小型貼片晶振成了當(dāng)下市場(chǎng)的主流,從過(guò)去的大體積晶振到現(xiàn)在3225貼片晶振,2520貼片晶振,2016貼片晶振,1008貼片晶振,不僅代表了晶振的改革,同時(shí)見(jiàn)證了各個(gè)領(lǐng)域科技產(chǎn)品的更新?lián)Q代.石英晶體,SMD晶振,石英晶體振蕩器在智能產(chǎn)品中都是不可缺少的重要電子元件,為電路提供信號(hào)頻率,實(shí)現(xiàn)正常工作.
1008晶振是目前世界上體積最小的貼片晶振,為了順應(yīng)時(shí)代發(fā)展,滿足小型化產(chǎn)品需求,各大品牌相繼推出自家的1008貼片晶振.億金電子代理KDS晶振,愛(ài)普生晶振,精工晶體,NDK晶振,京瓷晶振,TXC晶振等國(guó)際知名品牌,下面給大家介紹各大品牌1008晶振型號(hào)對(duì)比,獲取更多相關(guān)信息也可聯(lián)系億金電子0755-27876565.
京瓷CX1008SB晶振
京瓷與大阪大學(xué)副教授山村和也共同研發(fā)的超高精度加工技術(shù)（等離子體CVM技術(shù)）,成功減小了頻率偏差.該加工技術(shù)利用了等離子體中的中性自由基與加工物表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的特性,可以對(duì)水晶的厚度及表面狀態(tài)等進(jìn)行高精度控制.此外,京瓷晶振高精度半導(dǎo)體工藝技術(shù),提高了水晶元件石英晶振的尺寸精度,有效解決了串聯(lián)電阻值偏差較大的問(wèn)題.通過(guò)這些技術(shù),可以提高產(chǎn)品生產(chǎn)率,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品供給的穩(wěn)定性.
京瓷CX1008貼片晶振,尺寸大小在1.0x0.8x0.3mm,精小但絲毫不影響到精度讓人不得不感嘆生產(chǎn)工藝的強(qiáng)大.CX1008晶振頻率容許誤差也就是我們經(jīng)常所說(shuō)的精度,精度可以達(dá)到10PPM的精確度,電阻控制在60Ω,具有較強(qiáng)的抗振性能,在溫度高達(dá)-30℃～+85℃之間頻率誤差保持在10PPM的高精度完全是沒(méi)有問(wèn)題的,具有較高的耐熱性,耐惡劣環(huán)境等特點(diǎn).
|
名稱 |
CX1008 |
|
用途 |
智能手機(jī)、穿戴式終端 |
|
外形尺寸 |
1.0X0.8㎜ |
|
產(chǎn)品高度 |
0.30mm |
|
頻率容許誤差 |
±10ppm |
|
頻率溫度特性 |
±10ppm（-30℃～+85℃） |
|
CI值（串聯(lián)電阻） |
60ΩMAX（37.4MHz） |
|
生產(chǎn)基地 |
京瓷晶體元件株式會(huì)社滋賀八日市事業(yè)所 |
日本電波NX1008AA晶振
NDK最新推出的石英晶體諧振器——NX1008AA晶振,可謂世界級(jí)小體積SMD晶振,尺寸僅有1.0x0.8x0.3mm,具有超小型,厚度超薄等特點(diǎn),可對(duì)應(yīng)高度Max.0.27mm,頻率選用范圍廣.
NX1008AA晶振頻率穩(wěn)定,低損耗,具有高信賴性,最適用于移動(dòng)通信,短距離無(wú)線通信,消費(fèi)類電子用,超小型Wireless LAN、Bluetooth.（短距離無(wú)線用途）NX1008AA石英晶振采用編帶盤(pán)裝,可對(duì)應(yīng)回流焊,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
|
額定頻率范圍(MHz) |
32to80 |
|
尺寸大小(L×W×H:mm) |
1.0×0.8×0.30 |
|
泛波次數(shù) |
Fundamental |
|
頻率偏差(25±3℃) |
±10×10-6 |
|
頻率溫度特性(以25℃為基準(zhǔn)) |
±10×10-6(32to60MHz) |
|
工作溫度范圍(*1)(℃) |
-30to+85 |
|
儲(chǔ)存溫度范圍(℃) |
-40to+85 |
|
等效串聯(lián)阻抗(額定頻率：以上～未滿) |
Max.150Ω(32to37.4MHz) |
|
驅(qū)動(dòng)功率 |
10µW |
|
負(fù)載電容 |
8pF |
|
規(guī)格料號(hào) |
STD-CIY-1 |
臺(tái)灣晶技8A晶振
尺寸僅有1.0x0.8x0.3mm,采用4腳封裝,可通過(guò)高速自動(dòng)貼片機(jī)焊接,常用頻點(diǎn)有37.4M/38.4M/40M/48M等.在產(chǎn)品中使用精度高達(dá)10PPM,20PPM,工作溫度為-30℃~85℃,保存溫度范圍在-40℃~85℃.具有環(huán)保,節(jié)能,高精度,高效,低衰減等特性.主要為各類小型化電子產(chǎn)品,如智能手機(jī),智能手表,智能可穿戴設(shè)備等.
