精工晶振,3*8晶振,VT-308晶振
頻率:32.768KHz
尺寸:3*8mm
工作溫度:-40℃~+60℃
保存溫度:-40℃~+85℃
負(fù)載電容:12.5pF
表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面插件音叉型石英晶體諧振器,具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性.
自1881年創(chuàng)業(yè)以來,精工晶振公司已不斷地向全世界推出了各種具有革新性的商品和服務(wù). 比如有源晶振,貼片晶振, 石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等。SEIKO生產(chǎn)的石英晶振型號并不是很多,但是質(zhì)量絕對可以和日產(chǎn)任何一個(gè)大品牌“媲美”。在石英振子這一方面,SII也是做的非常之出色的,目前,能夠與日本精工晶振全球同等級競爭的,只有日本大真空KDS。
精工晶振,3*8晶振,VT-308晶振.插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性。32.768KHz圓柱晶體,3*8mm音叉型插件晶振,VT-308晶振
精工晶振 |
單位 |
VT-308晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +60°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
0.5μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
12.5pF |
不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
石英晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如VT-308晶振從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。32.768KHz圓柱晶體,3*8mm音叉型插件晶振,VT-308晶振
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致圓柱石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。精工晶振,3*8晶振,VT-308晶振
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞3*8插件晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。
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晶振系列
日本進(jìn)口晶振
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- NAKA晶振
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臺(tái)產(chǎn)晶振
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32.768K
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