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熱門關(guān)鍵詞 : SMD晶振溫補(bǔ)晶振KDS晶振霧化片精工晶振有源晶振TXC晶振CTS晶振京瓷晶振微晶晶振村田晶振

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日本KDS晶振,石英晶體振蕩器,DSO221SR晶振

頻率:0.7M~150MHZ

尺寸:2.5x2.0mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
訂購熱線:0755-27876565
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KDS-2

日本株式會(huì)社大真空KDS晶振集團(tuán)設(shè)立在日本國兵庫縣加古川市平岡町新在家,創(chuàng)業(yè)時(shí)間為1959113,正式注冊(cè)成立是在196358,當(dāng)時(shí)注冊(cè)資金高達(dá)321億日元之多,主要從事電子元件以及電子設(shè)備生產(chǎn)銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型晶體諧振器,晶體應(yīng)用產(chǎn)品,晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學(xué)產(chǎn)品,硅晶體時(shí)鐘設(shè)備,MEMS振蕩器等.

日本株式會(huì)社大真空KDS晶振自1959年建立以來一直遵從的三個(gè)理念“依賴”于“可靠的人”“可靠的產(chǎn)品”和“可靠的公司”.作為全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力幫助實(shí)現(xiàn)新一代電子社會(huì),更方便人們更舒適,通過開發(fā)石英晶振, 壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO晶振)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等晶體器件對(duì)全球環(huán)境友好.

日本株式會(huì)社KDS晶振不斷努力為我們的客戶在日本國內(nèi)外提供世界一流的質(zhì)量和滿意程度高.所生產(chǎn)石英晶體,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美國、英國、德國,到中國,新加坡,泰國和其他亞洲國家.以“依賴”為公司方針,以客戶為導(dǎo)向,創(chuàng)新高效的經(jīng)營管理,努力創(chuàng)造利潤,履行企業(yè)社會(huì)責(zé)任.

日本大真空株式會(huì)社KDS晶振,1993年被天津政府對(duì)外資招商部特別邀請(qǐng)?jiān)谥袊旖蛲顿Y.日本大真空在當(dāng)年5月份,就在天津市位于武清開發(fā)區(qū)確定投資建廠,品牌是簡(jiǎn)稱(KDS)當(dāng)時(shí)總額1.4億美元,注冊(cè)資本4867.3萬美元,占地面積67.5.

日本株式會(huì)社大真空KDS晶振發(fā)展史:

1959年在在神戶市成立加工電子零件和石英晶體,進(jìn)口晶振,愛普生晶體,KDS晶振,石英水晶振蕩子.

1963公司變更為合股公司組織.

1965開始大規(guī)模生產(chǎn)石英晶體諧振器,32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器等部件.

1970年日本株式會(huì)社大真空KDS晶振在東京辦事處開業(yè).

1973年開設(shè)kurodasho廠(現(xiàn)在的西脅工廠)生產(chǎn)晶體管.

1974年開設(shè)川廠(現(xiàn)在的涼廠)是目前人造石英晶體,SPXO)普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補(bǔ)晶體振蕩器,(OCXO)恒溫晶體振蕩器等生產(chǎn)規(guī)模最大的.

1976年開設(shè)宮崎廠(目前九州大真空公司)為音叉型石英晶體諧振器生產(chǎn),在加古川市完成新總部.

1977年成立和諧電子公司建立大真空(美國)有限公司開始向美國市場(chǎng)供應(yīng)晶體諧振器.

1980年開設(shè)鳥取工廠(目前鳥取生產(chǎn)部)對(duì)晶體諧振器生產(chǎn)增加.同年開始生產(chǎn)石英晶體濾波器和晶振時(shí)鐘.

1981年建立大真空(香港)公司開始提供音叉型石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器,有源晶振的香港和中國市場(chǎng).

1983年大阪證券交易所二期上市.

