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熱門關(guān)鍵詞 : SMD晶振溫補(bǔ)晶振KDS晶振霧化片精工晶振有源晶振TXC晶振CTS晶振京瓷晶振微晶晶振村田晶振

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日本KDS晶振,有源晶振,DSB221SDA晶振,DSB221SDB晶振

頻率:9.6M~52MHZ

尺寸:2.5x2.0mm

2520mm體積的溫補(bǔ)晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積較小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補(bǔ)償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 對應(yīng)IC可能) 超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.(可對應(yīng)回流焊)無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC(頻率控制)功能,Enable/Disable功能,產(chǎn)品本身可根據(jù)使用需要進(jìn)行選擇.
訂購熱線:0755-27876565
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KDS-1

日本株式會社大真空KDS晶振發(fā)展史:

1959年在在神戶市成立加工電子零件和石英晶體,進(jìn)口晶振,KDS晶振,石英水晶振蕩子.

1963公司變更為合股公司組織.

1965開始大規(guī)模生產(chǎn)石英晶體諧振器,32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器等部件.

1970年日本株式會社大真空KDS晶振在東京辦事處開業(yè).

1973年開設(shè)kurodasho廠(現(xiàn)在的西脅工廠)生產(chǎn)晶體管.

1974年開設(shè)川廠(現(xiàn)在的涼廠)是目前人造石英晶體,SPXO)普通晶體振蕩器,(TCXO晶振)溫補(bǔ)晶體振蕩器,(OCXO)恒溫晶體振蕩器等生產(chǎn)規(guī)模最大的.

1976年開設(shè)宮崎廠(目前九州大真空公司)為音叉型石英晶體諧振器生產(chǎn),在加古川市完成新總部.

1977年成立和諧電子公司建立大真空(美國)有限公司開始向美國市場供應(yīng)晶體諧振器.

1980年開設(shè)鳥取工廠(目前鳥取生產(chǎn)部)對晶體諧振器生產(chǎn)增加.同年開始生產(chǎn)石英晶體濾波器和晶振時(shí)鐘.

1981年建立大真空(香港)公司開始提供音叉型石英晶體諧振器,晶體振蕩器,有源晶振的香港和中國市場.

1983年大阪證券交易所二期上市.

1984年獨(dú)立完成中心實(shí)驗(yàn)室,開設(shè)德島工廠(目前德島生產(chǎn)部)作為人造石英晶體的穩(wěn)定的生產(chǎn)基地,部分設(shè)備和石英諧振器,開始大規(guī)模生產(chǎn)光學(xué)低通濾波器.

1985年打開德島第二廠開始生產(chǎn)陶瓷產(chǎn)品,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振,陶瓷霧化片打開配送中心在加古川市.

1987名古屋辦事處開業(yè).開始的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)生產(chǎn)和電壓控制晶體振蕩器(VCXO.

1988建立大真空(新加坡)有限公司加強(qiáng)在東盟地區(qū)銷售.

1989更改公司名稱大真空第三十周年.建立了PT.KDS印度尼西亞啟動海外生產(chǎn)晶體諧振器.

1990-1991大阪證券交易所第一節(jié)上市.建立大真空(德國)公司加強(qiáng)在歐洲的銷售.

1993建立了天津該公司開始音叉型石英晶體諧振器,石英水晶振蕩子,陶瓷振動子,32.768K,時(shí)鐘晶體,壓電石英晶體的海外生產(chǎn).

1996日本株式會社大真空KDS晶振獲得ISO9001(國際標(biāo)準(zhǔn)化組織質(zhì)量管理標(biāo)準(zhǔn)).

1998(獲得QS9000質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)/汽車質(zhì)量保證管理體系.

2000獲得ISO14001(環(huán)境管理體系由國際標(biāo)準(zhǔn)化組織),獲得ISO / TS 16949(技術(shù)規(guī)范由國際標(biāo)準(zhǔn)化組織).

2003擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模天津加工廠面積,成立上海銳致國際貿(mào)易有限公司加強(qiáng)在中國的銷售.以和諧電子公司為我公司的綜合子公司加強(qiáng)石英晶振,壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等器件業(yè)務(wù).

2010日本株式會社大真空晶振建立大真空(泰國)有限公司.

2012日本株式會社大真空KDS晶振擴(kuò)大在加古川市中央實(shí)驗(yàn)室的地板尺寸.

2013東京證券交易所第一節(jié)上市.

日本大真空晶體三種信賴行為守則:

可靠的人以獨(dú)立、自助、自足的努力作為基本的行動原則,我們將充分利用我們的優(yōu)勢,為社會整體和接近一切真誠和熱情.

可靠的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,,我們將幫助實(shí)現(xiàn)一個(gè)富裕的社會,通過優(yōu)化我們的能力,開發(fā)最好的產(chǎn)品和服務(wù),并提供給我們所有的客戶在世界各地.

可靠的公司,我們努力履行我們的企業(yè)社會責(zé)任,通過持續(xù)的利潤,通過企業(yè)活動,遵守所有的法律法規(guī),尊重他們的精神,注重與全球環(huán)境的和諧.

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日本KDS晶振,有源晶振,DSB221SDA晶振,DSB221SDB晶振,溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無鉛.

 超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術(shù):是超小型、超低頻石英晶振晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問題,為壓電石英晶振行業(yè)的技術(shù)難題之一.KDS晶振具體解決的辦法是使用高速倒邊方式,通過結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會使石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動不穩(wěn)定.

yijin-2

KDS晶振型號

DSB221SDA晶振,DSB221SDB晶振

輸出頻率范圍

9.6M~52MHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz


1.7~+3.5V

電源電壓(Vcc

+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V

消耗電流

+1.5mA max.f26MHz/+2.0mA max.26f52MHz

待機(jī)時(shí)電流

-更多詳細(xì)參數(shù)信息請聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn

輸出電壓

0.8Vp-p min.f52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled

輸出負(fù)載

10kΩ//10pF

頻率穩(wěn)定度

常溫偏差

±1.5×10-6 max.After 2 reflows

溫度特性

±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-30~+85
±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-40
~+85Option

電源電壓特性

±0.2×10-6 max.VCC ±5%

負(fù)載變化特性

±0.2×10-6 max.10kΩ//10pF±10%

長期變化

±1.0×10-6 max./year

頻率控制

控制靈敏度

-

頻率控制極性

-

啟動時(shí)間

2.0ms max.

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DSA221SDA DSB221SDA DSB221SDB

yijin-4在使用日本KDS晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng)

如何正確的使用有源晶振

電處理:

將電源連接到有源晶振,溫補(bǔ)晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振,假如損壞那將不會工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會不起振,或者起不到最佳精度.日本KDS晶振,有源晶振,DSB221SDA晶振,DSB221SDB晶振

有源晶振的負(fù)載電容與阻抗

負(fù)載電容與阻抗有源晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時(shí),指定的值這可能會導(dǎo)致問題例如:失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測量輸出頻率或輸出水平,石英晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測量儀器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測量儀器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.

機(jī)械處理

當(dāng)有源晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強(qiáng)烈的外置撞擊都將會導(dǎo)致晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.    不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器.

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YJ-6

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有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,石英晶振 本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.

KDS晶振,溫補(bǔ)有源晶振,DSB221SJ晶振
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小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

KDS晶振,TCXO晶振,DSB221SE晶振
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溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無鉛.
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晶振系列

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