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京瓷晶振,貼片晶振,CX1210DB晶振,CX1210SB晶振

頻率：37.4M~52MHZ

尺寸：1.2x1.0mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn).

訂購熱線：0755-27876565

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京瓷株式會(huì)社晶振集團(tuán)為打造能讓客戶滿意的質(zhì)量,京瓷集團(tuán)制定了“京瓷質(zhì)量方針”. 所有業(yè)務(wù)均根據(jù)該京瓷品質(zhì)方針來開展,力爭(zhēng)成為全球信賴的企業(yè).另外,從計(jì)劃階段著手,致力于為客戶提供滿意的產(chǎn)品.京瓷質(zhì)量方針：1.優(yōu)先考慮地球環(huán)境與產(chǎn)品安全.2.堅(jiān)持客戶第一原則,提供富有魅力的產(chǎn)品與服務(wù).3.從最初開始,正確地工作,成為全球質(zhì)量領(lǐng)軍企業(yè).

京瓷株式會(huì)社晶振集團(tuán)主要生產(chǎn)銷售石英水晶振蕩子,陶瓷振動(dòng)子,32.768K,時(shí)鐘晶體,壓電石英晶體,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等器件,他的第一個(gè)字母“K”環(huán)起了陶瓷這一英文的第一個(gè)字母“C”,它由象征追求更廣闊的領(lǐng)域,展翅面向未來的企業(yè)商標(biāo)和企業(yè)標(biāo)識(shí)構(gòu)成.1982年10月,公司由“京都陶瓷株式會(huì)社”變更為“京瓷株式會(huì)社”之際,便開始啟用這一標(biāo)識(shí).作為象征性標(biāo)記的顏色,選擇了富有熱情和挑戰(zhàn)意味的紅色 .

“The New Value Frontier”(即在最尖端領(lǐng)域不斷創(chuàng)造新價(jià)值)是京瓷向社會(huì)發(fā)出的能夠表現(xiàn)公司強(qiáng)烈意愿的宣言.京瓷將發(fā)揮集團(tuán)的綜合實(shí)力,用獨(dú)有的技術(shù)和視角開辟和構(gòu)筑時(shí)代與市場(chǎng)所求的價(jià)值形態(tài).

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京瓷晶振,貼片晶振,CX1210DB晶振,CX1210SB晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài).

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京瓷晶振規(guī)格	單位	CX1210DB晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	12.00MHZ~54.0MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +105°C	裸存
工作溫度	T_use	-30°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6?(標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6?～ ±50 × 10^-6?可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C —? +85°C,?DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6?/ year Max.	+25°C,第一年

京瓷晶振規(guī)格	單位	CX1210SB晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	27.12MHZ~32MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +105°C	裸存
工作溫度	T_use	-30°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6?(標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6?～ ±50 × 10^-6?可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.gshqh.cn
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C —? +85°C,?DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6?/ year Max.	+25°C,第一年

CX1210DB晶振尺寸圖：

CX1210DB 1.2_1.0 CX1210SB晶振尺寸圖：

CX1210SB 1.2_1.0

yijin-4 在使用京瓷晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)

1：抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.

2：輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長(zhǎng)時(shí)間的照射.

3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.

4：粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

5：鹵化合物

請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.京瓷晶振,貼片晶振,CX1210DB晶振,CX1210SB晶振

6：靜電

過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.

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深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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CX1210DB晶振 1.2x1.0mm石英晶振京瓷晶振

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