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西鐵城晶振,有源晶振,SSX-750P晶振

頻率：1.000MHz-125.000MHz

尺寸：7.0x5.0x1.6mm

汽車電子的要求也比科技數(shù)碼產(chǎn)品高的多,特別是耐溫這塊,都有一定的要求值,比如：7050mm體積貼片晶振適用于汽車電子領(lǐng)域的表面石英貼片晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

訂購熱線：0755-27876565

CT-2

日本西鐵城株式會社品牌【CITIZEN】,該品牌創(chuàng)立時間在1918年,早期主要研發(fā)與生產(chǎn)時計產(chǎn)品,在1959年西鐵城成功研發(fā)出防水,防振的手表,從此轟動世界成為了個性時尚品牌.在1975年西鐵城會社成立了西鐵城株式會社水晶事業(yè)部,從此研發(fā)音叉型壓電石英水晶振動子.微晶晶振,進(jìn)口晶振

西鐵城株式會社晶振集團(tuán),作為全球企業(yè)可持續(xù)的社會的實現(xiàn),集團(tuán)一體推進(jìn)地球環(huán)境保全活動.推進(jìn)了環(huán)境考慮的產(chǎn)品和服務(wù)的產(chǎn)品和服務(wù).為了提供社會,努力維護(hù)地球環(huán)境.遵守環(huán)境相關(guān)的法令、條例、限制、協(xié)定及其他要求事項,環(huán)境負(fù)荷的降低和污染的防止努力.

西鐵城株式會社工廠、辦公室節(jié)能、省資源、資源循環(huán)、化學(xué)物質(zhì)的合理管理推動,地球溫暖化防止及循環(huán)型社會的實現(xiàn)貢獻(xiàn).與采購單位、供應(yīng)商等的客戶合作,溫室效應(yīng)氣體削減,資源的有效利用,努力對晶振,日本進(jìn)口晶振,壓控晶振,溫補(bǔ)晶振的化學(xué)物質(zhì)的管理強(qiáng)化等.地域社會環(huán)境保全活動及生物多樣性保全活動的參加,環(huán)境関搭配等的信息積極的公開的事,與社會的交流的知識進(jìn)一步加深協(xié)調(diào)進(jìn)一步的協(xié)調(diào).這個環(huán)境方針是根據(jù)文件等的全體職員以及共同工作的人們.按照這個環(huán)境方針,設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),確實是落實,對其進(jìn)行重新評估,努力持續(xù)改善.

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西鐵城晶振,有源晶振,SSX-750P晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術(shù)：是超小型、超低頻SPXO石英晶振元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問題,為壓電石英晶振行業(yè)的技術(shù)難題之一.我公司億金電子具體解決的辦法是使用高速倒邊方式,通過結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機(jī)器運(yùn)動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動不穩(wěn)定.

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西鐵城晶振項目	符號	SSX-750P晶振規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	1.000MHz-125.000MHz	請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	更多詳情歡迎咨詢http://www.gshqh.cn/
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

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SSX-750P

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西鐵城晶振使用注意事項
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.
3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
4：粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）西鐵城晶振,有源晶振,SSX-750P晶振
5：鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用西鐵城晶振,貼片晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6：靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.