32.768K音叉晶體,1TJL070DR1A0009,日本KDS大真空,DST1610AL晶振
頻率:32.768KHz
尺寸:1.6*1.0*0.3mm
32.768K音叉晶體,1TJL070DR1A0009,日本KDS大真空,DST1610AL晶振
日本大真空株式會(huì)社中編碼為 1TJL070DR1A0009 的KDS晶振頻率是32.768KHz,負(fù)載電容為7pF,尺寸是1.6*1.0mm,為超小型、薄型、SMD音叉型晶體,厚度僅為0.3mm,帶有金屬蓋的陶瓷封裝,精度高和可靠性高,支持多種應(yīng)用,包括移動(dòng)通信設(shè)備和消費(fèi)設(shè)備,智能卡和可穿戴設(shè)備等。蓋子和背面端子連接以防止噪音,并可連接到GND。1610貼片晶振,石英晶體諧振器,32.768K晶振,進(jìn)口音叉晶體。
KDS貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定.
32.768K音叉晶體,1TJL070DR1A0009,日本KDS大真空,DST1610AL晶振
類型 | DST1610AL |
頻率范圍 | 32.768 KHz |
負(fù)載電容 | 4pF、6pF、7pF、9pF、12.5pF |
驅(qū)動(dòng)器級別 | 0.1μW(最大 0.5μW) |
頻率容差 | ±20×10-6 (25°C 時(shí)) |
串聯(lián)電阻 | 最大 80kΩ |
頂點(diǎn)溫度 | +25°C±5°C |
拋物線系數(shù) | -0.04×10-6 / °C2 以下 |
工作溫度范圍 | -40 至 +85°C |
儲(chǔ)存溫度范圍 | -40 至 +85°C |
分流電容 | 1.2pF (典型值) |
包裝單位 | 3000個(gè) |
32.768K音叉晶體,1TJL070DR1A0009,日本KDS大真空,DST1610AL晶振
32.768K音叉晶體,1TJL070DR1A0009,日本KDS大真空,DST1610AL晶振
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射.
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.
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