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熱門關(guān)鍵詞 : SMD晶振溫補(bǔ)晶振KDS晶振霧化片精工晶振有源晶振TXC晶振CTS晶振京瓷晶振微晶晶振村田晶振

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TCXO溫補(bǔ)晶振,GTXO-566T振蕩器,GTXO-566T/M-20MHz,高利奇有源晶振,低功耗振蕩器

頻率:20MHz

尺寸:11.8 x 9.9 x 2.0 mm

TCXO溫補(bǔ)晶振,GTXO-566T振蕩器,GTXO-566T/M-20MHz,高利奇有源晶振,低功耗振蕩器   GTXO-566T/M-20MHz是高利奇推出的一款 TCXO 溫補(bǔ)晶振,屬于有源晶振.它能輸出精準(zhǔn)的 20MHz 頻率,借助先進(jìn)的溫度補(bǔ)償技術(shù),可有效應(yīng)對環(huán)境溫度變化,保證頻率的高度穩(wěn)定。低功耗設(shè)計使其在運(yùn)行過程中能耗更低,既能延長設(shè)備續(xù)航,又能減少發(fā)熱。適用于通信基站、衛(wèi)星導(dǎo)航、物聯(lián)網(wǎng)終端等多種對頻率穩(wěn)定性和功耗有嚴(yán)格要求的電子設(shè)備,是提升設(shè)備性能的可靠選擇。
訂購熱線:0755-27876565
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yijin-1TCXO溫補(bǔ)晶振,GTXO-566T振蕩器,GTXO-566T/M-20MHz,高利奇有源晶振,低功耗振蕩器

在對時鐘精度和穩(wěn)定性要求極高的電子設(shè)備領(lǐng)域,高利奇晶振的 GTXO - 566T/M - 20MHz 溫補(bǔ)晶振(TCXO)展現(xiàn)出卓越的性能。作為一款有源晶振,它自帶起振電路,能穩(wěn)定輸出精準(zhǔn)的 20MHz 頻率信號。
其核心優(yōu)勢在于采用了先進(jìn)的溫度補(bǔ)償技術(shù)。電子設(shè)備在運(yùn)行過程中,環(huán)境溫度的變化會對晶振頻率產(chǎn)生影響,而這款溫補(bǔ)晶振能夠?qū)崟r感知溫度變化,并迅速調(diào)整輸出頻率,確保頻率的高度穩(wěn)定。
同時,低功耗是它的另一大亮點(diǎn)。在如今追求節(jié)能環(huán)保的時代,低功耗設(shè)計不僅能延長設(shè)備的續(xù)航時間,還能減少發(fā)熱,提高設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性。無論是在通信基站、衛(wèi)星導(dǎo)航設(shè)備,還是物聯(lián)網(wǎng)終端等對功耗和頻率穩(wěn)定性要求苛刻的應(yīng)用場景中,GTXO-566T振蕩器都能憑借其出色的性能,為設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行提供有力保障。

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頻率范圍 9.60 ~ 50.0兆赫
尺寸 11.8 x 9.9 x 2.0 毫米
包裝樣式 6 個墊子,帶微調(diào)附件
儲存溫度范圍 -40 至 +85°C
頻率與電源電壓 ±0.3 ppm (<22.0MHz)
±0.5 ppm (<28.0MHz)
±1.0 ppm (<50.0MHz)
頻率與負(fù)載變化 ±0.3ppm (10kΩ±10%//10pF±10%)
陳釀 (第一年) ±1.0 頁/分鐘(<22.0 MHz)
±1.5 頁/分鐘(<28.0 MHz)
±2.0 頁/分鐘(<50.0 MHz)
電源電流 最大 2.0mA (<22.0MHz)
最大 3.0mA (<28.0MHz)
最大 4.0mA (<50.0MHz)
輸出波形 削波正弦波,0.8V p-p(典型值)
測試負(fù)載 10kΩ // 10pF
頻率調(diào)整 ±3ppm min,通過內(nèi)部微調(diào)器
預(yù)設(shè)頻率 ±0.5 頁/分鐘 / +25°C ±2°C
凈質(zhì)量 453 毫克

GTXO-566T

yijin-3TCXO溫補(bǔ)晶振,GTXO-566T振蕩器,GTXO-566T/M-20MHz,高利奇有源晶振,低功耗振蕩器

GTXO-566T TCXO

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TCXO溫補(bǔ)晶振,GTXO-566T振蕩器,GTXO-566T/M-20MHz,高利奇有源晶振,低功耗振蕩器
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
5、鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。

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