1XXD16368MGA,TCXO振蕩器,KDS大真空晶振,DSB211SDN,日本進(jìn)口晶振
頻率:16.368MHz
尺寸:2.0*1.6mm
1XXD16368MGA,TCXO振蕩器,KDS大真空晶振,DSB211SDN,日本進(jìn)口晶振
溫度補(bǔ)償晶體振蕩器又稱溫補(bǔ)晶振,是在一定的溫度范圍內(nèi)通過一定的補(bǔ)償方式(比如電容補(bǔ)償、熱敏電阻網(wǎng)絡(luò)補(bǔ)償?shù)龋┒3志w振蕩器的輸出頻率在一定的精度范圍內(nèi)的晶體振蕩器。它具有開機(jī)特性好、功耗低、頻率-溫度穩(wěn)定性高等特點(diǎn)。
1XXD16368MGA,TCXO振蕩器,KDS大真空晶振,DSB211SDN,日本進(jìn)口晶振
類型 | DSB211SDN (TCXO) |
頻率范圍 | 12.288?52MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 | 16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz |
電源電壓范圍 | +1.68 to +3.5V |
電源電壓 (VCC) | +1.8V / +2.6V / +2.8V / +3.0V / +3.3V |
電流消耗 |
+1.5mA max. (f≦26MHz) / +2.0mA max. (26 |
輸出電平 | 0.8Vp-p min. (f≦52MHz) (Clipped Sinewave/DC-coupled) |
輸出負(fù)載 | 10kΩ//10pF |
頻率穩(wěn)定性 |
±0.5×10-6,±2.5×10-6 以下 / -30 至 +85°C
±0.5×10-6,±2.5×10-6 以下 / -40 至 +85°C
|
啟動(dòng)時(shí)間 | 最大 2.0ms |
包裝單位 | 3000 個(gè)/卷 (Φ180) |
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1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長(zhǎng)時(shí)間的照射.
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.
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