|
晶振規(guī)格 |
單位 |
8A晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
|
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
37.4MHZ~60MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
|
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-30°C～+85°C |
裸存 |
|
工作溫度 |
T_use |
-40°C～+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
|
激勵(lì)功率 |
DL |
200μWMax. |
推薦:1μW～100μW |
|
頻率公差 |
f_—l |
±50×10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30×10-6/-20°C～+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
|
負(fù)載電容 |
CL |
8pF,10PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
|
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C—+85°C,DL=100μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±5×10-6/yearMax. |
+25°C,第一年 |
DX1008JS石英晶體諧振器
日本大真空的DS1008JS晶振和DX1008JS晶振
KDS晶振的DS1008JS晶振,DX1008JS晶振全球最小石英晶體振蕩器采用精細(xì)密封技術(shù)是鍵合技術(shù),KDS晶振集團(tuán)獨(dú)特的生產(chǎn)技術(shù),由晶體和WLP（晶圓級(jí)封裝）的三個(gè)層的鍵合晶片,常規(guī)的結(jié)構(gòu)等效的氣密性它被實(shí)現(xiàn)了.DS1008JS有源晶振,DX1008JS無(wú)源晶振均由保持單元,而無(wú)需使用導(dǎo)電性粘接劑的結(jié)構(gòu)允許所述振動(dòng)部的整體結(jié)構(gòu),解決了由于體積改小導(dǎo)致的精度不穩(wěn)定,以及導(dǎo)電粘合劑的安裝空間問(wèn)題,實(shí)現(xiàn)了在耐沖擊性的改善.另一方面,DS1008JS晶振,DX1008JS晶振采用WLP使生產(chǎn)過(guò)程中的處理變得更加容易.
|
型號(hào)名稱 |
DX1008JS晶振 |
||||
|
頻率范圍 |
48MHz |
52MHz |
80MHz |
96MHz |
120MHz |
|
泛音順序 |
根本 |
||||
|
負(fù)載能力 |
8pF,10pF,12pF |
||||
|
激勵(lì)程度 |
10μW（最大100μW） |
||||
|
頻率容差偏差 |
±20×10-6（25°C時(shí)） |
±100×10-6（25°C時(shí)） |
|||
|
串聯(lián)電阻 |
最大100Ω |
最大60Ω |
最大40Ω |
||
|
頻率溫度特性 |
±30×10-6/-30至+85°C（參考溫度至25°C） |
||||
|
儲(chǔ)存溫度范圍 |
-40至+85°C |
||||
|
包裝單位（1） |
3000個(gè)/卷（φ180） |
||||
DS1008JS石英晶體振蕩器
|
DS1008JS晶振 |
一個(gè)符號(hào) |
標(biāo)準(zhǔn)值 |
條件 |
||||
|
分鐘. |
（典型值）. |
最大. |
單位 |
||||
|
輸出頻率范圍 |
FO |
1 |
- |
100 |
兆赫 |
||
|
電源電壓 |
VCC |
+1.6 |
- |
+3.6 |
V |
||
|
頻率允許偏差 |
f_tol |
-100 |
- |
+100 |
×10-6 |
-40至+125°C |
-20至+70°C |
|
-50 |
- |
+50 |
|||||
|
-30 |
- |
+30 |
-30至+85°C |
||||
|
-20 |
- |
+20 |
|||||
|
-20 |
- |
+20 |
-20至+70°C |
||||
|
當(dāng)前消費(fèi) |
我CC |
- |
- |
1.8 |
毫安 |
fo=24MHz,VCC=+1.8V,無(wú)負(fù)載 |
|
|
待機(jī)電流（＃1引腳“L”） |
I_STD |
- |
- |
0.01 |
毫安 |
||
|
輸出負(fù)載 |
L_CMOS |
- |
- |
15 |
pF的 |
||
|
波形對(duì)稱 |
SYM |
45 |
50 |
55 |
％ |
在50％VCC下,fo<60MHz |
|
|
上升時(shí)間,下降時(shí)間 |
tr,tf |
- |
- |
五 |
NS |
10至90％VCC電平 |
|
|
輸出啟用時(shí)間 |
tPZL |
- |
- |
2 |
MS |
||
|
輸出禁用時(shí)間 |
tPLZ |
- |
- |
200 |
NS |
||
|
OE引腳1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.8 |
- |
- |
V |
||
|
OE引腳0電平輸入電壓 |
VIL |
- |
- |
VCC×0.2 |
V |
||
|
包裝單位（1） |
3000pcs./reel(φ180） |
||||||
SMI晶振,86M0368 -16,86SMX進(jìn)口晶振,6G相關(guān)設(shè)備晶振
日本SMI晶體,53SMX石英晶振,53M320-16,6G基站晶振