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GXO-U108L/AI-33.333MHz,CMOS有源晶振,Golledge貼片晶振,GXO-U108L石英晶振

頻率：33.333MHz

尺寸：7.5 x 5.0 x 1.4mm

GXO-U108L/AI-33.333MHz,CMOS有源晶振,Golledge貼片晶振,GXO-U108L石英晶振 Golledge 的 GXO - U108L/AI - 33.333MHz 石英晶振，憑借精準(zhǔn)的頻率輸出、CMOS 有源設(shè)計(jì)的優(yōu)勢(shì)、適應(yīng)現(xiàn)代生產(chǎn)的貼片封裝形式以及可靠的品牌品質(zhì)，成為了電子設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵元件，為推動(dòng)電子技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用發(fā)揮著重要作用。作為貼片晶振，GXO - U108L 采用了適合表面貼裝技術(shù)（SMT）的封裝形式。這種封裝形式具有尺寸小、重量輕的優(yōu)點(diǎn)，能夠有效節(jié)省電路板的空間，滿足現(xiàn)代電子設(shè)備小型化、集成化的發(fā)展趨勢(shì)。同時(shí)，貼片封裝便于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。在大規(guī)模生產(chǎn)過(guò)程中，能夠快速、準(zhǔn)確地將晶振安裝到電路板上，保證產(chǎn)品的一致性和可靠性。

訂購(gòu)熱線：0755-27876565

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Golledge 在晶振制造領(lǐng)域擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)和卓越的技術(shù)實(shí)力，以高品質(zhì)和創(chuàng)新精神著稱(chēng)。GXO - U108L 有源晶振經(jīng)過(guò)了嚴(yán)格的質(zhì)量檢測(cè)和性能驗(yàn)證，從原材料的選擇到生產(chǎn)工藝的把控，每一個(gè)環(huán)節(jié)都遵循著嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)。其可靠的品質(zhì)和出色的性能，贏得了眾多客戶的信賴(lài)，廣泛應(yīng)用于通信、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、汽車(chē)電子等多個(gè)領(lǐng)域。無(wú)論是在高溫、低溫、潮濕等惡劣環(huán)境下，還是面對(duì)復(fù)雜的電磁干擾，該石英晶體振蕩器都能保持穩(wěn)定的性能，為電子設(shè)備的長(zhǎng)期可靠運(yùn)行提供堅(jiān)實(shí)保障。
Golledge晶振的 GXO - U108L/AI - 33.333MHz 石英晶振，憑借精準(zhǔn)的頻率輸出、CMOS 有源設(shè)計(jì)的優(yōu)勢(shì)、適應(yīng)現(xiàn)代生產(chǎn)的貼片封裝形式以及可靠的品牌品質(zhì)，成為了電子設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵元件，為推動(dòng)電子技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用發(fā)揮著重要作用。
作為7050貼片晶振，GXO - U108L 采用了適合表面貼裝技術(shù)（SMT）的封裝形式。這種封裝形式具有尺寸小、重量輕的優(yōu)點(diǎn)，能夠有效節(jié)省電路板的空間，滿足現(xiàn)代電子設(shè)備小型化、集成化的發(fā)展趨勢(shì)。同時(shí)，貼片封裝便于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。在大規(guī)模生產(chǎn)過(guò)程中，能夠快速、準(zhǔn)確地將晶振安裝到電路板上，保證產(chǎn)品的一致性和可靠性。

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Frequency range	12.0kHz ~ 170MHz
Dimensions	7.5 x 5.0 x 1.4mm
Storage temperature range	-55 to +125°C
Supply voltage (VDD)	+3.3V (±0.3V)
Supply current	12mA max (≤32.0MHz)
	17mA max (>32.0 ~ 50.0MHz)
	18mA max (>50.0 ~ 67.0MHz)
	40mA max (>67.0 ~ 125MHz)
	50mA max (>125 ~ 170MHz)
Logic levels	‘0’ level = 10%VDD max
Logic levels	‘1’ level = 90%VDD min
Start up time	5ms max (≤32MHz)
Start up time	10ms max (>32MHz)
Waveform symmetry	45:55 max (≤50.0MHz)
Waveform symmetry	40:60 max (>50.0MHz)
Driving ability	10 LSTTL
Driving ability	15pF CMOS輸出晶振
Rise / fall time	7ns max (<80.0MHz)
	4ns max (80.0 ~ 125MHz)
	3ns max (125 ~ 170MHz)
Enable / disable function	Tristate (control via pad 1)
Enable / disable function	10ms / 100ns
Stand-by current	10µA
Net mass	135mg

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所有石英晶振產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
5、鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。
6、靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。

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: 京瓷晶振,有源晶振,KC7050P-L2晶振,KC7050P-L3晶振; 進(jìn)口有源晶振,尺寸(7.0x5.0x1.6mm)石英晶體振蕩器,高精度有源貼片晶振,京瓷晶振元件有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.