NDK晶振,石英晶振,NX5032SA晶振,NX5032SD晶振,NX5032SA-13.000000MHZ-G1晶振
頻率:9.75M~40MHZ
尺寸:5.0x3.2mm
日本電波工業(yè)株式會(huì)社NDK晶振經(jīng)營(yíng)范圍:晶體諧振器、晶體振蕩器等晶體元器件、應(yīng)用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關(guān)產(chǎn)品的制造與銷(xiāo)售
NDK晶振日本電波工業(yè)株式會(huì)社作為壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器、晶體元器件的專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)廠家,以“通過(guò)對(duì)客戶(hù)的服務(wù),為社會(huì)繁榮和世界和平作出貢獻(xiàn)”的創(chuàng)業(yè)理念為基礎(chǔ)于1948年成立.
NDK晶振日本電波工業(yè)株式會(huì)社所說(shuō)的LCA指的是“生命周期評(píng)估”,它包括評(píng)估產(chǎn)品的壽命.在這里,產(chǎn)品的生命不僅僅是產(chǎn)品本身的制造階段,而是包括原料組成產(chǎn)品的零件/材料的開(kāi)采階段,包括產(chǎn)品的制造階段,銷(xiāo)售階段,包括到產(chǎn)品交付給用戶(hù)使用的階段,包括產(chǎn)品使用由用戶(hù)和維修/維護(hù)參與它,和處置階段,通過(guò)用戶(hù)廢棄產(chǎn)品回收,回收或處置.在ISO14000系列環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)中也建立了國(guó)際標(biāo)準(zhǔn).
NDK晶振日本電波工業(yè)株式會(huì)社超低電壓驅(qū)動(dòng)的CO2排放量(0.8V ~)型時(shí)鐘振蕩器(nz2520sf)采用最先進(jìn)的技術(shù)和傳統(tǒng)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)(2700系列)是由環(huán)境LCA技術(shù)相比.二氧化碳排放量的計(jì)算量的部分制造,產(chǎn)品制造和我們的產(chǎn)品納入筆記本電腦的功耗,以及產(chǎn)品運(yùn)輸?shù)娜剂舷牧?/span>.所采用的分析方法是“現(xiàn)場(chǎng)類(lèi)型”,研究工廠和生產(chǎn)線單位的功耗,然后從產(chǎn)品的總金額,每產(chǎn)品的功耗.
NDK晶振,石英晶振,NX5032SA晶振,NX5032SD晶振,NX5032SA-13.000000MHZ-G1晶振,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類(lèi)移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類(lèi)及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定.
NDK晶振規(guī)格 |
單位 |
NX5032SA晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
11.0592MHZ~40MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-20°C ~ +75°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
10PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
NDK晶振規(guī)格 |
單位 |
NX5032SD晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
9.75MHZ~40MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +125°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
NX5032SA晶振尺寸圖:
NX5032SD晶振尺寸圖:
在使用NDK晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):
晶體產(chǎn)品線路焊接安裝時(shí)注意事項(xiàng)
耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
(1)柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
晶振產(chǎn)品類(lèi)型 |
晶振焊接條件 |
插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下 |
手工焊接+300°C或低于3秒鐘 |
SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號(hào)晶振高溫可達(dá)260°,有些只可達(dá)230° |
+260°C或低于@最大值 10 s |
(2)SMD產(chǎn)品回流焊接條件圖
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷.請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息.NDK晶振,石英晶振,NX5032SA晶振,NX5032SD晶振,NX5032SA-13.000000MHZ-G1晶振
盡可能使溫度變化曲線保持平滑:
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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- 加高晶振,貼片晶振,HSX531S晶振,HSX532SK晶振
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晶振系列
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霧化片
貼片晶振
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- 32.768K有源晶振
- 8.0x3.8晶振
- 7.1x3.3晶振
- 7.0x1.5晶振
- 5.0x1.8晶振
- 4.1x1.5晶振
- 3.2x1.5晶振
- 2.0x1.2晶振
- 1.6x1.0晶振
- 1.2x1.0晶振
- 圓柱晶振
聲表面濾波器
石英晶振
KDS晶振
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- EPSON無(wú)源晶振
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- EPSON溫補(bǔ)晶振
- EPSON壓控溫補(bǔ)晶振
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NDK晶振
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