日本KDS晶振,石英晶體振蕩器,DSO321SW晶振
頻率:3M~50MHZ
尺寸:3.2x2.5mm
日本株式會社大真空KDS晶振集團設立在日本國兵庫縣加古川市平岡町新在家,創(chuàng)業(yè)時間為1959年11月3日,正式注冊成立是在1963年5月8日,當時注冊資金高達321億日元之多,主要從事電子元件以及電子設備生產(chǎn)銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型晶體諧振器,石英晶體應用產(chǎn)品,晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學產(chǎn)品,硅晶體時鐘設備,MEMS振蕩器等.
日本株式會社大真空KDS晶振自1959年建立以來一直遵從的三個理念“依賴”于“可靠的人”“可靠的產(chǎn)品”和“可靠的公司”.作為全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力幫助實現(xiàn)新一代電子社會,更方便人們更舒適,通過開發(fā)石英晶振, 壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等晶體器件對全球環(huán)境友好.
日本大真空株式會社KDS晶振,于1993年被天津政府對外資招商部特別邀請在中國天津投資.日本大真空在當年5月份,就在天津市位于武清開發(fā)區(qū)確定投資建廠,品牌是簡稱(KDS)當時總額1.4億美元,注冊資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.
日本株式會社大真空KDS晶振發(fā)展史:
1959年在在神戶市成立加工電子零件和石英晶體,進口晶振,愛普生晶體,KDS晶振,石英水晶振蕩子.
1963公司變更為合股公司組織.
1965開始大規(guī)模生產(chǎn)石英晶體諧振器,32.768K鐘表晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器等部件.
1970年日本株式會社大真空KDS晶振在東京辦事處開業(yè).
1973年開設kurodasho廠(現(xiàn)在的西脅工廠)生產(chǎn)晶體管.
1974年開設川廠(現(xiàn)在的涼廠)是目前人造石英晶體,(SPXO)普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補晶體振蕩器,(OCXO)恒溫晶體振蕩器等生產(chǎn)規(guī)模最大的.
1976年開設宮崎廠(目前九州大真空公司)為音叉型石英晶體諧振器生產(chǎn),在加古川市完成新總部.
1977年成立和諧電子公司建立大真空(美國)有限公司開始向美國市場供應晶體諧振器.
1980年開設鳥取工廠(目前鳥取生產(chǎn)部)對晶體諧振器生產(chǎn)增加.同年開始生產(chǎn)石英晶體濾波器和晶振時鐘.
1981年建立大真空(香港)公司開始提供音叉表晶,晶體振蕩器,有源晶振的香港和中國市場.
1983年大阪證券交易所二期上市.
1984年獨立完成中心實驗室,開設德島工廠(目前德島生產(chǎn)部)作為人造石英晶體的穩(wěn)定的生產(chǎn)基地,部分設備和石英諧振器,開始大規(guī)模生產(chǎn)光學低通濾波器.
1985年打開德島第二廠開始生產(chǎn)陶瓷產(chǎn)品,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振,陶瓷霧化片打開配送中心在加古川市.
1987名古屋辦事處開業(yè).開始的溫度補償晶體振蕩器(TCXO)生產(chǎn)和電壓控制晶體振蕩器(VCXO).
1988建立大真空(新加坡)有限公司加強在東盟地區(qū)銷售.
1989更改公司名稱大真空第三十周年.建立了PT.KDS印度尼西亞啟動海外生產(chǎn)晶體諧振器.
1990-1991大阪證券交易所第一節(jié)上市.建立大真空(德國)公司加強在歐洲的銷售.
1993建立了天津該公司開始音叉型石英晶體諧振器,石英水晶振蕩子,陶瓷振動子,32.768K,時鐘晶體,壓電石英晶體的海外生產(chǎn).
1996日本株式會社大真空KDS晶振獲得ISO9001(國際標準化組織質(zhì)量管理標準).
1998(獲得QS9000質(zhì)量標準/汽車質(zhì)量保證管理體系.)
2000獲得ISO14001(環(huán)境管理體系由國際標準化組織),獲得ISO / TS 16949(技術規(guī)范由國際標準化組織).
2003擴大生產(chǎn)規(guī)模天津加工廠面積,成立上海銳致國際貿(mào)易有限公司加強在中國的銷售.以和諧電子公司為我公司的綜合子公司加強石英晶振,壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等器件業(yè)務.
2010日本株式會社大真空KDS晶振建立大真空(泰國)有限公司.
2012日本株式會社大真空KDS晶振擴大在加古川市中央實驗室的地板尺寸.
2013東京證券交易所第一節(jié)上市.
日本KDS晶振,石英晶體振蕩器,DSO321SW晶振,超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分.低頻晶振可從7.98MHz起對應,小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶體在極端嚴酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術:有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術難題.在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產(chǎn)品上升時間、下降時間等相關參數(shù).
KDS晶振項目 |
DSO321SW晶振符號 |
規(guī)格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
3 MHz to 50MHz |
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電源電壓 |
VCC |
1.8 V to 3.3V |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.gshqh.cn/ |
H: -40℃ to +105℃ |
|||
J: -40℃ to +125℃ |
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
在使用日本KDS晶振時應注意以下事項:
如何正確的使用有源晶振
電處理:
將電源連接到有源晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振,假如損壞那將不會工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會導致低電壓有源晶振,石英晶振產(chǎn)品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會不起振,或者起不到最佳精度.日本KDS晶振,石英晶體振蕩器,DSO321SW晶振
有源晶振的負載電容與阻抗
負載電容與阻抗有源晶振設置一個規(guī)定的負載阻抗值.當一個值除了規(guī)定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導致問題例如:失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據(jù)規(guī)范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,石英晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量儀器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.
機械處理
當有源晶振發(fā)生外置撞擊時,任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產(chǎn)品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導致晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象. 不執(zhí)行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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