壓控溫補晶振,1XXA10000MBA,進口石英振蕩器,DSA221SDN,日本KDS晶振
頻率:10.000MHz
尺寸:2.5*2.0*0.8mm
壓控溫補晶振,1XXA10000MBA,進口石英振蕩器,DSA221SDN,日本KDS晶振
日本大真空晶振的DSA221SDN具有高穩(wěn)定的頻率溫度特性,為對應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品,(可對應(yīng)DC +1.8V /+2.6V /+2.8V /+3.0V /+3.3V)高度:最高0.9 mm,超小型,輕型。低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品。(可對應(yīng)回流焊) 無鉛產(chǎn)品。滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求。其編碼為1XXA10000MBA的晶振,頻率是10MHz,為VC-TCXO晶振,也叫壓控溫補晶振,是進口石英晶體振蕩器,2520尺寸,為2520貼片晶振。VC-TCXO應(yīng)用:智能手機晶體,無線基站,精密儀器,GPS衛(wèi)星,汽車應(yīng)用等。
日本株式會社大真空KDS晶振集團設(shè)立在日本國兵庫縣加古川市平岡町新在家,創(chuàng)業(yè)時間為1959年11月3日,正式注冊成立是在1963年5月8日,當(dāng)時注冊資金高達321億日元之多,主要從事電子元件以及電子設(shè)備生產(chǎn)銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型晶體諧振器,晶體應(yīng)用產(chǎn)品,晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學(xué)產(chǎn)品,硅晶體時鐘設(shè)備,MEMS振蕩器等.
壓控溫補晶振,1XXA10000MBA,進口石英振蕩器,DSA221SDN,日本KDS晶振
類型 | DSA221SDN (VC-TCXO) |
頻率范圍 | 9.6?52MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 | 19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz |
電源電壓范圍 | +1.68?+3.5V |
電源電壓(Vcc) | +1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
消耗電流 | +1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz) |
輸出電壓 | 0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
輸出負(fù)載 | 10kΩ//10pF |
常溫偏差 | ±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-30~+85℃ ±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-40~+85℃ (Option) |
包裝單位 | 3000pcs./reel(φ180) |
壓控溫補晶振,1XXA10000MBA,進口石英振蕩器,DSA221SDN,日本KDS晶振
壓控溫補晶振,1XXA10000MBA,進口石英振蕩器,DSA221SDN,日本KDS晶振
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.
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