1984年獨(dú)立完成中心實(shí)驗(yàn)室,開設(shè)德島工廠(目前德島生產(chǎn)部)作為人造石英晶體的穩(wěn)定的生產(chǎn)基地,部分設(shè)備和石英諧振器,開始大規(guī)模生產(chǎn)光學(xué)低通濾波器.

1985年打開德島第二廠開始生產(chǎn)陶瓷產(chǎn)品,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振,陶瓷霧化片打開配送中心在加古川市.

1987名古屋辦事處開業(yè).開始的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)生產(chǎn)和電壓控制晶體振蕩器(VCXO.

1988建立大真空(新加坡)有限公司加強(qiáng)在東盟地區(qū)銷售.

1989更改公司名稱大真空第三十周年.建立了PT.KDS印度尼西亞啟動(dòng)海外生產(chǎn)晶體諧振器.

1990-1991大阪證券交易所第一節(jié)上市.建立大真空(德國)公司加強(qiáng)在歐洲的銷售.

1993建立了天津該公司開始音叉型石英晶體諧振器,石英水晶振蕩子,陶瓷振動(dòng)子,32.768K,時(shí)鐘晶體,壓電石英晶體的海外生產(chǎn).

1996日本株式會(huì)社大真空KDS晶振獲得ISO9001(國際標(biāo)準(zhǔn)化組織質(zhì)量管理標(biāo)準(zhǔn)).

1998(獲得QS9000質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)/汽車質(zhì)量保證管理體系.

2000獲得ISO14001(環(huán)境管理體系由國際標(biāo)準(zhǔn)化組織),獲得ISO / TS 16949(技術(shù)規(guī)范由國際標(biāo)準(zhǔn)化組織).

2003擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模天津加工廠面積,成立上海銳致國際貿(mào)易有限公司加強(qiáng)在中國的銷售.以和諧電子公司為我公司的綜合子公司加強(qiáng)石英晶振,壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等器件業(yè)務(wù).

2010日本株式會(huì)社大真空KDS晶振建立大真空(泰國)有限公司.

2012日本株式會(huì)社大真空KDS晶振擴(kuò)大在加古川市中央實(shí)驗(yàn)室的地板尺寸.

2013東京證券交易所第一節(jié)上市.

yijin-1

日本KDS晶振,石英晶體振蕩器,DSO221SR晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.

石英晶振頻率穩(wěn)定度:關(guān)鍵參數(shù),我們的高端晶振可以達(dá)到10-9級(jí)別.指在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi),與標(biāo)稱頻率允許的偏差,PPm(百萬分之一)表示.一般來說,晶振穩(wěn)定度越高或溫度范圍越寬,價(jià)格越高.對(duì)于頻率穩(wěn)定度要求±20ppm或以上的應(yīng)用,可使用普通無補(bǔ)償?shù)氖⒕w振蕩器.對(duì)于介于±1 ±20ppm 的穩(wěn)定度,應(yīng)該考慮溫補(bǔ)晶振TCXO .對(duì)于低于±1ppm 的穩(wěn)定度,應(yīng)該考慮恒溫晶振OCXO.如果客戶有十分特別的頻穩(wěn)要求,我們可根據(jù)客戶要求參數(shù)定做.

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KDS晶振項(xiàng)目

符號(hào)

DSO221SR晶振規(guī)格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

0.7MHz to 150MHz

請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息

電源電壓

VCC

1.8V to 3.3V

請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作溫度

T_use

G: -40 to +85

請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.gshqh.cn/

H: -40 to +105

J: -40 to +125

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

 

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負(fù)載條件、最大工作頻率

待機(jī)電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

 

輸入電壓

VIH

80% VCC Max.

ST 終端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降時(shí)間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC , L_CMOS=15 pF

振蕩啟動(dòng)時(shí)間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 , 初年度,第一年

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DSO221SR

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在使用日本KDS晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

1:抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o論何種進(jìn)口SPXO石英晶體振蕩器,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.

2:輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射.

3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.

4:粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.

5:鹵化合物

請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.日本KDS晶振,石英晶體振蕩器,DSO221SR晶振

6:靜電

過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.

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YJ-6

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