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日本大真空晶體,有源晶振,DSO751SB晶振,DSO751SA晶振
頻率：1.8M~90MHZ
尺寸：7.3x4.9mm
日本株式會社大真空KDS晶振集團(tuán)設(shè)立在日本國兵庫縣加古川市平岡町新在家,創(chuàng)業(yè)時間為1959年11月3日,正式注冊成立是在1963年5月8日,當(dāng)時注冊資金高達(dá)321億日元之多,主要從事電子元件以及電子設(shè)備生產(chǎn)銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型晶體諧振器,晶體應(yīng)用產(chǎn)品,石英晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學(xué)產(chǎn)品,硅晶體時鐘設(shè)備,MEMS振蕩器等.
日本株式會社KDS晶振不斷努力為我們的客戶在日本國內(nèi)外提供世界一流的質(zhì)量和滿意程度高.所生產(chǎn)石英晶體,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美國、英國、德國,到中國,新加坡,泰國和其他亞洲國家.以“依賴”為公司方針,以客戶為導(dǎo)向,創(chuàng)新高效的經(jīng)營管理,努力創(chuàng)造利潤,履行企業(yè)社會責(zé)任.
日本大真空株式會社KDS晶振,于1993年被天津政府對外資招商部特別邀請在中國天津投資.日本大真空在當(dāng)年5月份,就在天津市位于武清開發(fā)區(qū)確定投資建廠,品牌是簡稱(KDS)當(dāng)時總額1.4億美元,注冊資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.
日本株式會社大真空KDS晶振自1959年建立以來一直遵從的三個理念“依賴”于“可靠的人”“可靠的產(chǎn)品”和“可靠的公司”.作為全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力幫助實現(xiàn)新一代電子社會,更方便人們更舒適,通過開發(fā)石英晶振, 壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等晶體器件對全球環(huán)境友好.
日本大真空株式會社,KDS晶振品牌實力見證未來,KDS集團(tuán)總公司位于日本兵庫縣加古川,在泰國,印度尼西亞,臺灣,中國天津這些大城市均有壓控振蕩器,貼片晶振,陶瓷霧化片,32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振的生產(chǎn)工廠,而天津KDS工廠是全球石英晶體生產(chǎn)最大量的工廠,自從1993年在天津投產(chǎn)以來,技術(shù)更新從未間斷.
KDS晶振集團(tuán)實施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展.實施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo).
致力于環(huán)境保護(hù),包括預(yù)防污染.在石英晶振晶體產(chǎn)品的規(guī)劃到制造、運(yùn)行維修等整個過程中,努力提供環(huán)保型的產(chǎn)品和服務(wù).在業(yè)務(wù)活動中,努力節(jié)約資源并節(jié)省能源,致力于減少廢棄物和再生資源的回收利用.在積極公開有關(guān)環(huán)境的信息的同時,通過支持環(huán)?；顒?/span>,廣泛地為社會作貢獻(xiàn).致力于保護(hù)生物多樣性和可持續(xù)利用.切實運(yùn)行環(huán)境管理系統(tǒng)PDmCA（Plan-Do-multiple Check-Act）,努力提高環(huán)境性能,不斷改善運(yùn)用系統(tǒng).
KDS晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器在“制造、使用、有效利用、再利用”這樣一個產(chǎn)品生命周期中,努力創(chuàng)造豐富的價值,給社會帶來溫馨和安寧,感動和驚喜,同時為減少環(huán)境影響,努力做好“防止地球變暖、有效利用資源、對化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行管理”,實現(xiàn)與地球的和諧相處.
日本大真空晶體,有源晶振,DSO751SB晶振,DSO751SA晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計匹配技術(shù)：有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題.在設(shè)計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動電壓和產(chǎn)品上升時間、下降時間等相關(guān)參數(shù).
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KDS晶振項目 |
符號 |
DSO751SB晶振規(guī)格說明 |
條件 |
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輸出頻率范圍 |
f0 |
1.8MHz to 90MHz |
請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
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電源電壓 |
VCC |
1.6V to 5V |
請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.gshqh.cn/ |
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H: -40℃ to +105℃ |
|||
|
J: -40℃ to +125℃ |
|||
|
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
|
T: ±150 × 10-6 |
|||
|
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
|
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
|
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
|
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
|
VIL |
20 % VCC Max. |
||
|
上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
|
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
|
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
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KDS晶振項目 |
符號 |
DSO751SA晶振規(guī)格說明 |
條件 |
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輸出頻率范圍 |
f0 |
1.8MHz to 50MHz |
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電源電壓 |
VCC |
1.6V to 5V |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
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H: -40℃ to +105℃ |
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J: -40℃ to +125℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
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待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
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輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
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VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
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振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
在使用日本大真空晶體時應(yīng)注意以下事項
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.日本大真空晶體,有源晶振,DSO751SB晶振,DSO751SA晶振
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.
3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
4：粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）
5：鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用大真空石英晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6：靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
聯(lián)系人黃娜：18924600166
工作QQ:857950243
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