CITIZEN晶振,貼片晶振.CXS-750FC晶振,CXS-750FB晶振
頻率:1.000MHz-75.000MHz
尺寸:7.5x5.0mm
7050mm體積的石英晶體振蕩器,7050貼片晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,普通有源晶振產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無鉛對(duì)應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
西鐵城石英晶振集團(tuán)創(chuàng)立于1959年7月28日,當(dāng)時(shí)注冊(cè)資金高達(dá)17億多,所做產(chǎn)品涉及領(lǐng)域較廣,自動(dòng)車部品,壓電水晶振蕩子,水晶振蕩器,石英晶體振蕩器及水晶片,映像用電子機(jī)器,液晶顯示器,光通信用部品,工業(yè)機(jī)械裝置,精密計(jì)測(cè)機(jī)械,小型精密金屬加工部件等.
西鐵城晶振發(fā)展史:
1959年手表的組裝工廠生產(chǎn)和御代田精密株式會(huì)社設(shè)立
1960年手表的零部件制造廠和河口湖精密株式會(huì)社設(shè)立(后的西鐵城西洋網(wǎng)股份有限公司)
1963年軸承石的生產(chǎn)的目的,シメオ精密株式會(huì)社(后的西鐵城精密科技股份有限公司)成立
1964年計(jì)量器類(刻度規(guī))的生產(chǎn)開始
1973年西鐵城使用晶振鐘表用步進(jìn)馬達(dá)磁鐵的生產(chǎn)開始
1974年フジミ株式會(huì)社設(shè)立
1975年鐘表用音叉型水晶振動(dòng)子片,壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體開始生產(chǎn)
環(huán)保理念:西鐵城株式會(huì)社晶振集團(tuán),作為全球企業(yè)可持續(xù)的社會(huì)的實(shí)現(xiàn),集團(tuán)一體推進(jìn)地球環(huán)境保全活動(dòng).推進(jìn)了環(huán)境考慮的產(chǎn)品和服務(wù)的產(chǎn)品和服務(wù).為了提供社會(huì),努力維護(hù)地球環(huán)境.遵守環(huán)境相關(guān)的法令、條例、限制、協(xié)定及其他要求事項(xiàng),環(huán)境負(fù)荷的降低和污染的防止努力.
西鐵城株式會(huì)社工廠、辦公室節(jié)能、省資源、資源循環(huán)、化學(xué)物質(zhì)的合理管理推動(dòng),地球溫暖化防止及循環(huán)型社會(huì)的實(shí)現(xiàn)貢獻(xiàn).與采購單位、供應(yīng)商等的客戶合作,溫室效應(yīng)氣體削減,資源的有效利用,努力對(duì)晶振,石英晶振的化學(xué)物質(zhì)的管理強(qiáng)化等.地域社會(huì)環(huán)境保全活動(dòng)及生物多樣性保全活動(dòng)的參加,環(huán)境関搭配等的信息積極的公開的事,與社會(huì)的交流的知識(shí)進(jìn)一步加深協(xié)調(diào)進(jìn)一步的協(xié)調(diào).這個(gè)環(huán)境方針是根據(jù)文件等的全體職員以及共同工作的人們.按照這個(gè)環(huán)境方針,設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),確實(shí)是落實(shí),對(duì)其進(jìn)行重新評(píng)估,努力持續(xù)改善.
西鐵城株式會(huì)社有限公司.進(jìn)行協(xié)同集團(tuán)全球環(huán)境保全措施作為全球業(yè)務(wù)支持一個(gè)可持續(xù)發(fā)展的社會(huì)的發(fā)展.
CITIZEN晶振,貼片晶振.CXS-750FC晶振,CXS-750FB晶振, 貼片石英晶振最適合用于車載電子領(lǐng)域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對(duì)應(yīng)有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分簡(jiǎn)稱為時(shí)鐘晶體振蕩器,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定.
西鐵城晶振項(xiàng)目 |
符號(hào) |
CXS-750FC晶振,CXS-750FB晶振規(guī)格 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
1.000MHz-75.000MHz |
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
電源電壓 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
更多詳情歡迎咨詢http://www.gshqh.cn/ |
H: -40℃ to +105℃ |
|||
J: -40℃ to +125℃ |
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
在使用西鐵城晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,SMD晶振其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長(zhǎng)時(shí)間的照射.
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶體諧振器或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)CITIZEN晶振,貼片晶振.CXS-750FC晶振,CXS-750FB晶振,日本進(jìn)口晶振
5:鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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