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Pletronics晶振,有源晶振,LV55D晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,LV55J晶振,LV55K晶振

頻率：13M~220MHZ

尺寸：5.0x3.2mm

差分晶振的使用特點(diǎn)在于能夠從50MHZ頻率做到700MHZ的超高頻點(diǎn).特別是“SAW單元極低的抖動(dòng)振蕩器”能達(dá)到聲表面波等要求值,簡(jiǎn)稱為“低抖動(dòng)振蕩器”.此款晶振電源電壓相較于之前能夠做到2.5V~3.3V之間,其工作溫度以及儲(chǔ)存溫度范圍遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了普通晶振,達(dá)到了-45°~+100°的溫度范圍

訂購熱線：0755-27876565

PLE-1

Pletronics晶振公司創(chuàng)建于1979年,主要研發(fā)生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶體,石英晶體振蕩器等元件.至今已有超過30年之久的工程和制造經(jīng)驗(yàn).所生產(chǎn)的產(chǎn)品使用范圍廣包括亞洲、歐洲和北美的制造業(yè).Pletronics晶振公司擁有國際工程,物流和銷售支持.產(chǎn)品設(shè)計(jì)創(chuàng)新,價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)有優(yōu)勢(shì),訂貨交期時(shí)間短在業(yè)界具有較好的聲譽(yù).

Pletronics晶振公司關(guān)注用戶需求,不斷研發(fā)新品,改善現(xiàn)有產(chǎn)品.能夠滿足不同客戶對(duì)于石英晶振, 貼片晶振,溫補(bǔ)晶體振蕩器等頻率控制元件的需求提供一個(gè)完整的解決方案.

Pletronics晶振公司運(yùn)用ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)進(jìn)行環(huán)境管理,盡最大可能減小業(yè)務(wù)活動(dòng)對(duì)環(huán)境造成的負(fù)擔(dān),并通過業(yè)務(wù)發(fā)展推進(jìn)環(huán)境改善.

yijin-1

Pletronics晶振,有源晶振,LV55D晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,LV55J晶振,LV55K晶振，差分石英晶體振蕩器、差分晶振使用于網(wǎng)絡(luò)路由器、SATA,光纖通信,10G以太網(wǎng)、超速光纖收發(fā)器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備中.網(wǎng)絡(luò)設(shè)備對(duì)高標(biāo)準(zhǔn)參考時(shí)鐘的需求尤其突出,要求做為系統(tǒng)性能重要參數(shù)的相位抖動(dòng)具備低抖動(dòng)特征.使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識(shí)別小信號(hào),能夠從容精確地處理'雙極'信號(hào),對(duì)外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.差分石英晶振滿足市場(chǎng)需求,實(shí)現(xiàn)高頻高精度等要求,更加保障了各種系統(tǒng)參考時(shí)鐘的可靠性.

有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù)：有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題.在設(shè)計(jì)過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù).

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Pletronics晶振型號(hào)	符號(hào)	LV55D晶振
輸出規(guī)格	-	LVDS
輸出頻率范圍	fo	13M～220MHz
電源電壓	V_CC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
頻率公差（含常溫偏差）	f_tol	±50×10^-6 max., ±100×10^-6 max.
保存溫度范圍	T_stg	-40～+85℃
運(yùn)行溫度范圍	T_use	-10～+70℃ ,-40～+85℃
消耗電流	I_CC	20mA max.
待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"）	I_std	10μA max.
輸出負(fù)載	Load-R	100Ω (Output-OutputN)
波形對(duì)稱	SYM	45～55% [at outputs cross point]
0電平電壓	V_OL	-更多晶振參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn
1電平電壓	V_OH	-
上升時(shí)間下降時(shí)間	tr, tf	0.4ns max. [20?80% Output-OutputN]
差分輸出電壓	V_OD1, V_OD2	0.247～0.454V
差分輸出誤差	⊿V_OD	50mV [⊿V_OD=｜V_OD1V_OD2｜]
補(bǔ)償電壓	V_OS	1.125～1.375V
補(bǔ)償電壓誤差	⊿V_OS	50mV
交叉點(diǎn)電壓	Vcr	-
OE端子0電平輸入電壓	V_IL	V_CC×0.3 max.
OE端子1電平輸入電壓	V_IH	V_CC×0.7 min.
輸出禁用時(shí)間	tPLZ	200ns
輸出使能時(shí)間	tPZL	2ms
周期抖動(dòng)（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖動(dòng)（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
總抖動(dòng)（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10^-12) (2)]
相位抖動(dòng)	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

