Sitime晶振,有源晶振,SiT2025晶振
頻率:115.2M~137MHZ
尺寸:2.9x2.8mm
在過去的幾十年里,石英晶體振蕩器、時鐘發(fā)生器和石英晶體諧振器是電子器件中主要的參考計時元件.由于沒有其他選擇,OEMs和ODMs接受了石英定時裝置固有的局限性.現(xiàn)在,有了強大的MEMS諧振器和高性能模擬電路,Sitime晶振公司已經(jīng)開發(fā)出突破石英器件限制的突破性解決方案,研發(fā)出高性能貼片晶振,石英晶體振蕩器,可編程石英晶體振蕩器等.
SiTime石英晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器在100多個應用程序中被超過1000個客戶使用.我們的最大容量設計是在網(wǎng)絡、消費者、計算和存儲部分.2011年,我們開始為電信、無線和工業(yè)應用提供產(chǎn)品.SiTime于2013年進入智能手機市場,推出了首個移動電話MEMS振蕩器,目前在可穿戴設備和物聯(lián)網(wǎng)應用領域正在迅速發(fā)展.
Sitime晶振,有源晶振,SiT2025晶振,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振高精度晶片的拋光技術:貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).
項目 |
符號 |
規(guī)格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
115.2M~137MHZ |
請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息 |
電源電壓 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
請聯(lián)系我們以了解更多相關信息 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請聯(lián)系我們查看更多資料:http://www.gshqh.cn |
H: -40℃ to +105℃ |
|||
J: -40℃ to +125℃ |
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
在使用SiTime晶振時應注意以下事項:
所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供.
噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象.
電源線路
電源的線路阻抗應盡可能低.
輸出負載
建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間).
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作.同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND.
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.Sitime晶振,有源晶振,SiT2025晶振
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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