NDK晶振,石英晶振,NX2016SF晶振,NX2016SA晶振,NX2016SA-26MHZ-EXS00A-CS06025晶振
頻率:16M~80MHZ
尺寸:2.0x1.6mm
貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
NDK晶振日本電波工業(yè)株式會(huì)社作為壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器、晶體元器件的專業(yè)生產(chǎn)廠家,以“通過(guò)對(duì)客戶的服務(wù),為社會(huì)繁榮和世界和平作出貢獻(xiàn)”的創(chuàng)業(yè)理念為基礎(chǔ)于1948年成立.
現(xiàn)在我們作為提供電子業(yè)必不可少的,在豐富用途被廣泛使用的晶體元器件產(chǎn)品以及應(yīng)用水晶技術(shù)的傳感器等新的高附加價(jià)值產(chǎn)品的頻率綜合生產(chǎn)廠家,正以企業(yè)的繼續(xù)成長(zhǎng)為目標(biāo)而努力.
日本電波工業(yè)株式會(huì)社NDK晶振經(jīng)營(yíng)范圍:晶體諧振器、晶體振蕩器等晶體元器件、應(yīng)用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關(guān)產(chǎn)品的制造與銷售
經(jīng)營(yíng)理念:
要認(rèn)識(shí)到作為世界一流廠家的使命和責(zé)任,要始終在行業(yè)中起帶頭作用.
日本電波工業(yè)株式會(huì)社NDK晶振搶先取得社會(huì)需求,為客戶提供高質(zhì)量的服務(wù)與晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振.
追求使用更方便、更穩(wěn)定的發(fā)振源,創(chuàng)造更高的附加價(jià)值.
NDK晶振日本電波工業(yè)株式會(huì)社不畏失敗,向困難挑戰(zhàn),努力培養(yǎng)出能自我開發(fā)的人才.
通過(guò)工作發(fā)揚(yáng)人格.
尊重個(gè)人,努力提高員工的生活水平.
以與關(guān)系公司、供貨商及包括地區(qū)社會(huì)在內(nèi)的共同繁榮來(lái)回報(bào)投資者.
致力于保護(hù)地球環(huán)境,擔(dān)負(fù)起責(zé)任.
NDK晶振,石英晶振,NX2016SF晶振,NX2016SA晶振,NX2016SA-26MHZ-EXS00A-CS06025晶振,2016mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無(wú)線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應(yīng)用到,手機(jī)藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無(wú)線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無(wú)線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無(wú)鉛.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài).
NDK晶振規(guī)格 |
單位 |
NX2016SF晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
19.2MHZ~52MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-30°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
NDK晶振規(guī)格 |
單位 |
NX2016SA晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
16MHZ~80MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
NX2016SF晶振尺寸圖
NX2016SA晶振尺寸圖
在使用NDK晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射.NDK晶振,石英晶振,NX2016SF晶振,NX2016SA晶振,NX2016SA-26MHZ-EXS00A-CS06025晶振
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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晶振系列
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石英晶振
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