1TJN090DP1A0004,進(jìn)口大真空晶振,DST1210A,32.768K晶體
頻率:32.768KHz
尺寸:1.2*1.0*0.35mm
1TJN090DP1A0004,進(jìn)口大真空晶振,DST1210A,32.768K晶體
DST1210A貼片石英晶體諧振器,又簡稱為排帶包裝,有兩腳和四腳兩種引腳封裝尺寸。產(chǎn)品采用排帶盤式包裝,使產(chǎn)品在焊接時(shí)能采用SMT自動(dòng)貼片機(jī)高速的焊接,大大節(jié)約人工,提高工作效率。KDS晶振中的1TJN090DP1A0004 的頻率是32.768K,負(fù)載電容為9PF,尺寸是1.2*1.0mm,為1210貼片晶振,是尺寸超小型四腳SMD音叉晶體諧振器,厚度僅為0.3mm,帶有金屬蓋的陶瓷封裝,提供高精度和可靠性,適用于移動(dòng)通信、消費(fèi)類設(shè)備、智能卡和可穿戴設(shè)備等。
KDS晶振石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).
1TJN090DP1A0004,進(jìn)口大真空晶振,DST1210A,32.768K晶體
類型 | DST1210A |
頻率范圍 | 32.768 KHz |
負(fù)載電容 | 7pF、9pF、12.5pF |
驅(qū)動(dòng)器級別 | 0.1μW(最大 0.2μW) |
頻率容差 | ±20×10-6 (25°C 時(shí)) |
串聯(lián)電阻 | 最大 80kΩ |
周轉(zhuǎn)溫度 | +25°C±5°C |
拋物線系數(shù) | -0.04×10-6 / °C2 以下 |
工作溫度范圍 | -40 至 +85°C |
儲(chǔ)存溫度范圍 | -40 至 +85°C |
分流電容 | 1.0pF (典型值) |
包裝單位 | 3000個(gè) |
1TJN090DP1A0004,進(jìn)口大真空晶振,DST1210A,32.768K晶體
1TJN090DP1A0004,進(jìn)口大真空晶振,DST1210A,32.768K晶體
在使用晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射.
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解KDS石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂. KDS晶振,貼片晶振,DST1210A大真空晶體
6:靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.
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小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
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