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Sitime晶振,貼片晶振,SiT8924B晶振

頻率：1M~110MHZ

尺寸：7.0x5.0mm

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27876565

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SiTime石英晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器在100多個應(yīng)用程序中被超過1000個客戶使用.我們的最大容量設(shè)計是在網(wǎng)絡(luò)、消費者、計算和存儲部分.2011年,我們開始為電信、無線和工業(yè)應(yīng)用提供產(chǎn)品.SiTime于2013年進入智能手機市場,推出了首個移動電話MEMS振蕩器,目前在可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用領(lǐng)域正在迅速發(fā)展.

SiTime晶振公司,MEMS和模擬半導(dǎo)體公司,提供了業(yè)界最好的時間解決方案.我們的團隊熱衷于解決高性能電子產(chǎn)品中最困難的時間問題.我們已經(jīng)向世界各地的客戶運送了超過6.25億臺設(shè)備,占MEMS時間的90%,并且年增長率超過50%.SiTime是MegaChips公司(東京證券交易所:6875)的獨立子公司, 主要以生產(chǎn)高精度石英晶體振蕩器,可編程晶體振蕩器等器件為主.
在過去的幾十年里,石英晶體振蕩器、時鐘發(fā)生器和石英晶體諧振器是電子器件中主要的參考計時元件.由于沒有其他選擇,OEMs和ODMs接受了石英定時裝置固有的局限性.現(xiàn)在,有了強大的MEMS諧振器和高性能模擬電路,SiTime晶振公司已經(jīng)開發(fā)出突破石英器件限制的突破性解決方案,研發(fā)出高性能貼片晶振,石英晶體振蕩器,可編程石英晶體振蕩器等.

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Sitime晶振,貼片晶振,SiT8924B晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型?薄型是對應(yīng)陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

石英晶振在選用晶片時應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高.對于晶振的條片,長邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸.

對于圓片晶振,X、Z 軸較難區(qū)分,所以石英晶振對精度要求高的產(chǎn)品（如部分定單的 UM-1）,會在 X 軸方向進行拉弦（切掉一小部分）,以利于晶振的晶片有方向的裝架點膠,點膠點點在 Z 軸上.保證晶振產(chǎn)品的溫度特性.石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計：石英晶振產(chǎn)品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率；2.往外界引出電極；3.改變電阻；4.抑制雜波.第1、2、3項相對簡單,第4項的設(shè)計很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導(dǎo)致第4項的變化.特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設(shè)計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對電極的設(shè)計提出了更精準(zhǔn)的要求.

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項目	符號	規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	1M~110MHZ	請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯(lián)系我們查看更多資料：http://www.gshqh.cn
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

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在使用SITIME晶振時應(yīng)注意以下事項：

1：抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.

2：輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.Sitime晶振,貼片晶振,SiT8924B晶振

3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.

4：粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

5：鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.

6：靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.

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深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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Sitime晶振 SiT8924B晶振 7050有源貼片晶振

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