IDT晶振,XUH晶振,有源晶振
頻率:0.016~167MHz
尺寸:7.0x5.0mm
IDT 晶振集團(tuán)是電子元件行業(yè)協(xié)會(huì) (ECIA) 的正式成員,電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)是電子元器件制造商及其供應(yīng)商授權(quán)分銷合作伙伴和獨(dú)立現(xiàn)場(chǎng)銷售代表組成的非營(yíng)利性行業(yè)協(xié)會(huì).此協(xié)會(huì)的宗旨是促進(jìn)和改善電子元器件授權(quán)銷售的商業(yè)環(huán)境.
IDT晶振集團(tuán)開發(fā)了能夠與處理器,存儲(chǔ)器等數(shù)字系統(tǒng),其他半導(dǎo)體以及物理世界連接的半導(dǎo)體解決方案.IDT認(rèn)為作為一名行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者努力解決我們環(huán)境所面臨的挑戰(zhàn)以及社會(huì)需求是我們義不容辭的責(zé)任.IDT晶振作為較為出色的國(guó)際企業(yè),致力于研發(fā)生產(chǎn)銷售晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器等水晶元件.不斷提高生產(chǎn)技術(shù)以及開發(fā)更多高精密石英晶體元器件.IDT 的集成電路被全球的通信、計(jì)算和消費(fèi)產(chǎn)業(yè)廣泛采用,在全球各地設(shè)有研發(fā)生產(chǎn)以及運(yùn)營(yíng)銷售基地.
IDT晶振,XUH晶振,有源晶振,SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定.
IDT晶振型號(hào) |
符號(hào) |
XUH晶振(5070) |
輸出規(guī)格 |
- |
HCMOS |
輸出頻率范圍 |
fo |
0.016~167MHz |
電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40~+85℃ |
運(yùn)行溫度范圍 |
T_use |
-10~+70℃ ,-40~+85℃ |
消耗電流 |
ICC |
30mA max. (fo≦170MHz), |
待機(jī)時(shí)電流(#1引腳"L") |
I_std |
10μA max. |
輸出負(fù)載 |
Load-R |
50Ω |
波形對(duì)稱 |
SYM |
45?55% [at outputs cross point] |
0電平電壓 |
VOL |
-0.15~0.15V |
1電平電壓 |
VOH |
0.58~0.85V |
上升時(shí)間 下降時(shí)間 |
tr, tf |
0.5ns max. [0.175?0.525V Level] |
差分輸出電壓 |
⊿VOD1, VOD2 |
-更多詳細(xì)產(chǎn)品資料請(qǐng)聯(lián)系億金電子http://www.gshqh.cn |
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
- |
補(bǔ)償電壓 |
VOS |
- |
補(bǔ)償電壓誤差 |
⊿VOS |
- |
交叉點(diǎn)電壓 |
Vcr |
250~550mV |
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
輸出禁用時(shí)間 |
tPLZ |
200ns |
輸出使能時(shí)間 |
tPZL |
2ms |
周期抖動(dòng)(1) |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
總抖動(dòng)(1) |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
相位抖動(dòng) |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
在使用IDT晶振時(shí)應(yīng)該注意以下事項(xiàng):
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長(zhǎng)時(shí)間的照射.IDT晶振,XUH晶振,有源晶振
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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