西鐵城晶振,石英晶振,CS325晶振,CS325S晶振,CS325H晶振,CS325S25000000ABJT晶振
頻率:12M~54MHZ
尺寸:3.2x2.5mm
西鐵城石英晶振為工業(yè)市場提供高性能和精密設(shè)備,不斷開發(fā)新技術(shù)和新技術(shù)在我們的制造業(yè)和工程.我們有一個良好的信譽在市場上特別是對我們的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等高精密零件使用我們自己的核心技術(shù)和脆性材料和微顯示高清圖片是必需的.是盡一切努力來改善我們的技術(shù)和發(fā)展提供有價值的服務(wù)我們的客戶,即使這是一個利基市場.
西鐵城奉行的管理政策是“標(biāo)題作為紀(jì)念公司保持活著在這個時代”.日本制造業(yè)可持續(xù)發(fā)展的業(yè)務(wù)形式將在這樣一個追求快速多變的經(jīng)濟(jì),而重視個人、社會和環(huán)境問題.西鐵城試圖滿足你的期望在電子設(shè)備領(lǐng)域的龍頭企業(yè).
西鐵城株式會社晶振集團(tuán),作為全球企業(yè)可持續(xù)的社會的實現(xiàn),集團(tuán)一體推進(jìn)地球環(huán)境保全活動.推進(jìn)了環(huán)境考慮的產(chǎn)品和服務(wù)的產(chǎn)品和服務(wù).為了提供社會,努力維護(hù)地球環(huán)境.遵守環(huán)境相關(guān)的法令、條例、限制、協(xié)定及其他要求事項,環(huán)境負(fù)荷的降低和污染的防止努力.
西鐵城晶振集團(tuán)嚴(yán)格遵守國家有關(guān)工程建設(shè)法律、法規(guī),不斷提高員工的質(zhì)量意識和能力,履行合約、信守承諾,堅持開拓創(chuàng)新,不斷提升企業(yè)的施工技術(shù)素質(zhì)和質(zhì)量管理水平,以科學(xué)學(xué)嚴(yán)密的施工管理和真誠的服務(wù)讓業(yè)主高度滿意.
嚴(yán)格遵守國家職業(yè)安全健康法律、法規(guī),培養(yǎng)員工的安全意識和能力,持續(xù)改進(jìn)職業(yè)安全健康管理績效,預(yù)先采取安全措施,消除或降低危險,優(yōu)先選用安全系數(shù)高的材料、設(shè)備及工藝,提高事故預(yù)防水平,創(chuàng)造良好的工作環(huán)境,保障員工的身心健康.
西鐵城晶振,石英晶振,CS325晶振,CS325S晶振,CS325H晶振,CS325S25000000ABJT晶振,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機,無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減?。?/span>3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一
西鐵城晶振規(guī)格 |
單位 |
CS325/CS325H晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12MHZ~54MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
西鐵城晶振規(guī)格 |
單位 |
CS325S晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12MHZ~54MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
CS325晶振/CS325H晶振尺寸圖:
CS325H晶振尺寸圖:
在使用CITIZEN晶振時應(yīng)注意以下事項:
石英晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品.請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響.條件改變時,請重新檢查安裝條件.同時,在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機器或其他電路板等.
每個封裝類型的注意事項
陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂).尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時,務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法.西鐵城晶振,石英晶振,CS325晶振,CS325S晶振,CS325H晶振,CS325S25000000ABJT晶振
陶瓷包裝石英晶振
在一個不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性.
(2)陶瓷封裝貼片晶振
在一個不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝貼片晶振時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性.
產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開裂),也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞.當(dāng)石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時,應(yīng)在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂.當(dāng)該引腳需修復(fù)時,請勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正.在該密封部分上施加一定壓力,會導(dǎo)致氣密性受到損壞.所以在此處請不要施加壓力.另外,為避負(fù)機器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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