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LVDS差分晶振,LV3344JEV-100.0MDK,以太網(wǎng)晶振,Pletronics貼片晶振,LV33J振蕩器
頻率：100MHz
尺寸：2.50 x 2.00mm
LVDS差分晶振,LV3344JEV-100.0MDK,以太網(wǎng)晶振,Pletronics貼片晶振,LV33J振蕩器
在以太網(wǎng)通信領(lǐng)域，Pletronics有源晶振的 LV3344JEV-100.0MDK 晶振扮演著至關(guān)重要的角色。它是一款 LVDS（低壓差分信號(hào)）差分晶振，采用貼片式封裝，這種小巧的設(shè)計(jì)符合現(xiàn)代電子設(shè)備小型化、集成化的發(fā)展趨勢，能輕松適配各類緊湊的電路板。LVDS 差分信號(hào)傳輸方式賦予了該進(jìn)口石英晶振強(qiáng)大的抗干擾能力。在復(fù)雜的電磁環(huán)境中，差分信號(hào)可以有效抑制共模干擾，保證信號(hào)的純凈度和穩(wěn)定性。其精準(zhǔn)輸出 100.0MHz 的頻率，為以太網(wǎng)設(shè)備提供了穩(wěn)定且高速的時(shí)鐘信號(hào)，確保數(shù)據(jù)能夠快速、準(zhǔn)確地在網(wǎng)絡(luò)中傳輸。無論是企業(yè)級(jí)的以太網(wǎng)交換機(jī)，還是家庭網(wǎng)絡(luò)中的路由器，LV33J石英晶體振蕩器都能憑借其卓越的性能，保障網(wǎng)絡(luò)設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行，減少數(shù)據(jù)丟包和傳輸延遲，提升網(wǎng)絡(luò)通信的質(zhì)量和效率。
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| Parameter | Min | Typ | Max | Unit | ||
| Frequency Range 2 (Fo) | 100 | - | 320 | MHz | ||
|
Frequency Stability 2
± 20 = 20*, ± 25 = 44, ± 50 = 45
|
±20 | - | ±50 | ppm | ||
| Operating Temperature Range 2 |
-10 -20 -40 -40 -40 |
- |
+70 +70 +85 +105 +125 |
°C | ||
| Supply Voltage 1, 2 (VCC) | 2.97 | 3.3 | 3.63 | V | ||
| Supply Current (ICC) | - | - | 35 | mA | ||
| Output Type | LVDS差分晶振 | |||||
| Differential Output Voltage (VOD) | 247 | - | 454 | mV | ||
| Output Offset Voltage (VOS) | 1.125 | 1.25 | 1.375 | V | ||
| Differential Output Error (ΔVOD) | - | - | 50 | mV | ||
| Output Amplitude (VOPP) | 494 | - | - | mV | ||
| Output TRISE and TFALL | - | - | 0.4 | ns | ||
| Startup Time | - | - | 5 | ms | ||
| Duty Cycle | 45 | - | 55 | % | ||
| VDISABLE (VIL) | - | - | 30 | %Vcc | ||
| VENABLE (VIH) | 70 | - | - | |||
| Enable Time | - | - | 5 | ms | ||
| Disable Time | - | - | 200 | ns | ||
| Enable/Disable Internal Pull-up | 30 | 70 | 150 | Kohm | ||
|
Output Leakage VOUT = VCC VOUT = 0V |
- -10 |
- |
+10 - |
µA | ||
| Standby Current | - | - | 30 | µA | ||
| rms Phase Jitter | - | 0.05 | 0.1 | ps | ||
|
Phase Noise 1 kHz
10 kHz
100 kHz 1 MHz 10 MHz 20 MHz |
- |
-134 -152 -159 -162 -164 -164 |
- | dBc/Hz | ||
| Storage Temperature Range | -55 | - | +125 | °C | ||
LVDS差分晶振,LV3344JEV-100.0MDK,以太網(wǎng)晶振,Pletronics貼片晶振,LV33J振蕩器
LVDS差分晶振,LV3344JEV-100.0MDK,以太網(wǎng)晶振,Pletronics貼片晶振,LV33J振蕩器
所有有源晶振產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
5、鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用石英晶振產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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