Pletronics晶振型號(hào)	符號(hào)	LV55F晶振
輸出規(guī)格	-	LVDS
輸出頻率范圍	fo	13～220MHz
電源電壓	V_CC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
頻率公差（含常溫偏差）	f_tol	±50×10^-6 max., ±100×10^-6 max.
保存溫度范圍	T_stg	-40～+85℃
運(yùn)行溫度范圍	T_use	-10～+70℃ ,-40～+85℃
消耗電流	I_CC	20mA max.
待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"）	I_std	10μA max.
輸出負(fù)載	Load-R	100Ω (Output-OutputN)
波形對(duì)稱	SYM	45～55% [at outputs cross point]
0電平電壓	V_OL	-更多晶振參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系我們http://www.gshqh.cn
1電平電壓	V_OH	-
上升時(shí)間下降時(shí)間	tr, tf	0.4ns max. [20?80% Output-OutputN]
差分輸出電壓	V_OD1, V_OD2	0.247～0.454V
差分輸出誤差	⊿V_OD	50mV [⊿V_OD=｜V_OD1V_OD2｜]
補(bǔ)償電壓	V_OS	1.125～1.375V
補(bǔ)償電壓誤差	⊿V_OS	50mV
交叉點(diǎn)電壓	Vcr	-
OE端子0電平輸入電壓	V_IL	V_CC×0.3 max.
OE端子1電平輸入電壓	V_IH	V_CC×0.7 min.
輸出禁用時(shí)間	tPLZ	200ns
輸出使能時(shí)間	tPZL	2ms
周期抖動(dòng)（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖動(dòng)（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
總抖動(dòng)（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10^-12) (2)]
相位抖動(dòng)	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

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lv55d 2.5v 5.0-3.2 LVDS

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在使用Pletronics晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng)：

產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)

1. 驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明石英晶體振蕩器所需電功率,其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示石英晶振的有效電阻,而且 Re=R1（1+Co/CL）2.

2. 振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩.為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻.

zdbc

3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中晶振的負(fù)載電容不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示.電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS.
其中CS表示電路的雜散電容.Pletronics晶振,有源晶振,LV55D晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,LV55J晶振,LV55K晶振

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YJ-6

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LV55D晶振 5032差分有源晶振 Pletronics晶振

跟此產(chǎn)品相關(guān)的產(chǎn)品 / Related Products

: CTS晶振,差分晶振,653晶振,654PL晶振,655晶振; 差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達(dá)到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動(dòng)差分晶振是目前行業(yè)中具有高要求,高技術(shù)的石英晶體振蕩器,差分石英晶體振蕩器相位低,低損耗等特點(diǎn),差分晶振的頻率相對(duì)都比較高,比如從50MHz起可以做到700MHz,特別是“SAW單元極低的抖動(dòng)振蕩器”能達(dá)到聲表面波等要求值,簡(jiǎn)稱為“低抖動(dòng)振蕩器”電源電壓做到2.5V-3.3V之間,工作溫度,以及儲(chǔ)存溫度非常寬,客戶實(shí)驗(yàn)證明工作溫度可以到達(dá)低溫-50度高溫到100度,頻率穩(wěn)定度在±20PPM值,輸出電壓低抖動(dòng)晶振能達(dá)到1V,起振時(shí)間為0秒,隨機(jī)抖動(dòng)性能在0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.相位抖動(dòng)能從0.3ps Max-1ps Max.

: EPSON晶振,差分晶振,SG5032VAN晶振; 差分晶振的使用特點(diǎn)在于能夠從50MHZ頻率做到700MHZ的超高頻點(diǎn).特別是“SAW單元極低的抖動(dòng)振蕩器”能達(dá)到聲表面波等要求值,簡(jiǎn)稱為“低抖動(dòng)振蕩器”.此款晶振電源電壓相較于之前能夠做到2.5V~3.3V之間,其工作溫度以及儲(chǔ)存溫度范圍遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了普通晶振,達(dá)到了-45°~+100°的溫度范圍,差分晶振的精度值（PPM）可精確到±10PM,普通晶振達(dá)不到的輸出電壓,差分晶振做到了1V,起振時(shí)間超快為0秒,隨機(jī)抖動(dòng)性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是較為常見的,相位抖動(dòng)能從0.3ps Max-1ps Max.