXO(烤箱控制)晶體振蕩器,用于基站應(yīng)用5G,能夠運行高達(dá)+95高溫度,NDK開發(fā)適用于5G基站的+95℃高溫OCXO晶振,產(chǎn)品型號命名為NH9070WC恒溫晶振和NH9070WD恒溫晶振.樣品出貨定于20197,批量生產(chǎn)定于201912.

NDK開發(fā)適用于5G基站的+95℃高溫OCXO晶振

近年來,需要高速和大容量無線電基站網(wǎng)絡(luò)來支持該用途大容量內(nèi)容,如圖像和視頻.為了實現(xiàn)超高速和大容量服務(wù),5G移動網(wǎng)絡(luò)需要安裝大量小基站(小基站),以補充宏基站.這個小型基站安裝在一個小空間內(nèi),例如建筑物內(nèi)部或室外公用設(shè)施由于高密度安裝,預(yù)計極和內(nèi)部元件的溫度會升高并受到影響由外部環(huán)境變化.因此,需要緊湊,高溫兼容,高穩(wěn)定性石英晶體振蕩器,具有出色的相位噪聲特性和良好的溫度斜率特性*1,不易受溫度變化的影響.

NDK開發(fā)適用于5G基站的+95℃高溫OCXO晶振

為了滿足這些需求,NDK晶振集團(tuán)開發(fā)了一種專用的ASIC*2,它結(jié)合了高穩(wěn)定性,低噪音,我們多年來培養(yǎng)的OCXO晶振和環(huán)境抗性技術(shù)達(dá)到±0.5ppb/deg.C溫度-斜率特性,支持+95deg.C高溫運行并大大降低微跳頻率.將來,我們計劃開發(fā)將這些技術(shù)集成到其他技術(shù)中的IC產(chǎn)品,并進(jìn)一步擴(kuò)大我們的更小的OCXO晶體振蕩器產(chǎn)品陣容.

(*1)該特性表示晶體振蕩器相對于溫度的溫度特性變化,數(shù)值越小,頻率隨環(huán)境變化的變化越小溫度.

(*2)專用集成電路的縮寫,專用半導(dǎo)體用于特定的應(yīng)用.

[特征示例]

圖片溫度特性(典型示例)

NDK開發(fā)適用于5G基站的+95℃高溫OCXO晶振

圖片相位噪聲特性(參考數(shù)據(jù)10MHz)

NDK開發(fā)適用于5G基站的+95℃高溫OCXO晶振

NH9070WC恒溫晶振和NH9070WD恒溫晶振,小型,高精度,9.5x7.3x4.1mm尺寸,可供10M~40MHz范圍,標(biāo)準(zhǔn)頻率有10MHZ,20MHZ,30.72MHZ,40MHZ.此款NDK貼片晶振采用HCMOS輸出,工作溫度-40~+95℃范圍.頻率溫度特性Max.+/-20x10-9,頻率溫度斜率特性Typ.+/-0.5x10-9/deg.C,功耗(穩(wěn)定時)Max.0.6W,5G基站使用最佳選擇.

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