5032進(jìn)口晶振,VCTCXO振蕩器,OEDA晶振,進(jìn)口Pletronics晶振,OEDA013-26.0M
頻率:26MHz
尺寸:5.00 x 3.20mm
5032進(jìn)口晶振,VCTCXO振蕩器,OEDA晶振,進(jìn)口Pletronics晶振,OEDA013-26.0M
在電子設(shè)備對(duì)頻率穩(wěn)定性和靈活性要求不斷提高的當(dāng)下,Pletronics 的 OEDA013 - 26.0M有源晶振展現(xiàn)出卓越性能。這是一款進(jìn)口的 5032 封裝 VCTCXO(壓控溫補(bǔ)晶體振蕩器)。其 5032 貼片封裝設(shè)計(jì)小巧,符合現(xiàn)代電子設(shè)備小型化、集成化趨勢(shì),方便在電路板上安裝。作為 VCTCXO 振蕩器,它結(jié)合了溫度補(bǔ)償和壓控功能。先進(jìn)的溫度補(bǔ)償技術(shù)能實(shí)時(shí)感知環(huán)境溫度變化,動(dòng)態(tài)調(diào)整輸出頻率,確保在不同溫度條件下都能輸出精準(zhǔn)的 26.0MHz 頻率。同時(shí),壓控功能允許用戶通過(guò)電壓對(duì)頻率進(jìn)行微調(diào),以滿足特定應(yīng)用場(chǎng)景的需求。該5032貼片晶振具備良好的抗干擾能力,能在復(fù)雜電磁環(huán)境中穩(wěn)定工作。廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、無(wú)線模塊等領(lǐng)域,為設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和精準(zhǔn)頻率控制提供有力支持。
5032進(jìn)口晶振,VCTCXO振蕩器,OEDA晶振,進(jìn)口Pletronics晶振,OEDA013-26.0M
Parameter | Min | Typ | Max | Unit | |||||
Frequency Range 2 | 8.192 | - | 40.0 | MHz | |||||
Frequency Stability vs. Temperature 2 |
- - - |
- |
±200 ±100 ±50 |
ppb | |||||
Frequency Initial Calibration | - | ±2.0 | ppm | ||||||
Operable Temperature Range 2 | -40 | - | +85 | °C | |||||
Supply Voltage 1, 2 VCC | 2.8 | - | 3.3 | V | |||||
Supply Current 2 ICC | - |
3.5 4.5 6.5 |
- | mA | |||||
Frequency Stability vs. Supply | - | - | ±0.2 | ppm | |||||
Frequency Stability vs. Load | - | - | ±0.2 | ppm | |||||
Vcontrol Range | 0.5 | - | 2.5 | V | |||||
Frequency Pullability 2 (VCTCXO) | ±5 | - | - | ppm | |||||
Linearity | - | - | ±2.0 | % | |||||
Output Waveform | CMOS有源晶振 | ||||||||
Duty Cycle | 40 | 50 | 60 | % | |||||
Output VHIGH | 90 | - | - | %Vcc | |||||
Output VLOW | - | - | 10 | %Vcc | |||||
Output TRISE and TFALL | - | - | 6.5 | nS | |||||
Startup Time | - | - | 10.0 | mS | |||||
Output Enable (Pad 5) | 0.7Vcc | - | - | V | |||||
Output Disable (Pad 5) | - | - | 0.3Vcc | V | |||||
Long Term Stability (Aging) | - | - | ±1.0 | ppm | |||||
Phase Noise 100 Hz
1 kHz
10 kHz
100 kHz
1 MHz
|
- |
-122 -142 -154 -157 -159 |
- | dBc/Hz | |||||
Jitter | - | 0.3 | - | pS | |||||
Storage Temperature Range | -55 | - | +95 | °C |
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5032進(jìn)口晶振,VCTCXO振蕩器,OEDA晶振,進(jìn)口Pletronics晶振,OEDA013-26.0M
所有有源晶振產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
5、鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用石英晶振產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。
6、靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
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美國(guó)FMI貼片晶振,VC-TCXO晶振,FMVTCXS2系列,3225進(jìn)口晶振,石英振蕩器
美國(guó)FMI貼片晶振中的FMVTCXS2系列頻率范圍是10~52MHz,頻率公差為±2.0 ppm,該晶振的電源電壓為1.8V/2.5V/3.3V,尺寸是3.2x2.5mm,為3225進(jìn)口晶振,體積小型,屬于VC-TCXO晶振,具有低功耗,低耗能,低電壓,低抖動(dòng),低差損,低電平,低損耗,低電源電壓等特點(diǎn)。該晶振適用于智能手機(jī)晶振,無(wú)線基站,精密儀器,GPS衛(wèi)星,汽車(chē)應(yīng)用等。美國(guó)FMI制造高質(zhì)量的電壓控制溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(VC-TCXO)產(chǎn)品包括HCMOS、TTL和正弦波振蕩器設(shè)計(jì),他們產(chǎn)品在無(wú)線通信等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用便攜式電話、甚高頻/超高頻收音機(jī)、有線電視、GPS儀器、鎖相環(huán)電路、自動(dòng)頻率控制電路和射頻(RF)模塊。
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