日本大真空晶振,石英晶體振蕩器,DSA321SDA晶振
頻率:9.6M~52MHZ
尺寸:3.2x2.5mm
日本株式會社大真空KDS晶振發(fā)展史:
1959年在在神戶市成立加工電子零件和石英晶體,進口晶振,愛普生晶體,KDS晶振,石英水晶振蕩子.
1963公司變更為合股公司組織.
1965開始大規(guī)模生產(chǎn)石英晶體諧振器,32.768K鐘表晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器等部件.
1970年日本株式會社大真空KDS晶振在東京辦事處開業(yè).
1973年開設kurodasho廠(現(xiàn)在的西脅工廠)生產(chǎn)晶體管.
1974年開設川廠(現(xiàn)在的涼廠)是目前人造石英晶體,(SPXO)普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補晶體振蕩器,(OCXO)恒溫晶體振蕩器等生產(chǎn)規(guī)模最大的.
1976年開設宮崎廠(目前九州大真空公司)為音叉型石英晶體諧振器生產(chǎn),在加古川市完成新總部.
1977年成立和諧電子公司建立大真空晶振(美國)有限公司開始向美國市場供應晶體諧振器.
1980年開設鳥取工廠(目前鳥取生產(chǎn)部)對晶體諧振器生產(chǎn)增加.同年開始生產(chǎn)KDS晶振,石英晶體濾波器和晶振時鐘.
1981年建立大真空(香港)公司開始提供音叉型石英晶體諧振器,晶體振蕩器,有源晶振的香港和中國市場.
1983年大阪證券交易所二期上市.
1984年獨立完成中心實驗室,開設德島工廠(目前德島生產(chǎn)部)作為人造石英晶體的穩(wěn)定的生產(chǎn)基地,部分設備和石英諧振器,開始大規(guī)模生產(chǎn)光學低通濾波器.
1985年打開德島第二廠開始生產(chǎn)陶瓷產(chǎn)品,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振,陶瓷霧化片打開配送中心在加古川市.
1987名古屋辦事處開業(yè).開始的溫度補償晶體振蕩器(TCXO)生產(chǎn)和電壓控制晶體振蕩器(VCXO).
1988建立大真空(新加坡)有限公司加強在東盟地區(qū)銷售.
1989更改公司名稱大真空第三十周年.建立了PT.KDS印度尼西亞啟動海外生產(chǎn)晶體諧振器.
1990-1991大阪證券交易所第一節(jié)上市.建立大真空(德國)公司加強在歐洲的銷售.
1993建立了天津該公司開始音叉型石英晶體諧振器,石英水晶振蕩子,陶瓷振動子,32.768K,時鐘晶體,壓電石英晶體的海外生產(chǎn).
1996日本株式會社大真空KDS晶振獲得ISO9001(國際標準化組織質(zhì)量管理標準).
1998(獲得QS9000質(zhì)量標準/汽車質(zhì)量保證管理體系.)
2000獲得ISO14001(環(huán)境管理體系由國際標準化組織),獲得ISO / TS 16949(技術規(guī)范由國際標準化組織).
2003擴大生產(chǎn)規(guī)模天津加工廠面積,成立上海銳致國際貿(mào)易有限公司加強在中國的銷售.以和諧電子公司為我公司的綜合子公司加強石英晶振,壓控晶體振蕩器(VCXO)、壓控溫補晶振(VC-TCXO)溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等器件業(yè)務.
2010日本株式會社大真空KDS晶振建立大真空(泰國)有限公司.
2012日本株式會社大真空KDS晶振擴大在加古川市中央實驗室的地板尺寸.
2013東京證券交易所第一節(jié)上市.
日本株式會社大真空KDS晶振自1959年建立以來一直遵從的三個理念“依賴”于“可靠的人”“可靠的產(chǎn)品”和“可靠的公司”.作為全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力幫助實現(xiàn)新一代電子社會,更方便人們更舒適,通過開發(fā)石英晶振, 壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等晶體器件對全球環(huán)境友好.
日本株式會社KDS晶振不斷努力為我們的客戶在日本國內(nèi)外提供世界一流的質(zhì)量和滿意程度高.所生產(chǎn)石英晶體,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美國、英國、德國,到中國,新加坡,泰國和其他亞洲國家.以“依賴”為公司方針,以客戶為導向,創(chuàng)新高效的經(jīng)營管理,努力創(chuàng)造利潤,履行企業(yè)社會責任.
日本大真空晶振,石英晶體振蕩器,DSA321SDA晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領域,符合RoHS/無鉛.
KDS石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).
KDS晶振型號 |
DSA321SDA晶振 |
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輸出頻率范圍 |
9.6~52MHz |
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標準頻率 |
19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz |
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電源電壓范圍 |
+1.7~+3.5V |
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電源電壓(Vcc) |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗電流 |
+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz)/+2.5mA max.(f≦60MHz) |
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待機時電流 |
-更多晶振參數(shù)信息請聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
|
輸出負載 |
10kΩ//10pF |
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頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-30~+85℃ |
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電源電壓特性 |
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) |
|
負載變化特性 |
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) |
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長期變化 |
±1.0×10-6 max./year |
|
頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V |
頻率控制極性 |
正極性 |
在使用日本大真空晶振時應注意以下事項
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.
3:化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.日本大真空晶振,石英晶體振蕩器,DSA321SDA晶振
4:粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用3225壓控溫補晶體振蕩器,石英晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.
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