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西鐵城晶振,石英晶體,CM519晶振,CM51932768DZFT晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：4.9*1.8mm

晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

訂購(gòu)熱線：0755-27876565

CT-2

西鐵城晶振公司環(huán)保環(huán)境與發(fā)展對(duì)策：實(shí)行可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略。采取有效措施，防治工業(yè)污染。提高能源利用效率，改善能源結(jié)構(gòu)。運(yùn)用經(jīng)濟(jì)手段保護(hù)環(huán)境。大力推進(jìn)科技進(jìn)步，加強(qiáng)環(huán)境科學(xué)研究，積極發(fā)展環(huán)境保護(hù)產(chǎn)業(yè)。健全環(huán)境法規(guī)，強(qiáng)化環(huán)境管理。加強(qiáng)環(huán)境教育，不斷提高環(huán)境意識(shí)。

1.努力保護(hù)全球環(huán)境的環(huán)保意識(shí)進(jìn)行環(huán)保生產(chǎn)和提供產(chǎn)品以及服務(wù)給消費(fèi)者.

2.遵守環(huán)境法律、法規(guī)、條例、規(guī)則、協(xié)議、和其他需求,努力降低環(huán)境影響,防止污染.

3.減少能源消耗,開展資源節(jié)約、資源回收和適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)管理工廠和辦公室,導(dǎo)致全球變暖的預(yù)防和循環(huán)型社會(huì)的建立.

4.與供應(yīng)商和其他業(yè)務(wù)伙伴合作,減少溫室氣體的排放,有效利用資源,加強(qiáng)產(chǎn)品化學(xué)物質(zhì)管理.

5.參與社區(qū)環(huán)境保護(hù)和生物多樣性保護(hù)項(xiàng)目和主動(dòng)披露信息有關(guān)環(huán)保措施與社區(qū)加強(qiáng)溝通與和諧.

6.分發(fā)文件和采取其他措施,以確保所有員工和其他處理組熟悉的環(huán)境政策.

我們?cè)O(shè)定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo)按照這一政策,工作穩(wěn)步朝著這些目標(biāo)和目標(biāo),評(píng)估和審查,并持續(xù)改進(jìn).

西鐵城晶振,石英晶體,CM519晶振,CM51932768DZFT晶振,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無(wú)線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.

石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。 yijin-2

西鐵城晶振規(guī)格	單位	CM519晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.gshqh.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	7pF ～ ∞	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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CM519

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如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率比目標(biāo)頻率高，要增加石英晶體諧振器的電容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低頻率到目標(biāo)頻率，反之亦然。請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調(diào)整頻率。如果它的改善，這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況。該晶振應(yīng)正常后，諧振點(diǎn)的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率，我們可以通過以下三種方法改進(jìn)：
方法1：降低產(chǎn)品線路外部電容（Cd和CG）的值，并通過晶體具有較低負(fù)載電容（CL）。
方法2：采用小電阻（RR）的晶體。
方法3：使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。

我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來(lái)節(jié)省成本，保證安全。請(qǐng)用頻率計(jì)數(shù)器來(lái)測(cè)量所述晶體，以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn)。如果頻率不符合規(guī)格，請(qǐng)采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率。請(qǐng)采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率，反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作，由于輸出頻率會(huì)偏差很大,西鐵城晶振,石英晶體,CM519晶振,CM51932768DZFT晶振

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石英晶體諧振器西鐵城貼片晶振 CM519晶振 CM51932768DZFT晶振

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